「Structure Formation」を含む例文一覧(1563)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 31 32 次へ＞- An inductor 1 as an electronic part is formed on a substrate 3, and it has a lamination structure where an extraction electrode 5 and a protection layer 9 protecting the same are formed having a rectangular parallelepiped appearance by using thin film formation technology.
電子部品としてのインダクタ１は、基板３上に形成されて積層構造の取出電極５と、取出電極５を保護する保護層９とを薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁 - The wing-type cargo accommodation body 2 eliminated in the formation of floor structure is mounted to the trailer by making side lower rails placed at both sides of the bottom of the cargo accommodation body 2 engaged with notches formed at both ends of the low floor 11B.
ウイング式の貨物収容体２は、床構造の省略されたものであって、貨物収容体２底部両側に置かれたサイドロアレールを、低床部分１１Ｂの両端に形成された切り欠き部に係合させてトレーラ上に積載される。 - 特許庁 - During the film formation of the diaphragm, pressure is applied in the upper direction of the diaphragm by utilizing buckling caused by internal stress of the diaphragm having the multilayer film structure, so that the diaphragm is statically bent to be projected in the upper direction of the diaphragm.
多層膜構造を有するダイアフラムの内部応力による座屈を利用して、ダイアフラムの製膜中においてダイアフラムの上方向に圧力を印加することにより、ダイアフラムの上方向に凸となるようにダイアフラムを静的に撓ませる。 - 特許庁 - To solve such a problem that formation of aligned carbon nanotubes on a polymer electrolyte membrane by the transfer method is only possible for a film with a flat surface, and transfer of aligned carbon nanotubes to a polymer electrolyte membrane having uneven structure, especially to recesses, is impossible.
転写法による高分子電解質膜上への配向カーボンナノチューブ形成は表面がフラットな膜に対してのみしか行うことはできず、凹凸構造を持つ高分子電解質膜の特に凹部への配向カーボンナノチューブの転写は行えない。 - 特許庁 - To eliminate an abnormal form at the connection hold formed at a low permittivity interlayer insulating film, related to a manufacturing method for a contact structure where the formation of embedded wiring and that of a low permittivity interlayer insulating film are coupled.
埋め込み配線の形成と低誘電率層間絶縁膜の形成とを組み合わせたコンタクト構造の製造方法であって、低誘電率層間絶縁膜に形成する接続孔に対して形状の異常を発生させないものを実現する。 - 特許庁 - To provide a pattern formation process of a semiconductor element for doubling a pattern density by double patterning technology in a partial region while forming a pattern having various widths simultaneously, and to provide a semiconductor element having a structure to which the process can be easily applied.
多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程及び該工程を容易に適用可能な構造の半導体素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a ground reinforcing structure for producing sufficient function on an unexpected horizontal load due to earthquake without disordering a natural ground and permitting the formation of a safe ground without giving influences on peripheral grounds for a long period, and its constructing method.
自然地盤を乱さず、地震等による不慮の水平荷重に対しても十分な機能を発揮し、長期にわたり周辺地盤に影響を及ぼすこと無く安全な地盤となる地盤の補強構造及びその施工方法を提供する。 - 特許庁 - An alloy of silver and an alloying metal, such as beryllium which can diffuse over the surface of a high conductivity metal and can be oxidized so as to form an alloy element oxide, is provided, along with an electronic circuit structure which employs the alloy and an alloy formation method.
高導電率金属の表面に拡散し、また合金元素酸化物を形成するように酸化可能である、ベリリウムなど合金金属と銀の合金が、その合金を使用する電子回路構造および形成方法と共に提供される。 - 特許庁 - To provide a solid polymer fuel cell stack with simple structure, low price, making miniaturization possible, preventing the blocking of a passage caused by the entrance of dew formation moisture in a gas passage for reaction gas flow, and uniformly generating electric power in each cell.
構造が簡単で安価で、小型化可能であり、結露した水分が反応ガス流通用ガス流路内に入って流路が閉塞されるのを防止し、各セルで均一な発電ができる固体高分子形燃料電池積層体の提供。 - 特許庁 - To provide a coupling structure for magnetic coupling for a magnetic resonator, in which irregularity on manufacturing can be drastically reduced, its manufacturing method and a YIG(yttrium-iron-garnet) resonating device in the formation of a coupling coil that is subjected to magnetic coupling to a magnetic resonator.
