「Tetragonal」を含む例文一覧(221)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- To provide a piezoelectric material adaptable to a piezoelectric product such as a laminated piezoelectric actuator or a laminated piezoelectric transformer and having a composition in the vicinity of a morphotropic phase boundary between a tetragonal phase and a rhombohedral phase of a lead titanate zirconate-based piezoelectric material and a method of manufacturing the same.
本発明は、積層圧電アクチュエータや積層圧電トランス等の圧電製品に適応できるチタン酸ジルコン酸鉛系圧電材料の正方晶（Tetragonal）相と菱面体晶（Rhombohedral）相とのモルフォトロピック相境界近傍組成の圧電材料およびその製造方法に関するものである。 - 特許庁 - The tetragonal zirconia powder has a crystallite diameter of 20 nm or less, a specific surface area of 6-20 m^2/g and an average secondary particle size of 0.1-0.8 μm.
結晶子径が２０ｎｍ以下、比表面積が６〜２０ｍ^２／ｇ、平均二次粒子径が０．１〜０．８μｍである正方晶ジルコニア粉末。 - 特許庁 - Grid structure of photonic crystal 20 is tetragonal lattice or rectangular lattice, and has translation symmetry although it has not rotation symmetry.
フォトニック結晶２０の格子構造は正方格子又は直交格子であり、並進対称性を備えるが回転対称性を備えていない。 - 特許庁 - Zirconia, rare-earth metal oxide and titania are present in the coating film material in amounts realizing mainly a tetragonal crystal structure.
ジルコニア、希土類金属酸化物及びチタニアは、主に正方晶系相結晶構造を実現する量で被覆膜材料中に存在する。 - 特許庁 - The value of x to become the morphotropic phase boundary is determined from analysis of entire energy of a tetragonal crystal, a monoclinic crystal, and a rhombic crystal by a first principle calculation.
組成相境界となるｘの値は、第一原理計算による正方晶、単斜晶、菱面体晶の全エネルギー解析から決定できる。 - 特許庁 - A plurality of cells of tetragonal shape are arranged in a matrix which are arranged with long light emitting device to each side, diagonal line, and central line on a transparent glass plate.
透明ガラス上に長尺の発光素子を各辺と対角線および中心線に配置した四辺形状のセルを複数マトリクス状に配列する。 - 特許庁 - The fluorescent material is a red light fluorescent material when having a structure of a tetragonal system, and is a green light fluorescent material when having a structure of a hexagonal system.
蛍光材料が正方晶系の構造である場合、赤光蛍光材料であり、六方晶系の構造である場合、緑光蛍光材料である。 - 特許庁 - The crystals are pseudo-cubic or mixed crystals of two crystalline systems, selected from a pseudo-cubic system, a rhombohedral system, and a tetragonal system.
前記結晶は疑似立方晶系であるか、又は疑似立方晶系、菱面体晶系若しくは正方晶系のうち少なくとも二つの混在である。 - 特許庁 - The alumina-zirconia composite sintered compact includes α-alumina, Si-containing α-alumina, strontium aluminate, tetragonal zirconia and monoclinic zirconia.
α−アルミナ、Ｓｉ含有α−アルミナ、ストロンチウムアルミネート、正方晶ジルコニア、および単斜晶ジルコニアを含むことを特徴とするアルミナ−ジルコニア複合焼結体。 - 特許庁 - In an indium metal target having a tetragonal crystal structure, the sputtering surface of the target is mainly oriented in the (101) plane.
結晶構造が正方晶であるインジウムメタルターゲットであって、該ターゲットのスパッタ面が１０１が主配向であることを特徴とするインジウムメタルターゲット。 - 特許庁 - Further, the raw material powder of Zr preferably contains the oxide of Zr having a tetragonal structure at the ratio of 10-60%.
また、Ｚｒの原料粉末には、さらに正方晶構造を有するＺｒの酸化物が１０〜６０％の割合で含まれることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method for producing a rare earth alloy in which the main constituting phase is a tetragonal Nd_2Fe_14B compound phase by a molten salt electrolytic technique.
主たる構成相が正方晶Ｎｄ_2Ｆｅ_14Ｂ化合物相である希土類合金を溶融塩電解技術によって製造する方法を提供する。 - 特許庁 - As a result, the ferroelectric material containing Bi, Fe and O as structural elements and having a tetragonal or orthorhombic crystal lattice is obtained.
これにより、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料が得られる。 - 特許庁 - The magnetic cluster is so constituted as to have a molecular formula: (CoC_2)_x (X is a natural number) that expresses a (CoC_2)_4 tetragonal structural skeleton containing a Co-C_2-Co binding.
