「TMA」を含む例文一覧(71)
1 2 次へ＞- A returning torque calculation part calculates a returning torque Tmb by using the torque Tma.
戻しトルク計算部４４はトルクTmaを用いて戻しトルクTmbを計算する。 - 特許庁 - A torque addition part 43 adds the reaction torque Tz and the viscous torque Tr to calculate turning torque Tma.
トルク加算部４３は反力トルクTzと粘性トルクTrを加算して切込みトルクTmaを計算する。 - 特許庁 - Russia’s spacecraft Soyuz TMA-17 was launched on Dec. 21, 2009, from the Baikonur Cosmodrome in Kazakhstan.
ロシアの宇宙船｢ソユーズTMA-17｣が2009年12月21日，カザフスタンのバイコヌール宇宙基地から打ち上げられた。 - 浜島書店 Catch a Wave - TMA MODEL AND SCREENING METHOD USING THE SAME
ＴＭＡモデル及びそれを用いたスクリーニング方法 - 特許庁 - Every person desiring to be registered as a trade marks agent shall make an application in Form TMA-1.
商標代理人としての登録を希望する各人は，様式TMA-1により申請しなければならない。 - 特許庁 - In order to gradually reduce Ta from the maximum value Tma when VSP=0 as VSP increases, Tm reduces as VSP increases after starting.
VSPの上昇につれTaがVSP=0時の最大値Tmaから漸減するため、発進後TmはVSPの上昇につれ低下する。 - 特許庁 - On June 2, Noguchi Soichi and two other astronauts returned from space on board the Russian spacecraft Soyuz TMA-17.
６月２日，野口聡(そう)一(いち)さんと他の宇宙飛行士２人がロシアの宇宙船｢ソユーズTMA-17｣で宇宙から帰還した。 - 浜島書店 Catch a Wave - Here, the TMA related value (°C)=Tse-Tss, wherein Tss (°C) is a softening start temperature measured by TMA, and Tse (°C) is a softening end temperature measured by TMA.
ここで、ＴＭＡ関係値（℃）＝Ｔｓｅ−Ｔｓｓであり、Ｔｓｓ（℃）はＴＭＡにより測定される軟化開始温度、Ｔｓｅ（℃）はＴＭＡにより測定される軟化終了温度である。 - 特許庁 - Further, a unit changes a ratio of steering reaction force torque Tma, Tf by using the coefficient Kf set at a step S61 to calculate the target steering torque T.
そして、ユニットは、ステップＳ６１にて、設定した係数Kfを用いることにより、操舵反力トルクTma，Tfの比率を変更して目標操舵トルクTを計算する。 - 特許庁 - The relationship 5°C≤ΔTm(wherein ΔTm represents Tma-Tmb)≤20°C is satisfied and the Tma is preferably 130 to 200°C.
次式、５℃≦ΔＴｍ（ただし、ΔＴｍはＴｍａ−Ｔｍｂを表す）≦２０℃の関係を満たし、かつＴｍａが１３０〜２００℃である態様が好ましい。 - 特許庁 - At the time t7, H_2, TMA and NH_3 are supplied to the growth furnace 10.
時刻ｔ７では、H_２、ＴＭＡ及びＮＨ_３が成長炉１０に供給される。 - 特許庁 - A soldering-jointing part TMa1 of a terminal TMa is buried in a melted solder by utilizing a spring-back phenomenon in the flat part TMa3 of the terminal TMa.
端子ＴＭａの平坦部ＴＭａ３におけるスプリングバック現象を利用して端子ＴＭａの半田付け接合部ＴＭａ１を溶融半田内に埋没させる。 - 特許庁 - At the time t6, H_2, N_2, TMA and NH_3 are supplied to the growth furnace 10.
