「Sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 130 131 次へ＞- SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION LAYER OF OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION FILM IN OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering cathode by which target life can be prolonged by uniformly sputtering a target and improving its use efficiency.
ターゲットを均等にスパッタし、その使用効率を向上することにより、ターゲットの寿命を長くしたマグネトロンスパッタカソードを提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET FOR EL ELEMENT MANUFACTURE, SPUTTERING TARGET FOR EL ELEMENT MANUFACTURE, EL ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING EL ELEMENT
ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲット、ＥＬ素子及びＥＬ素子の製造方法 - 特許庁 - HIGH DENSITY ITO SINTERED SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
高密度ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - (2) In the method for manufacturing the phase transition type optical recording medium, a sputtering gas containing nitrogen is used when the reflecting layer is formed by sputtering.
（２）反射層をスパッタリングにより形成するに際し、窒素を含むスパッタリングガスを用いる相変化型光記録媒体の作製方法。 - 特許庁 - AL ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET
表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING RUTHENIUM SPUTTERING TARGET AND TARGET OBTAINED THEREBY
ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲット - 特許庁 - The arc control system includes a sputtering chamber that houses an anode and a sputtering target formed from a target material and serving as a cathode.
アーク制御システムは、陽極及び目標材料から形成され陰極として役立つスパッタ目標を収容するスパッタ室を含む。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF IMAGING ELEMENT SUBSTRATE, IMAGING ELEMENT, AND SPUTTERING APPARATUS
撮像素子基板の製造方法、撮像素子、及びスパッタリング装置 - 特許庁 - Al ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET
表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット - 特許庁 - The sputtering process comprises a step of sputtering a conductive member of an increased hardness with ion in order to take out copper from the conductive member.
スパッタリングプロセスは、導電性部材から銅を取り出すために、増大した硬度の導電性部材をイオンで叩くステップを有する。 - 特許庁 - A protective film 6 is formed on the piezoelectric thin film 5 by sputtering.
圧電薄膜５上に保護膜６をスパッタリングにより形成する。 - 特許庁 - To prevent heat from accumulating in a sputter target during sputtering.
スパッタリング中にスパッタ・ターゲットに熱が蓄積することを防止する。 - 特許庁 - TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING OR ION PLATING AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
スパッタリングまたはイオンプレーティング用ターゲット材及びその製造方法 - 特許庁 - COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT LINE SEED LAYER
半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - The target for sputtering has an alloy composition same as that of the thin film.
この薄膜と同じ合金組成を有するスパッタリング用ターゲット。 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS, AND UPPER SHIELD POSITION ADJUSTING METHOD OF THE SAME
スパッタリング装置およびスパッタリング装置のアッパシールド位置調整方法 - 特許庁 - LAMINATED FILM DEPOSITION SYSTEM, SPUTTERING SYSTEM, AND LAMINATED FILM DEPOSITION METHOD
積層膜形成システム、スパッタ装置、および積層膜形成方法 - 特許庁 - To improve adhesion between a ceramic substrate and a metal sputtering film.
セラミックス基板と金属スパッタ膜との密着性を向上させる。 - 特許庁 - METHOD FOR DEPOSITING COPPER THIN FILM AND SPUTTERING SYSTEM USED FOR THE METHOD
銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS FOR DEPOSITING MULTI-LAYERED FILM, AND METHOD OF CONTROLLING THE FILM THICKNESS
多層膜形成用スパッタリング装置及びその膜厚制御方法 - 特許庁 - This enables constant sputtering from the entire target surface.
これにより全ターゲット面から均一なスパッタを行うことができる。 - 特許庁 - In a sputtering method, a sputtering gas containing a noble gas is introduced from two or more points into a vacuum chamber 1, a molecular weight of the sputtering gas introduced from around the target 2 is controlled to be larger than those of any sputtering gasses introduced from around a substrate 51, and also an introduction gas plasma source 13 is provided around the target 2 to convert the sputtering gas into plasma.
希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。 - 特許庁 - This forming device of the electrode for the lithium secondary battery has an Si sputtering source 3 for sputtering Si, for constituting the active material layer on the surface of a collector 1; and a Co-sputtering source 4 for sputtering Co, constituting the active material layer on the surface of the current collector 1.