Co-C_2-Co結合を有する(CoC_2)_４正方晶形骨格構造を呈する(CoC_2)__x（Xは自然数）なる分子式を有するように磁気クラスターを構成する。 - 特許庁 - The titanium-based compound oxide powder having a tetragonal crystal form with excellent dielectric properties, and also having the average particle diameter of ≤0.2 μm is produced.
結晶型が誘電特性に優れた正方晶であり、且つ平均粒径が０．２μｍ以下であるチタン系複合酸化物粉末が製造される。 - 特許庁 - The thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal can be used as a piezoelectric element for a piezoelectric actuator of an electronic device, especially a piezoelectric actuator for a medical instrument.
この正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜は、圧電素子として電子デバイスの圧電アクチュエータ、特に医療機器用圧電アクチュエータとして使用できる。 - 特許庁 - The composition of the optical lens is a transparent composite body in which particles of tetragonal zirconia with a dispersion particle diameter of 1 to 20nm are dispersed in a resin.
光学レンズ用組成物は、分散粒径が１ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下の正方晶ジルコニア粒子を樹脂中に分散した透明複合体である。 - 特許庁 - The transparent zirconia dispersion liquid contains tetragonal zirconia particles having a dispersed particle diameter of ≥1 nm and ≤20 nm and a dispersion medium.
本発明のジルコニア透明分散液は、分散粒径が１ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下の正方晶ジルコニア粒子と、分散媒とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The diffraction lattice 13 made of a tetragonal lattice having lattice constant "d" is arranged on an interface between a first electrode and a light emission layer 14 made of organic material.
第１の電極１２と有機物からなる発光層１４との界面に、格子定数ｄの正方格子からなる回折格子１３を設ける。 - 特許庁 - In a fully charged condition, a positive electrode active material contains lithium manganate (Li_2Mn_2O_4) in which a crystal system(crystal structure) is a tetragonal system as a basic skeleton.
正極活物質は、満放電状態において基本骨格として結晶系（結晶構造）が正方晶系のマンガン酸リチウム（Ｌｉ_2 Ｍｎ_2 Ｏ_4 ）を含む。 - 特許庁 - There is provided the piezoelectric thin film made of perovskite metal oxide, such that the crystal system of the perovskite metal oxide is a mixed system having at least the rhombohedral structure and tetragonal structure, and the ratio of an (a)-axial length and a (c)-axial length of the tetragonal structure satisfies 1.15≤c/a≤1.30.
ペロブスカイト型金属酸化物よりなる圧電薄膜であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物の結晶系が少なくとも菱面体晶構造と正方晶構造を有する混在系であり、かつ前記正方晶構造のａ軸長とｃ軸長の比が１．１５≦ｃ／ａ≦１．３０である圧電薄膜。 - 特許庁 - Through holes are connected respectively with two slantly adjacent pads among those arranged in a tetragonal lattice on the semiconductor mounting substrate having the pads arranged in the tetragonal lattice, and a through hole is further disposed between the through holes connected with the two slantly adjacent pads.
正方格子状にパッドが配置されている半導体実装基板の、当該正方格子状に配置されているパッドの内の斜めに隣接する２つのパッドのそれぞれにスルーホールを接続し、当該斜めに隣接する２つのパッドのそれぞれに接続されているスルーホールの間に、さらにスルーホールを配置する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the piezoelectric material having the composition in the vicinity of the morphotropic phase boundary, the piezoelectric material having excellent piezoelectric characteristics is obtained by analyzing a piezoelectric material using an X-ray diffraction-Rietveld analysis to identify a ceramic crystal phase after sintering as a mixed crystal of the tetragonal phase with the rhombohedral phase.
モルフォトロピック相境界近傍組成の圧電材料の製造方法において、Ｘ線回折−リートベルト解析法を用いて解析を行い、焼結後のセラミックス結晶相を正方晶（Tetragonal）相と菱面体晶（Rhombohedral）相との混晶であることを同定することにより、圧電特性に優れた圧電材料を提供する。 - 特許庁 - This tetragonal BiCoO_3 can be produced by mixing Bi_2O_3 and a Co oxide so that the ratio of Bi to Co becomes 1:1 and reacting the resulting mixture at 1,000-1,300°C under pressure of 3-10 GPa.
この正方晶BiCoO_3は、BiとCoの比が1:1となるようにBi_2O_3とCo酸化物を混合し、温度が1000℃〜1300℃、圧力が3GPa〜10GPaの条件で反応させることにより製造することができる。 - 特許庁 - When in the tetragonal form, the piezoelectric ceramics has a lattice constant ratio c/a of 1.017 to 1.023, and the half-width of an X-rays diffraction strength at (101) surface of 0.1° to 0.3°.
