「TSV」を含む例文一覧(60)
1 2 次へ＞- To provide a through silicon via (TSV) wire bonding structure.
スルーシリコンビア（TSV）ワイヤボンド構造を提供する。 - 特許庁 - A through-silicon via (TSV), which passes through the semiconductor substrate, has a rear end extending to the rear side of the semiconductor substrate.
シリコン貫通ビア（TSV）は半導体基板を貫通し、TSVは、半導体基板の後面に延伸する後端を有する。 - 特許庁 - A redistribution line (RDL), which is formed at the rear side of the semiconductor substrate, is connected at the rear end of the TSV.
再配線（RDL）は半導体基板の後面に形成されて、TSVの後端に接続される。 - 特許庁 - Could you please send me the file in tsv format? Convert it into ods fiest and then to csv format.
tsv形式でファイルを送ってくれませんか？ods形式に、さらにcsv形式に変換します。 - Weblio Email例文集 - A terminal is formed on the surface opposite to the second substrate to be electrically connected to the TSV.
第二基板の反対の表面上に端子が形成され、TSVに電気的に接続される。 - 特許庁 - A conductor material is accumulated in the TSV hole part so as to generate TSV interconnection 10.
ＴＳＶ相互接続１０を生成するためにＴＳＶ穴部に導体材料を堆積する。 - 特許庁 - A conductive through-silicon via (TSV) penetrates the second substrate to be electrically connected to the uppermost conductive layer.
導電性スルーシリコンビア（TSV）は第二基板を貫通し、頂部導電層と電気的接続を有する。 - 特許庁 - The through silicon via (TSV) structure for an integrated circuit (IC) is provided.
集積回路(IC)のスルーシリコンビア構造が提供される。 - 特許庁 - FORMATION OF THROUGH-SILICON VIA (TSV) IN SILICON SUBSTRATE
シリコンボードにおけるシリコン貫通配線（ＴＳＶ）の形成 - 特許庁 - First sub-set bonding pads in a plurality of bonding pads are electrically connected to the circuit on the top surface via the through silicon via (TSV).
複数のボンディングパッド中の第一サブセットボンディングパッドは、スルーシリコンビア(TSV)により、上面上の回路に電気的に結合される。 - 特許庁 - Next, an island region is formed in a region forming a TSV structure.
次に、ＴＳＶ構造となる領域にアイランド領域を形成する。 - 特許庁 - Neither the STI opening, the partial TSV opening, nor the extended partial TSV opening penetrates through an outer surface on the second side of the substrate.
ＳＴＩ開口、部分的ＴＳＶ開口、または延長された部分的ＴＳＶ開口のいずれも、基板の第２の側の外面を貫通しない。 - 特許庁 - At least either: the STI opening and the partial TSV opening are formed simultaneously, or, the STI opening and the extended partial TSV opening are filled simultaneously.
少なくとも、ＳＴＩ開口および部分的ＴＳＶ開口は同時に形成され、またはＳＴＩ開口および延長された部分的ＴＳＶ開口は同時に充填される。 - 特許庁 - POLISHING COMPOSITION FOR POLISHING THROUGH-SILICON VIA (TSV) WAFERS AND USAGE OF THE SAME
シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ウエハの研磨用研磨組成物およびその使用方法 - 特許庁 - To provide TSV (Through Silicon Via) chip stack package in which a chip is easily selected even during element operation.
素子動作中にもチップ選択が容易なＴＳＶチップスタックパッケージを提供する。 - 特許庁 - The extended partial TSV opening is deeper into the substrate than the STI opening.
延長された部分的ＴＳＶ開口は、ＳＴＩ開口より基板内への深さが深い。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR WAFER TSV-PROCESSING FILM, AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER USING THE FILM
半導体ウエハＴＳＶ加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 - 特許庁 - ESTIMATION OF PRESENCE OF VOID IN THROUGH SILICON VIA (TSV) BASED ON ULTRASOUND SCANNING
超音波スキャンに基づくシリコン貫通配線（ＴＳＶ）におけるボイドの存在の推定 - 特許庁 - To provide a testing device capable of testing a semiconductor device including a TSV, and a testing method.
ＴＳＶを備える半導体デバイスを試験可能な試験装置、試験方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a system and method for manufacturing a semiconductor die connection using through-silicon vias (TSVs).
シリコン貫通ビア（TSV)を用いて半導体ダイ接続部を作製するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁 - ADHESIVE COMPOSITION, ADHESIVE TAPE, METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR PRODUCING TSV WAFER
接着剤組成物、接着テープ、半導体ウエハの処理方法、及び、ＴＳＶウエハの製造方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for easily, reliably, and precisely performing alignment at stacking when manufacturing an electronic device by applying a TSV technique, and to provide a substrate, a laminate, and an electronic device therefor.