このリチウム二次電池用電極の形成装置は、集電体１の表面上に、活物質層を構成するＳｉをスパッタするためのＳｉスパッタ源３と、集電体１の表面上に、活物質層を構成するＣｏをスパッタするためのＣｏスパッタ源４とを備えている。 - 特許庁 - When reverse sputtering is completed in a reverse sputtering chamber C2, a wafer W with the temperature thereof raised by the reverse sputtering is carried into a cooling chamber C3, and the wafer W is cooled in the cooling chamber C3, and carried into a sputtering chamber C4 to deposit a Ti film on the wafer W.
逆スパッタチャンバＣ２での逆スパッタ処理が終了すると、逆スパッタ処理により温度が上昇したウェハＷを冷却チャンバＣ３に搬入し、冷却チャンバＣ３でウェハＷを冷却してから、スパッタチャンバＣ４に搬入し、ウェハＷ上にＴｉ膜を成膜する。 - 特許庁 - The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.
スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁 - To increase an amount of leakage fluxes in magnetron sputtering compared with a conventional amount.
マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING FILM DEPOSITION SYSTEM WITH MULTIPLEX MAGNETIC POLES, AND FILM DEPOSITION METHOD THEREFOR
多重磁極マグネトロンスパッタリング成膜装置及びその成膜方法 - 特許庁 - The sputtering apparatus is directed at forming a film on a substrate (W) by using a reactive sputtering technique after having introduced a sputtering gas (Ar) and a reactive gas (O_2) into a decompressed film-forming chamber 10.
減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ_2 ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, HARD FILM USING THE SAME, AND HARD FILM COVERING MEMBER
スパッタリングターゲットおよびそれを用いた硬質被膜、硬質膜被覆部材 - 特許庁 - HIGH FREQUENCY SPUTTERING DEVICE AND THIN FILM FORMING METHOD USING THE SAME
高周波スパッタリング装置及びそれを利用した薄膜形成方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target for the deposition of a protective film for optical recording medium, free from cracking even if high electric power sputtering is performed and having excellent strength.
大電力スパッタリングを行っても割れ発生がなく、強度の優れた光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide an oblique sputtering deposition system for thin film deposition.
薄膜を作製するために傾斜スパッタリング堆積装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which increases treatment efficiency in a sputtering step by decreasing cleaning frequency through reducing a deposit in a chamber, even when sputtering a target made of Ta or Si.
ＴａやＳｉ等を材料にしたターゲットを使ってスパッタリングを行う場合にもチャンバ内の付着物を減らして清掃回数を低減し、スパッタリング工程の処理効率を高めることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
磁気記録媒体形成用スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 - 特許庁 - Co-Fe-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - The fist dielectric thin film 7 and the second dielectric thin film 8 are formed by sputtering same element(s) under different sputtering gas pressures.
第１の誘電体薄膜７と第２の誘電体薄膜８とを、それぞれ同一元素を用いて異なるスパッタガス圧によりスパッタ成膜する。 - 特許庁 - CAROUSEL TYPE SPUTTERING APPARATUS, METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM AND REFLECTION MIRROR
カルーセル型スパッタリング装置及び薄膜の形成方法及び反射鏡 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-STRENGTH SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE-CHANGE MEMORY FILM
相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL DISK, AND ITS MANUFACTURE
光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM FORMATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - The Ag-Bi-based alloy sputtering target contains Bi dissolved in Ag.
Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットは、ＢｉがＡｇに固溶している。 - 特許庁 - To provide an Al-based sputtering target capable of dissolving problems (increase of the number of splashes, rise of electric resistance of deposited thin film) occurring on the initial stage of sputtering and shortening pre-sputtering time.
スパッタリングの初期段階で発生する問題（スプラッシュの個数の増加や、成膜された薄膜の電気抵抗の上昇）を解消でき、プリスパッタ時間を短縮可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁 - To provide an RF sputtering device and a manufacturing method for semiconductor device, with which the release of a coating film on a stage can be suppressed in RF sputtering.
ＲＦスパッタ時にステージ上のコーティング膜の剥離を抑制できるＲＦスパッタ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - The sputtering is performed by using the sputtering target, then the number of particles of ≥3 μm in the obtained film is made <2 pieces/cm^2.
前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、得られる膜中の３μｍ以上のパーティクル数は２個／ｃｍ^2未満となる。 - 特許庁
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