時刻ｔ６では、H_２、N_２、ＴＭＡ及びＮＨ_３が成長炉１０に供給される。 - 特許庁 - SYNTHETIC PEPTIDE FOR DETECTING TRIMETHYLAMINE (TMA), AND METHOD AND DEVICE FOR DETECTING THE SAME
トリメチルアミン（ＴＭＡ）検出用合成ペプチドならびにその検出方法および装置 - 特許庁 - A Registered trade marks agent may apply in Form TMA-3 for alteration of his name, address of the place of residence, address of the principal place of business or qualifications entered in the register of trade marks agents.
商標代理人は，様式TMA-3により，商標代理人登録簿に登録された自己の名称，住居の宛先，主営業所の住所又は資格についての変更を申請することができる。 - 特許庁 - Subsequently, before growing a barrier layer, a growth interruption process is performed in order to turn both TMG and TMA off.
次に、バリア層を成長させる前に、ＴＭＧ、ＴＭＡを共にオフとする成長中断工程を行う。 - 特許庁 - A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.
複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁 - The control section keeps a control channel monitor period (Tma) in a usual operation state out of the 1st zone area and sets a control channel monitor period Tmb out of the 2nd zone area that has a wider timer interval than that of the control channel monitor period Tma.
この第１圏外エリアでは、通常動作時の制御チャネルモニタ周期（Ｔｍａ）のままとし、第２圏外エリアでは、制御チャネルモニタ周期Ｔｍａよりも時間間隔が広い制御チャネルモニタ周期Ｔｍｂに設定する。 - 特許庁 - At this time, the reaction torque determination part 45 determines the torque Tma as target reaction force torque Tf with respect to returning operation immediately before a neutral position when the operation of the steering wheel 11 is changed from returning operation to turning operation crossing over the neutral position.
このとき、反力トルク決定部４５は、ハンドル１１が中立位置を跨いで戻し操作から切込み操作となる場合には、中立位置直前の戻し操作に対してトルクTmaを目標反力トルクTfとして決定する。 - 特許庁 - Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed.
次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 - 特許庁 - The average thermal expansion coefficient of the adhesive film at 110 to 130°C, which is measured by a TMA method, is 115 ppm.
接着フィルムのＴＭＡ法で測定した１１０〜１３０℃の平均熱膨張係数は１１５ｐｐｍであった。 - 特許庁 - Then Al is caused to deposit on the substrate 900 by moving the substrate 900 to a position above a third deposition chamber 400 and exposing the substrate 900 to TMA for an arbitrary period of time.
次いで、成長室４００の上部にて、基板９００を任意時間ＴＭＡに晒してＡｌを堆積させる。 - 特許庁 - After a wiring material FPC is connected to the wiring connection part TMA of the display panel PNL, a part to be etched is masked.
表示パネルＰＮＬの配線接続部ＴＭＡに配線材ＦＰＣを接続した後にエッチングする部分をマスキングする。 - 特許庁 - As the material gas, TMA is used for an Al material, the mixed gas of TEG and TMG is used for a Ga material, and arsine is used for an arsenic material.
原料ガスとしては、Ａｌ原料にＴＭＡ、Ｇａ原料にＴＥＧとＴＭＧの混合ガス、砒素原料にアルシンを用いた。 - 特許庁 - The packet transfer device RT performs packet return transfer for direct communication between client terminals TMa, TMb.
またパケット転送装置ＲＴにおいて、パケットの折り返し転送を行い、クライアント端末ＴＭａ，ＴＭｂ同士の直接通信を行う。 - 特許庁 - The biaxially oriented polypropylene film further has ≤1.0% maximum elongation in the machine direction by a thermomechanical analysis (TMA) at 90°C.
９０℃での熱機械分析（ＴＭＡ）における縦方向の最大伸びが１．０％以下であることを特徴とするこれらの二軸延伸ポリプロピレンフィルム。 - 特許庁 - When the article ID of a specific article is included in the article information sent from the shopping cart terminal TMa, the advertisement information of another article related to the specific article is sent from an information distribution server ISV to the shopping cart terminal TMa during the shopping period and displayed on a display DP.