磁性体共振器へ電磁結合する結合コイルの形成において、製造上のばらつきを大幅に低減可能とする磁性体共振器用の電磁結合用カップリング構造体、その製造方法及びＹＩＧ共振装置を提供する。 - 特許庁 - A field emission type cathode K constituting a planar display device is formed of sheet-like particle layered bodies of multi-layer structure 33 made up by heaping up sheet-like particles 30 made of a conductive carbon- bonded body on a formation surface thereof.
電子放出装置を構成する電界放出型カソードＫをその形成面上に、導電性を有す炭素結合体より成る、板状の微粒子３０を堆積させて、多層構造３３の板状微粒子の積層体で形成する。 - 特許庁 - To provide a bumper structure which is manufactured by using electromagnetic formation for joining a stay raw material to a bumper beam while securing joining force between the bumper beam and a bumper stay even when reducing the thickness of the front wall and/or the outer wall of the bumper beam.
電磁成形を利用してバンパービームにステイ素材を接合して製造したバンパー構造体において、バンパービームの前壁及び／又は外壁が薄肉化されていても、バンパービームとバンパーステイの間で必要な接合力が確保できるようにする。 - 特許庁 - This heat-conductive film of a multilayer structure is manufactured by performing co-extrusion and film formation so that an insulation layer is arranged on one surface or each of both surfaces of a heat-conductive resin layer containing 10-90 vol.% of a filler having electric conductivity and heat conductivity.
導電性と熱伝導性を有するフィラーを１０〜９０体積％含有する熱伝導性樹脂層の片面、あるいは両面に、絶縁層が配設されるように共押出製膜して、多層構造の熱伝導性フィルムを製造する。 - 特許庁 - An N-type clad layer 4 is grown into a shape like a chevron on a substrate 1 of sapphire or the like, and a plurality of nitride based III-V compound semiconductor layers including an active layer 6 are grown thereon into a shape like a chevron for the formation of a light emitting device structure.
サファイア基板などの基板１上に山形にｎ型クラッド層４を成長させ、その上に活性層６を含む複数の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を山形に成長させて発光素子構造を形成する。 - 特許庁 - To provide a bonding method in which terminals that two base materials have can be electrically connected to each other using a bonded film which is patterned with high film formation precision, and to provide a bonded structure having a bonded film bonded by the bonding method.
高い成膜精度でパターニングされた接合膜を用いて2つの基材が備える端子同士を電気的に接合することができる接合方法、かかる接合方法で接合された接合膜を備える接合体を提供すること。 - 特許庁 - To provide a wooden building skeleton which is constructed by connecting wooden columns and wooden beams in a manner transferring bending moment, minimizes or eliminates braces from a rigid-frame structure, and avoids the formation of columns having an excessive cross-sectional dimension, to thereby effectively use indoor spaces of a building.
木製の柱と木製の梁とを曲げモーメントの伝達が可能に接合し、ラーメン構造として筋交いの数を低減し又は不要とするとともに、柱の断面寸法を過大とすることなく屋内空間の有効な利用を可能とする。 - 特許庁 - In the image forming method, image formation is performed by using a fixing device provided with: a core-shell structure toner of which the average roundness is 0.895 to 0.980; and a heating roller with an elastic layer having a resilient modulus of 30% to 70% and a thickness of 0.2 mm to 0.4 mm.
平均円形度が０．８９５〜０．９８０のコアシェル構造トナーと、反発弾性率が３０％〜７０％、厚さが０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの弾性層を有する加熱ローラを備えた定着装置を用いて画像形成を行う。 - 特許庁 - Thus the structure of the bridge and a quay support part is made lighter and simplified and a ground improving work is unnecessary, and the bridge can be constructed in a simple formation without requiring a large scale ground improvement irrespective of the state of a ground layer.
これにより、橋梁の構造及び岸壁支持部の軽量化、簡略化を図り、地盤改良工事が不要とし、地盤層の状態に拘らず大掛かりな地盤改良を要することなく簡素な構造で橋梁を構築する。 - 特許庁 - To provide a developing device, capable of nearly uniformizing a toner liquid level in a buffer and preventing a packing phenomenon even when it has structure that a thin layer formation member is arranged at a lower side of a development roller, and to provide an imaging cartridge and an image forming apparatus.
薄層形成部材が現像ローラの下側に配置された構成であっても，バッファ内のトナー液面をほぼ均一にするとともに，パッキング現象を防止することができる現像装置，イメージングカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.
ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁 - To provide a wiring structure of a semiconductor device and a method of forming the same which prevent a first contact pad from being damaged by a cleaning fluid in the formation of a second contact plug to be connected to the lower electrode of a capacitor in a downstream process.
