To provide a method which can easily measure dopant density near a semiconductor wafer surface without needing to manufacture a standard substance for every device every test piece like SIMS. SIMSのように被測定試料ごとに標準試料を作製する必要もなく、半導体ウェーハの表面近傍のドーパント濃度を簡便に測定することができるようにした方法を提供する。 - 特許庁