TSV技術を適用して電子デバイスを製造に当たり、積層時位置合せを、簡単、かつ、確実に、しかも高精度で実行し得る製造方法、そのための基板、積層体及び電子デバイスを提供する。 - 特許庁 - Then, a back contact with the TSV is formed through the window region formed in a buried oxide layer.
そして、埋め込み酸化層に形成された窓領域を介して、ＴＳＶとのバックコンタクトを形成する。 - 特許庁 - The first semiconductor chip includes a plurality of first through electrodes (TSV) 34 and has a first thickness.
第１半導体チップは複数の第１貫通電極（ＴＳＶ）３４を備えて第１厚さを有する。 - 特許庁 - A substrate having a first principal surface S1 is provided, and at least one TSV hole part and a trench-like structure 3 surrounding the TSV hole part and separated by the rest of a substrate material are simultaneously made by etching.
第１の主面Ｓ１を有する基板を設け、少なくとも一つのＴＳＶ穴部と、ＴＳＶ穴部を囲み残りの基板材料によって分離されるトレンチ状構造３、とをエッチングにより同時に作製する。 - 特許庁 - While switching a TSV 14 to be inspected in order, a controller 34 causes a first output buffer BUF1 connected to the TSV 14 to be inspected to output a voltage of a first level and causes a second output buffer BUF2 connected to that TSV 14 to output a voltage of a second level different from the first level.
コントローラ３４は、検査対象のＴＳＶ１４を順に切りかえながら、検査対象のＴＳＶ１４に接続される第１出力バッファＢＵＦ１に第１レベルの電圧を出力させるとともに、そのＴＳＶ１４に接続される第２出力バッファＢＵＦ２に、第１レベルと異なる第２レベルの電圧を出力させる。 - 特許庁 - The power distribution network includes a plurality of power through-silicon vias (TSVs) penetrating the substrate, wherein the plurality of power TSVs forms a grid; and a plurality of metal lines in a bottom metallization layer (M1), wherein the plurality of metal lines couples the plurality of power TSVs to integrated circuit devices on the substrate.
配電回路網は、基板を貫通し、グリッドを形成する複数の電力スルーシリコンビア（TSV）と、底部金属化層（M１）中に位置し、複数の電力TSVを、基板上の集積回路装置に結合する複数の金属線とを含む。 - 特許庁 - To provide a polishing composition for polishing Through-Silicon Vias (TSVs), and a method of polishing TSV wafers using the same.
シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）研磨用の研磨組成物およびそれを用いたＴＳＶウエハの研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an integrated circuit structure having an interconnect structure in which the backside of a wafer is connected to a through-substrate via (TSV).
導電ビア（ＴＳＶ）に接続されるウェハ背部の相互接続構造を有する集積回路構造を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for analyzing a heat image for defects such as a void in a via like TSV.
ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a Through Silicon Via (TSV) interconnection structure reducing a bad influence on characteristics of an adjacent device.
隣接デバイスの特性への悪影響を低減するＴＳＶ相互接続構造の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the temperature of the canned body before burning rises up to a MAX temperature after burning (YES in S13), the inner pressure of the hot water supply circuit is determined to rise a preset amount and a water resupply solenoid valve opens a minimum time TSV for releasing a hot water equivalent to thermal expansion to the expansion tank to make the inner pressure open (S14).
燃焼前から燃焼後の缶体温度の昇温度がMAX昇温度に到達すれば（S13でYES）、給湯回路内の内圧が所定量上昇していると判定して補水電磁弁を微小時間Tsvだけ開き、熱膨張分の湯水を膨張タンクに放出して内圧を開放させる（S14）。 - 特許庁 - A method of manufacturing an IC comprises the steps of: preparing a substrate having a first side and a second opposite side; forming an STI opening on the first side of the substrate; forming a partial TSV opening on the first side of the substrate; and extending the partial TSV opening.
ＩＣを製造する方法は、第１の側、および第２の対向する側を有する基板を用意すること、基板の第１の側にＳＴＩ開口を形成すること、および基板の第１の側に部分的ＴＳＶ開口を形成すること、および部分的ＴＳＶ開口を延長することを含む。 - 特許庁 - To reliably join bumps to each other by low pressure without application of excessive pressure when laminating an SOI (silicon on insulator) substrate having TSV (through silicon via).
ＴＳＶを有するＳＯＩ基板を積層する場合に余分な圧力を加えることなく、少ない圧力で確実にバンプ間を接合する。 - 特許庁 - A semiconductor device includes a plurality of chips to which a plurality of I/O terminals DQ0 to DQ31 are commonly connected via TSV.
半導体装置は、複数のＩ／Ｏ端子ＤＱ０〜ＤＱ３１がそれぞれＴＳＶを介して共通に接続された複数のチップを含む。 - 特許庁 - To detect a short circuit failure on a current path line including TSV without providing, on a core chip side, a circuit for performing inversion processing of a logical value.
論理値の反転処理を行う回路をコアチップ側に設けることなく、ＴＳＶを含む電流パスラインのショート不良を検出する。 - 特許庁 - The stacked semiconductor memory device comprises a plurality of memory chips that are stacked on a processor chip; a plurality of penetration electrodes (TSV); and an input/output buffer.