また、買い物籠端末ＴＭａから送られた商品情報の中に特定商品の商品ＩＤが含まれている場合に、当該特定商品に関連する他の商品の広告情報等を買い物期間中に情報配信サーバＩＳＶから買い物籠端末ＴＭａへ送信してディスプレイＤＰに表示する。 - 特許庁 - Regarding the electrophotographic image receiving material in which at least one heat insulation layer is provided on a support, the TMA (Thermomechanical Analysis) softening point of the heat insulation layer is lower than the fixing temperature upon toner image fixing by 30 to 85°C, and also, a TMA recovery rate is 60 to 75%.
支持体上に少なくとも１層の断熱層を設けた電子写真用受像材料において、該断熱層のＴＭＡ軟化点がトナー画像定着時の定着温度よりも３０〜８５℃低く、かつＴＭＡ回復率が６０〜７５％であることを特徴とする電子写真用受像材料。 - 特許庁 - When receiving the personal management data YMD of a disaster victim acquired by an external data collection terminal 300 in such a state that the mail address TMA of a specific network connection terminal 200 is registered for every personal management data YMD of a disaster victim, a data processor 100 retrieves the mail address TMA based on the personal management data YMD.
データ処理装置１００は、特定のネット接続端末２００のメールアドレスＴＭＡが被災者の個人管理データＹＭＤごとに登録された状態で、外部のデータ収集端末３００で取得された被災者の個人管理データＹＭＤを受信すると、その個人管理データＹＭＤでメールアドレスＴＭＡを検索する。 - 特許庁 - The embossing processing is carried out by using as a raw material a resin film having a TMA related value of 30 or less and setting a surface temperature Tr of that part of a cooling roll coming into contact with the resin film to be in the range of Tss±10(°C) based on a softening start temperature Tss measured by TMA.
【解決手段】ＴＭＡ関係値が３０以下である樹脂フィルムを原料とし、冷却ロールが樹脂フィルムと接触する部分の表面温度Ｔｒを、ＴＭＡにより測定される軟化開始温度であるＴｓｓを基準として、Ｔｓｓ±１０（℃）の範囲に設定してエンボス加工処理をする。 - 特許庁 - An AlN buffer layer 81 of 350 Å is formed on a single-crystal sapphire substrate 60 at 65°C by supplying H2 at 3 liter/minute, NH3 at 2 liter/ minute, and TMA at 500 cc/minute.
単結晶のサファイア基板６０上に、温度650 ℃で、Ｈ_2 を３liter／分、ＮＨ_3 を 2liter ／分、ＴＭＡを５００cc／分で供給して350 ÅのＡｌＮのバッファ層６１を形成した。 - 特許庁 - By mixing and supplying TMG and TEG, the exchange reaction of a methyl group of TMA of the Al material and an ethyl group of TEG of the Ga material occurs.
ＴＭＧとＴＥＧを混合して供給することにより、Ａｌ原料であるＴＭＡのメチル基とＧａ原料であるＴＥＧのエチル基との交換反応が起こる。 - 特許庁 - Crystal growth in a MOCVD mode can be executed by stopping the supply of HCI gas, supplying the TMA and the NH_3 to the reaction pipe 11, and carrying out heating by a second heater 17 only.
ＨＣｌガスの供給を停止してＴＭＡとＮＨ_3とを供給し、第２ヒータ１７のみの加熱を行うことでＭＯＣＶＤモードでの結晶成長が行える。 - 特許庁 - The method for evaluating resistance to delamination includes a process S1 for specifying a part of a layered structure of which changes in thickness are to be measured by a TMA method; a process S2 for cutting out a specified part from the layered structure; and a process S3 for measuring changes in the thickness of a cutout partial structure by the TMA method.