後工程における、キャパシタの下部電極と接続されるべき第２コンタクトプラグの形成の際の洗浄液による第１コンタクトパッドの損傷を防止できる、半導体装置の配線構造物及びその形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a structure capable of preventing the surface of a gate electrode from becoming lower than that of a semiconductor layer even if cleaning treatment comprising oxidation treatment and oxide film removal treatment is performed after gate electrode formation.
ゲート電極の形成後に酸化処理および酸化膜除去処理からなる洗浄処理が行われても、ゲート電極の表面が半導体層の表面よりも下がるのを防止することができる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The electrode surface farther from the active layer on the semiconductor substrate 1 is entirely flat, and a structure for restricting the length of dielectric film 5 to be wrapped around to an electrode side at dielectric film 5 formation is formed on the surface of the electrode.
半導体基板１の活性層から遠い方の電極面は全体に平坦であり、誘電体膜５を形成する際、誘電体膜５の電極面側への回り込み長を制限する構造が電極面上に形成されたものである。 - 特許庁 - To prevent the damage of the element-side electrode of an active element under a pixel electrode due to the formation of the pixel electrode in a liquid crystal device having a structure in which the pixel electrode is formed using an aluminum alloy on the element-side electrode.
アクティブ素子の素子側電極の上にアルミニウム合金によって画素電極を形成する構造の液晶装置に関して、画素電極の形成に起因してその下地層である素子側電極が損傷するのを防止できるようにする。 - 特許庁 - To provide a polymer alloy which reduces 'burning' and 'formation of carbides' on processing a polymer alloy composed of a polyphenylene sulfide resin and a polyphenylene ether resin, and furthermore controls the dispersion structure as the polymer alloy and excels in the weld strength of molded articles.
ポリフェニレンスルフィド樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂からなるポリマーアロイの加工時における“やけ”および“炭化物生成”を減少させ、さらにはポリマーアロイとしての分散構造を制御し、成型品のウェルド強度に優れたポリマーアロイを提供する。 - 特許庁 - Thus, this substrate can permit the formation of different devices on the optimum substrate region with the different surface orientation, the different thickness, the different structure from the bulk or SOI, or the combination of these different ones.
そのため、この基板により、表面配向が異なるか、または厚さが異なるか、あるいはバルクまたはＳＯＩと構造が異なるか、あるいはこれら異なるものが組み合わされた最適な基板領域上に異なるデバイスを形成することができる。 - 特許庁 - To provide a compound efficiently inhibiting the formation of an infectious prion protein via binding to a normal prion protein, to provide a prion protein structure transformation inhibitor comprising the composition, and to provide a prophylactic or curative agent for prion disease.
正常型プリオンタンパク質への結合を介して感染型プリオンタンパク質の生成を効率よく抑制することができる化合物、当該化合物を含むプリオンタンパク質構造変換抑制剤、及びプリオン病の予防・治療剤を提供する。 - 特許庁 - At formation of the polysilicon film by annealing an amorphous silicon film, linearity and periodicity appear in the spatial structure in the film surface of formed polysilicon film, according to the energy giving to the amorphous silicon at annealing.
アモルファスシリコン膜に対してアニール処理を行いポリシリコン膜を形成したときに、このアニール処理時においてアモルファスシリコンに与えるエネルギーに応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。 - 特許庁 - In order for Japan to improve the profitability of direct investments while making use of a “Win-Win” relationship through a network of division of labor together with Asia in the future, it is important to enhance the structure of the business environment to further propel the formation of the business network.
我が国企業が今後アジアとの分業ネットワークによる互恵的（WIN‑WIN）な関係をいかしつつ直接投資の収益性を高めるためには、事業ネットワークの形成を促進する事業環境整備を進めていくことが重要である。 - 経済産業省 - The formation method for the coating structure comprises forming the coating material layer in the surface side of the object using the slightly elastic coating material containing the inorganic binder, and then forming the coating layer using the coating containing the coloring aggregate.
塗膜構造の形成方法は、被塗装物の表面側から、無機結合材含有微弾性塗材より形成される塗材層を形成した後、着色骨材を含有する塗料により形成される塗料層を形成するものである。 - 特許庁 - Since a magnetic domain structure is made to be a single magnetic domain along with formation of the exchange coupling, an excitation process of an axis of hard magnetization becomes only uniform magnetization rotation, and increase in a ferromagnetic resonance line width associated with mixing of a magnetic wall movement magnetization process can be suppressed.
また、交換結合の形成に伴い、磁区構造が単磁区化されるため、磁化困難軸励起過程が均一な磁化回転のみとなり、磁壁移動磁化過程の混入に伴う強磁性共鳴線幅の増加を抑制できる。 - 特許庁 - To provide a porous tricalcium phosphate-based sintered body by which an implant material, which swiftly guides bone structure formation and has practical mechanical strength and at the same time can be substituted with a new bone by being naturally disappeared in vivo, can be realized.