積層半導体メモリ装置は、プロセッサチップの上部に積層された複数のメモリチップ、複数の貫通電極（ＴＳＶ）及び入出力バッファを含む。 - 特許庁 - Thus, the electronic circuit board 110 and the electronic circuit chip 120 are able to more strongly communicate with each other by radio than a conventional wireless TSV.
このため、従来のワイヤレスＴＳＶなどに比較して、電子回路基板１１０と電子回路チップ１２０とが強力に無線通信することができる。 - 特許庁 - The integrated circuit structure comprises a first die 10 including a TSV (Through Silicon Via), a second die 20 that is bonded on the first die 10 with the first die 10 having a surface facing the second die 20, and a molding compound 24 material a part of which is located on the first die 10 and the second die 20.
集積回路構造は、TSV（スルーシリコンビア）を含む第１のダイ１０と、第１のダイ１０上に接合される第２のダイ２０であって、第１のダイ１０が、第２のダイ２０に対面する表面を有する第２のダイ２０と、一部が第１のダイ１０と第２のダイ２０上に位置する成形合成物２４材料と、からなる。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of: filling the STI opening with a first solid material; and filling the extended partial TSV opening with a second solid material.
方法はまた、ＳＴＩ開口を第１の固体材料で充填すること、および延長された部分的ＴＳＶ開口を第２の固体材料で充填することを含む。 - 特許庁 - Accordingly, the electronic circuit board 100 and the electronic circuit chip 200 properly radio-communicate with each other by a simpler structure than the conventional wireless TSV.
このため、従来のワイヤレスＴＳＶなどに比較して、電子回路基板１００と電子回路チップ２００とが簡単な構造で良好に無線通信することができる。 - 特許庁 - To provide an electronic circuit device that enables an electrical circuit board and an electronic circuit chip to more strongly communicate with each other by radio than a conventional wireless TSV or the like.
従来のワイヤレスＴＳＶなどに比較して、電子回路基板と電子回路チップとが強力に無線通信することができる電子回路装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic circuit device allowing an electronic circuit chip and an electronic circuit board to properly radio-communicate with each other by a simpler structure than a conventional wireless TSV (Through-Silicon Via).
従来のワイヤレスＴＳＶなどに比較して、電子回路チップと電子回路基板とが簡単な構造で良好に無線通信することができる電子回路装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method of performing film deposition with excellent coatability on a processing object on which a TSV (Through Silicon Via) hole H having ≥1 mμ opening diameter and high aspect ratio is patterned.
１μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - This polishing composition can be used to simultaneously polish Si and conductive materials and significantly save the necessary working-hour costs for polishing TSV wafers.
この研磨組成物を用いることによって、シリコンと導電材料を同時に研磨することができ、ＴＳＶウエハの研磨に必要な作業時間費用を有意に節約することができる。 - 特許庁 - Each of the second semiconductor chips includes a plurality of second through electrodes (TSV) 33, has a second thickness smaller than the first thickness, and is stacked above the first semiconductor chip.
第２半導体チップのそれぞれは複数の第２貫通電極（ＴＳＶ）３３を備え、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有し、前記第１半導体チップの上部に積層される。 - 特許庁 - A semiconductor integrated device 10 includes a plurality of core chips CC0 to CC7, and an interface chip IF for controlling the core chips CC0 to CC7, and each of the core chips CC0 to CC7 and the interface chips CC0 to CC7 includes a plurality of through-electrodes TSV put through the semiconductor substrate and a plurality of pads P0 to P3 connected to the through-electrodes TSV.
半導体装置１０は、複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦとを備えており、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７及びインターフェースチップＣＣ０〜ＣＣ７の各々は、半導体基板を貫通する複数の貫通電極ＴＳＶと、貫通電極ＴＳＶとそれぞれ接続される複数のパッドＰ０〜Ｐ３とを備えている。 - 特許庁 - Further, more dense TSV metal wiring can be formed using charged metal particles as compared with a dry filling system using metal paste containing many resin components in conventional technique.
また、従来技術の樹脂成分が多く含まれているメタルペーストを用いる乾式充填方式と比較すると、荷電された金属粒子を用いることで、より密なＴＳＶ金属配線を形成できる。 - 特許庁 - The plurality of through-electrodes TSV respectively include the through-electrode of the power supply system to which the power supply potential or the ground potential is supplied and the through-electrode of the signal system to which various signals are supplied.
複数の貫通電極ＴＳＶは、電源電位又は接地電位が供給される電源系の貫通電極と、各種信号が供給される信号系の貫通電極を含んでいる。 - 特許庁 - To enhance processing speed, film deposition rate and film quality by increasing heat transfer efficiency of a supporting glass of a thinned Si substrate for the through silicon via hole (TSV) processing.
ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。 - 特許庁
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