本発明の層間剥離耐性評価方法は、積層構造体においてＴＭＡ法による厚さ変化測定の対象となる箇所を特定する工程Ｓ１と、特定された箇所を積層構造体から切り出す工程Ｓ２と、切り出された部分構造体についてＴＭＡ法により厚さ変化測定を行う工程Ｓ３とを含む。 - 特許庁 - Crystal growth in an HVPE mode can be executed by stopping supply of the TMA, supplying the HCl and the NH_3, and carrying out heating by a first heater 16 and the second heater 17.
ＴＭＡの供給を停止して、ＨＣｌとＮＨ_3とを供給し、第１ヒータ１６および第２ヒータ１７で加熱を行うことでＨＶＰＥモードでの結晶成長が行える。 - 特許庁 - At a stage (time t_1) wherein crystal growth is completed after an upper DBR layer is formed, supply of TMA, TMG and DMZ is stopped and a process temperature begins to be lowered.
上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ_1）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。 - 特許庁 - A shopping cart terminal TMa periodically scans articles in a shopping cart CT and article information read from a radio tag by the scans is sent to a management server MSV.
買い物籠端末ＴＭａが定期的に買い物籠ＣＴ内の商品スキャンを行い、このスキャンにより無線タグから読み取った商品情報を管理サーバＭＳＶへ送信する。 - 特許庁 - More specifically, the buffer layer having the stress relaxation effect is suitably formed by making a second AlN layer using gas mixed with TMA and TMG at 600°C or less to the extent that the mixing ratio of TMA and TMG is 3/17 or more and 6/17 or less if the surface layer of the template substrate comprises the first AlN layer.
特に、テンプレート基板の表面層が第１のＡｌＮ層からなる場合であれば、６００℃以下の形成温度でＴＭＡとＴＭＧの混合ガスを、ＴＭＡに対するＴＭＧの混合比を３／１７以上６／１７以下の範囲で供給して第２のＡｌＮ層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。 - 特許庁 - The optical material comprises resin, containing a sulfur atom showing less than 6.5×10^-5 coefficient of linear expansion measured by a TMA penetration method (under the conditions of 0.5 mm diameter of the probe top and 5°C/minute temperature increase rate).
ＴＭＡペネトレーション法（ピン先０．５ｍｍφ、昇温速度５℃／分）で測定した樹脂の線膨張係数が、６．５×１０^−５未満である硫黄原子含有樹脂からなる光学材料。 - 特許庁 - The release paper for the body warmer or for the adhesive sheet for the body warmer is characterized by the penetration in the temperature range of 23-200°C being not more than 10 μm according to the thermomechanical analysis (TMA).
本発明のカイロ用又はカイロ用粘着シート用剥離紙は、熱機械分析（ＴＭＡ）による針入度が２３〜２００℃の温度領域で１０μｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁 - At first, in the first growth process, NH_3 and TMG are turned on (supplied) in the chamber of an MOCVD device and TMA is turned off (stopped) in order to grow an electron traveling layer (GaN layer).
まず、第１成長工程においては、電子走行層（ＧａＮ層）を成長させるため、ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に、ＮＨ_３とＴＭＧがオン（供給）され、ＴＭＡはオフ（停止）とされる。 - 特許庁 - A motor free control part 53, when determining that motor temperature Tm is over the overheat prevention starting temperature Tma, turns relays R1, R2 and R3 of a relay unit 54 for interphase opening into OFF states.
モータフリー制御部５３は、モータ温度Ｔｍが過熱防止開始温度Ｔｍａを超えていると判断した場合には、相間開放用リレーユニット５４の各リレーＲ１，Ｒ２，Ｒ３をオフ状態にする。 - 特許庁 - Therein, it is desirable that the plastic substrate having such a characteristic as to shrink by 0.25% in both directions of vertically stretching direction and laterally stretching direction in the temperature range from normal temperature to 150°C in TMA measurement is used.