骨組織形成を速やかに誘導し、且つ実用的な機械的強度を有すると共に、生体内で自然に消滅して、新生骨と置換可能な、インプラント材料を実現できる、多孔質リン酸三カルシウム系焼結体を提供する。 - 特許庁 - By using this paste for pattern formation using a binder containing an organic high polymer having a branched structure, a conductor, a resistor, a dielectric and an insulating material are manufactured, and the pattern having a high aspect ratio is formed on a green sheet by a screen printing method by using them.
枝分かれ構造の有機高分子を含むものをバインダとしたパターン形成用ペーストを使用して、導電体、抵抗体、誘電体、絶縁体を作製し、これをスクリーン印刷法によりアスペクト比の高いパターンをグリーンシート上に形成する。 - 特許庁 - As a plate 22 of an intermediate layer of the three- layer plate structure, a carbon fiber plate where carbon fibers are laid out in a sheet formation is employed and formed so that an orientation of the carbon fibers extends in parallel with a normal line passing through the notch Wa of the wafer W.
その３層プレート構造の中間層のプレート２２として、カーボンファイバをシート状に配列したカーボンファイバプレートを用い、カーボンファイバの配向方向がウェーハＷのノッチＷａを通る法線と平行に延びるように形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device with high degree of freedom capable of improving a sustain withstand voltage, capable of preventing variation in the sustain withstand voltage, and capable of adjusting drain resistance and a junction profile after formation of a transistor, by a transistor with a simple structure.
構造が簡単なトランジスタにより、サステイン耐圧を改善し且つサステイン耐圧のばらつきの抑制及びトランジスタ形成後のドレイン抵抗及び接合プロファイルの調整が可能な、自由度が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - After the formation of the Zn-Al-Mg alloy plated layer, slow cooling is applied to the layer to form a structure in which agglomerated crystals of a Zn alloy of a high Al content are dispersed and the Zn alloy of a high Mg content is solidified among the agglomerated crystals.
Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金めっき層を形成したのち、これを徐冷することにより、Ａｌ分の多いＺｎ合金の塊状晶が分散し、この塊状晶間においてＭｇ分の多いＺｎ合金が凝固している組織にする。 - 特許庁 - To provide an electrode structure of a tag for RFID (radio frequency identification) by which a resonance frequency of a resonant circuit to be formed on the tag for RFID can be easily adjusted after formation of the circuit and a method for adjusting the resonance frequency using the electrode.
ＲＦＩＤ用タグに形成される共振回路の共振周波数を回路形成後に簡単に調整することができるＲＦＩＤ用タグの電極構造及び該電極を用いた共振周波数の調整方法の提供。 - 特許庁 - To provide a soil improvement method which enables the formation of stable ground by rationally injecting a chemical solution material into the ground under a bedrock of an already-constructed structure and consolidating it, freely forming a hemispherical consolidated body under the bedrock so as to bear a load of the structure in a decentralized manner, and strengthening a bearing capacity of soil by the consolidation of the ground.
既に構築された構造物の基盤下の地盤に薬液材を合理的に注入固結させ、基盤下に自由に半球状の固結体を形成して構造物による負荷を分散支持させるとともに地盤の圧密により地耐力を強化し、安定地盤が形成できるようにする地盤改良工法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon etching liquid which removes the surrounding constituent material accurately and efficiently so as to form a capacitor structure having protrusions and recesses, for amorphous or polycrystalline silicon, while ensuring a well-balanced etching in the center and at the end of a wafer in which a large number of capacitor structures are formed, and to provide a formation method of a capacitor structure using the same.
アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。 - 特許庁 - The glass substrate 21 is reused by adhering, thereto, the rear surface of a thick wafer 6 forming a front surface structure 5 via a bonding tape 24 formed of a UV tape 22 and a formed tape 23 after reduction of the thickness with the back-grind and wet etching, and thereafter by preventing crack of wafer and contamination of wafer and manufacturing apparatus through formation of a rear surface structure 15.
表面構造５を形成した厚いウェハ６の裏面をバックグラインドとウェットエッチングで厚さを減らした後で、ガラス基板２１にＵＶテープ２２と発泡テープ２３で構成される接着テープ２４を介して貼り付け、その後、裏面構造１５を形成することで、ウェハ割れを防止し、ウェハや製造装置のコンタミネーションを防止し、ガラス基板を再利用する。 - 特許庁 - The optical member comprises a substrate having a curved face in at least a part thereof, and on the substrate a layer of single aluminum or a compound containing aluminum formed in a vapor phase and subjected to a hydrothermal treatment to form a concavo-convex structure on the outermost surface; and the optical member includes a dielectric layer between the substrate and the concavo-convex structure, the dielectric layer formed by vapor phase film formation.
