Activation of Ge n-type dopants and reasonable SPER rates for Si provide a practical lower limit on temperature of 500°C, and the melting of Ge provides an upper limit of 937°C. Geのn型ドーパントの活性化と、Siの妥当なSPER速度は、500℃の温度の実際の下限を与え、Geの溶融は、937℃の上限を与える。 - 特許庁
By use of a Solid Phase Epitaxial Regrowth (SPER) process for Si nMOS, the thermal budget for the Si nMOS can be lowered to be compatible with Ge pMOS. SiのnMOSに対して固相再成長(SPER)プロセスを用いることで、SiのnMOSのための熱量は、GeのpMOSと両立するまで低くすることができる。 - 特許庁