INDIUM COMPOUND SPINTRONICS MATERIAL インジウム化合物スピントロニクス材料 - 特許庁
SPINTRONICS APPARATUS AND LOGICAL OPERATION ELEMENT スピントロニクス装置及び論理演算素子 - 特許庁
SPINTRONICS DEVICE AND INFORMATION TRANSMISSION METHOD スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法 - 特許庁
Co2Fe-BASED HEUSLER ALLOY AND SPINTRONICS ELEMENT USING IT Co2Fe基ホイスラー合金とこれを用いたスピントロニクス素子 - 特許庁
CAD SYSTEM FOR LOGICAL INTEGRATED CIRCUIT AND DESIGN METHOD FOR SPINTRONICS LOGICAL INTEGRATED CIRCUIT 論理集積回路のCADシステム及びスピントロニクス論理集積回路の設計方法 - 特許庁
To enhance device performance of a spintronics device and a magnetic read head, particularly Magneto-Resistance (MR) and Resistance-Area product (RA) ratios. スピントロニクス素子や磁気読み取りヘッドの素子性能(特にMR比とRA値)を向上させる。 - 特許庁
The alloy is a Co-based Heusler alloy for spintronics devices, and a part of Co is replaced by Fe. スピントロニクスデバイスにおけるCo基ホイスラー合金で、Coの一部がFeで置換された合金である。 - 特許庁
To establish a design system of a spintronics logical integrated circuit only by the minimum change of a design flow. 設計フローの最小限の変更のみでスピントロニクス論理集積回路の設計体系を確立する。 - 特許庁
To provide a spintronics apparatus with high efficiency of power-current-spin-current transfer and capable of obtaining high intensity of spin current. 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。 - 特許庁
To provide a spintronics device high in charge current to spin current conversion efficiency, and capable of providing a high-intensity spin current. 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。 - 特許庁
To provide an indium compound spintronics material capable of simultaneously controlling magnetism and electric conductivity. 磁性と電気伝導性とを同時に制御することが可能である、インジウム化合物スピントロニクス材料を提供する。 - 特許庁
To provide anti-ferromagnetic half metallic semiconductor having anti-ferromagnetism and consisting of half metallic new spintronics material. 反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic sensor that can reduce noises and attain high sensitivity in a magnetic sensor using spintronics elements such as TMR elements. TMR素子などのスピントロニクス素子を用いた磁気センサに関し、ノイズを低減し、かつ、高感度化を図ることができる磁気センサを提供する。 - 特許庁
To provide a spintronics element structure contributing to weight reduction and an environmental harmonizing property by using a transition-metal-free light element in a magnetic material. 磁性材料に遷移金属を含まない軽元素を用い、軽量化と環境調和性に寄与するスピントロニクス素子構造を提供することである。 - 特許庁
The conversion means is configured to convert a part of a combined circuit which inputs a designated non-volatilization object logical signal into a spintronics logic circuit. 変換手段は、指定される不揮発化対象の論理信号を入力とする組み合わせ回路の一部をスピントロニクス論理回路に変換する。 - 特許庁
The spintronics element structure contains a material which is made ferromagnetic by eliminating only a magnetic moment on one end of a material made of a carbon material. 本発明に係るスピントロニクス素子構造は、炭素系材料からなる材料の一端の磁気モーメントのみを消去することにより強磁性を持たせた材料を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a Co_2Fe-based Heusler alloy having a spin polarization rate of 0.65 or higher, and to provide a high characteristic spintronics element using it. 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、0.65以上のスピン偏極率を持つCo_2Fe基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。 - 特許庁
A CAD system of a logical integrated circuit includes conversion means for converting a logical integrated circuit netlist in an operation description level or a logical gate level described in hardware description language into a logical integrated circuit netlist in an operation level including a spintronics logical gate as the input of a logical synthesis tool. 論理集積回路のCADシステムは、ハードウェア記述言語で記述された動作記述レベルあるいは論理ゲートレベルの論理集積回路ネットリストから、論理合成ツールの入力となるスピントロニクス論理ゲートを含む動作レベルの論理集積回路ネットリストへの変換手段を含む。 - 特許庁
This indium compound spintronics material is produced by doping at least one element selected from Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb into indium oxide, and is composed such that the point symmetry of unit cells has the lattice translation structure of scandium oxide type crystal structure. インジウム酸化物に、Sc,Ti,V、Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu、並びにCe,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる1つ以上の元素がドープされて成り、単位胞の点対称性が、酸化スカンジウム型結晶構造の格子並進構造を有するインジウム化合物スピントロニクス材料を構成する。 - 特許庁