少なくとも一部に曲面を有する基材と、該基材上に、アルミニウム単体、及びアルミニウムを含む化合物の少なくともいずれかを気相成膜した層を水熱処理して最表面に凹凸構造を有してなり、前記基材と前記凹凸構造の間に、気相成膜により形成された誘電体層を有する光学部材である。 - 特許庁 - There is provided an edge emitting semiconductor laser chip, including a support substrate (1) and an intermediate layer (2), wherein the intermediate layer (2) intermediates an adhesion between the support substrate (1) and an element structure (50) of the edge-emitting semiconductor laser chip, and at that time, the element structure (50) has an active region (5) provided for beam formation.
端面発光型半導体レーザチップであって、支持基板（１）と、中間層（２）とを有し、前記中間層（２）は、支持基板（１）と端面発光型半導体レーザチップの素子構造（５０）との間の付着を媒介し、その際、該素子構造（５０）は、ビーム形成のために設けられているアクティブ領域（５）を有する、端面発光型半導体レーザチップ。 - 特許庁 - The method of forming the laminated structure for metal wiring includes a barrier layer formation step for forming the barrier layer containing at least either TaSiN or WSiN for preventing copper from being diffused over the substrate directly or indirectly on the substrate, and a copper layer formation step for forming the copper layer mainly composed of copper as the base layer of the copper layer for wiring.
金属配線のための積層構造の形成方法は、基板上に直接又は間接的に、該基板への銅の拡散を防止するためのＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含むバリア層を形成するバリア層形成ステップと、前記バリア層上に、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層を形成する銅層形成ステップとを含む。 - 特許庁 - To improve generation of a dark current at a part below a light shield film without exceeding the limit of a thermal budget by enabling a formation part for the light shield film to be selectively annealed even when pixel structure of rear surface irradiation type is employed.
裏面照射型の画素構造を採用する場合であっても、遮光膜の形成部分に対して選択的なアニール処理を可能にして、サーマルバジェットによる制限を超えることなく当該遮光膜の下方部分における暗電流発生を改善する。 - 特許庁 - To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.
ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁 - To provide a composition for resist lower-layer film formation that forms a resist lower-layer film which is suitably buried in a via or trench, easily formed based upon a desired pattern, and superior in etching resistance, and a method of forming a dual-damascene structure using the same.
ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device of a structure, where a ratio C' of a minimum value Cmin of capacitance to a maximum value Cmax of capacitance is increased, generation of a balled defect in the formation of semipheric grains is suppressed and the device has an electrically high-reliability capacitor, and a manufacturing method of the device.
キャパシタンスの最小値Ｃ_min と最大値Ｃ_max との比Ｃ´を増加させ、半球状のグレインの形成におけるボールドディフェクトの発生を抑制し、電気的に信頼性の高いキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To stably feed a document with a simple structure regardless of the number of sheets of the document to be loaded on a document paper feeding tray and to shorten time to start of image formation after setting a document on the document paper feeding tray in a document feeder.
原稿給送装置において、簡単な構成でしかも原稿給紙トレイに積載される原稿の枚数に関係なく安定して原稿を給送するとともに、原稿を原稿給紙トレイにセットした後画像形成開始までの時間を短縮する。 - 特許庁 - Further a mortar layer 40 is arranged by embedding the wire meshes 4 with the heat insulators 2 making contact with each other, and therefore the one-piece heat insulating barrier is formed, which leads to formation of the external insulation structure with high heat insulating performance without occurrence of local dew condensation.
また断熱材２同士を接触させた状態で両面の金網４を埋設するモルタル層４０を設けることで、一体となった断熱層を形成することができ、断熱性が高く局所的な結露を生じない外断熱構造とすることができる。 - 特許庁 - There is no necessity to perform such a stepwise formation to use a transfer sheet at which uneven pattern parts are installed, or to pile a high part on a low part, and the ribs of the matrix structure having the tall longitudinal ribs and the low lateral ribs can be formed simply.
凹凸パターン部を設けた転写シートを用いたり、低い部分の上に高い部分を重ねるという段階的な形成を行ったりする必要がなく、背の高い縦リブと背の低い横リブを有するマトリックス構造のリブを簡単に形成することができる。 - 特許庁