その際ＴＭＡ測定において常温から１５０℃の温度範囲で、縦延伸方向と横延伸方向の両方向に０．２５％収縮する特性を有するプラスチック基材を用いることが望ましい。 - 特許庁 - Furthermore, an interface is stabilized by supplying TMA for a time which corresponds to the growth of about one molecule layer by supplying raw material of GaInP and electrical characteristics of an epitaxial wafer for HEMT is improved.
さらにＧａＩｎＰの原料を供給して１分子層程度の成長に相当する時間、ＴＭＡを供給することによって界面を安定化させ、ＨＥＭＴ用のエピタキシャルウェハを形成したときの電気的特性が向上する。 - 特許庁 - The transparent film for the electronic display consists of a transparent film of ≥50% transmittance of the UV rays in a wavelength region of a 250 to 450 nm and ≥180°C glass transition temperature measured by a TMA (stress and strain measurement).
波長２５０〜４５０ｎｍの領域における紫外線の透過率が５０％以上であって、ＴＭＡ（応力歪み測定）で測定したガラス転移温度が１８０℃以上である透明フィルムからなる電子ディスプレイ用の透明フィルム。 - 特許庁 - A copper flare glass fiber laminated board produced from the varnish composition may achieve high glass transition temperature (TMA=200°C) and low coefficient of thermal expansion (α_1/α_2=30/135 (μm)/(m°C)) and can be used for high performance electronic material.
このワニス組成物から作製された銅張りガラス繊維積層板は、高いガラス転移温度（ＴＭＡ＝２００℃以上）と低熱膨張係数（α_1/α_2=30/135（μm/（m℃）以下）を実現することができ、高機能化電子材料に適用することが可能である。 - 特許庁 - The polyester of the invention is the one which has ethylene terephthalate as the main repeating unit, contains 0.1-500 ppm of fines, and has a rate in dimensional change of 4.0% or less measured by thermomechanical analysis (TMA) for a molding obtained by melt forming the polyester.
主たる繰返し単位がエチレンテレフタレートであるポリエステルであって、ファインを０．１〜５００ｐｐｍ含有し、該ポリエステルを溶融成形して得た成形体を熱機械分析（ＴＭＡ）により測定した寸法変化率が４．０％以下であることを特徴とするポリエステル。 - 特許庁 - To provide an image forming method with which unevenness in toner attaching amount (TMA) and image unevenness such as unevenness in gloss and unevenness in color difference are reduced, and a high image quality/high grade color image stably having a wide color reproduction range with no unevenness in gloss and coloring of an image can be formed.
トナーのり量のむら、光沢むら、及び色差むら等の画像むらを低減し、画像の光沢や発色の不均一がなく、安定して広色再現範囲を有する高画質・高品位のカラー画像を形成できる画像形成方法を提供する。 - 特許庁 - In this automatic performance system, tempo data TPa, TPc or time data TMa, TMc are pre-stored respectively in respective song data DAi and style data DCj (i=1-n, j=1-m), style data DCj in which the tempo data or the time data match the song data are simultaneously reproduced.
この自動演奏システムでは、各ソング及びスタイルデータＤＡｉ；ＤＣｊ（ｉ＝１〜ｎ，ｊ＝１〜ｍ）中に夫々テンポ又は拍子データＴＰａ，ＴＭａ；ＴＰｃ，ＴＭｃを記憶しておき、テンポ又は拍子データがソングデータＤＡｉとマッチするスタイルデータＤＣｊを同時に再生する。 - 特許庁 - Growth is discontinued before the supply of raw material is switched from InGaAs to GaInP, to be terminated at group III atom covering arsenic atom remaining in the surface of InGaAs crystal and trimethyl aluminum TMA alone is supplied.
ＩｎＧａＡｓ結晶の表面に残留している砒素原子を覆って III族原子で終端させるために、ＩｎＧａＡｓからＧａＩｎＰに原料の供給を切り替える前に成長中断を行い、トリメチルアルミニウムＴＭＡだけを供給するものである。 - 特許庁
