To provide a secondary ion mass spectrometry capable of specifying the position of a compound film/substrate interface by measuring the concentration and the distribution of a trace element highly sensitively and highly quantitatively, and specifying the position of a compound film/substrate interface, concerning material having information of an elemental composition of the polar surface of a sample and an interface such as the compound film/substrate or the like. 本発明は、試料の極表面の元素組成の情報や化合物膜/基板のような界面を有する材料において、微量元素の濃度および分布を高感度でかつ高定量的に測定し、化合物膜/基板界面の位置を特定することが可能である二次イオン質量分析(SIMS)法を提供する。 - 特許庁