その正方晶においては、格子定数比ｃ／ａが１．０１７〜１．０２３であり、かつ（１０１）面のＸ線回折強度の半値幅が０．１°〜０．３°である。 - 特許庁 - The piezoelectric thin film 30 comprises a PZT film of (001) orientation in the tetragonal system the [001] direction of which is oriented in the thickness direction of the piezoelectric thin film 30.
圧電薄膜３０は、正方晶系で〔００１〕方向が当該圧電薄膜３０の厚み方向に配向した（００１）配向のＰＺＴ膜により構成されている。 - 特許庁 - To provide a functional oxide structure having a functional oxide film in (001) single orientation having a tetragonal crystalline structure and a film thickness of not less than 500 nm.
正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。 - 特許庁 - Alternately, grid structure of the photonick crystal 20 is tetragonal lattice or rectangular lattice and one out of pl, pm, pg or cm in a classification method of 2-dimensional pattern.
あるいは、フォトニック結晶２０の格子構造は正方格子又は直交格子であり、２次元文様の分類方法でｐ１、ｐｍ、ｐｇ又はｃｍのいずれかである。 - 特許庁 - To provide spherical barium titanate particulate powder having 0.05-0.5 μm average particle diameter, a fine tetragonal system and a Ba to Ti ratio of 0.99-1.01.
本発明は、平均粒子径が０．０５〜０．５μｍの微細な正方晶であって、Ｂａ／Ｔｉ比が０．９９〜１．０１である球状チタン酸バリウム粒子粉末を提供する。 - 特許庁 - Preferably, the ceramic heat-shielding layer 4 comprises a stabilizer, is composed of ZrO_2 mainly consisting of tetragonal crystals, and comprises 0.05 to 3mol% La as well.
また、上記セラミック遮熱層４が、安定化剤を含有し、主に正方晶から成るＺｒＯ_２で構成され、さらに０．０５〜３ｍｏｌ％のＬａを含有することが好ましい。 - 特許庁 - The solid acid catalyst preferably used comprises one of which the zirconia part contains a tetragonal crystal zirconia, the alumina part contains γ-alumina, and the platinum-group metal component is crystallized.
好ましくは、ジルコニア部分が正方晶ジルコニアを含み、アルミナ部分がγ−アルミナを含み、かつ、白金族金属成分が結晶化している固体酸触媒を用いる。 - 特許庁 - The amount of titania in the coating film is adjusted so that a tetragonal phase is maintained, i.e. a cubic (fluorite-type) phase is avoided, and a higher level of the stabilizer can be achieved.
被覆膜中のチタニアの量は、正方晶系相を維持しつつ、すなわち、立方晶系（蛍石）相を回避しつつ、より高い安定剤のレベルを可能にするように適合される。 - 特許庁 - The iron-based superconducting substance is the one having a tetragonal PbO structure (space group P4/nmm).
＜式１＞Ｆｅ（Ｔｅ_１−ｘＳ_ｘ）_ｙ （０＜ｘ＜１， ０．８＜ｙ＜＝１） 本発明は、鉄系超電導物質において、正方晶のＰｂＯ構造（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）を取ることを特徴とする。 - 特許庁 - The crystalline insulating film formation step includes a phase transition step for causing phase transition of at least a part of the insulating film 330 to the tetragonal system by heating the substrate 200.
結晶性絶縁膜形成工程においては、基板２００を加熱して前記絶縁膜３３０の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。 - 特許庁 - A carbon dioxide methanizing catalyst is obtained by supporting Ni and/or Co on a tetragonal zirconia carrier stabilized by one or more kind of a stabilizing element selected from Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Eu, Mg and Ca.
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｕ，Ｍｇ，Ｃａの１種又は２種以上の安定化元素で安定化された正方晶ジルコニア系担体に、Ｎｉ及び／又はＣｏを担持してなる二酸化炭素メタン化用触媒。 - 特許庁 - This ceramic capacitor is formed of material of tetragonal perovskite BaTiO_3 having a crystal structure in which the ratio c axis : a axis is set at 1.005 to 1.009:1.
そしてこの目的を達成するために、本発明は正方晶ペロブスカイト型ＢａＴｉＯ_3の結晶構造においてｃ軸／ａ軸比の値を１．００５から１．００９にしたものである。 - 特許庁 - The piezoelectric material includes an oxide having a tetragonal crystal structure, and expressed by the formula: Ba(Si_xGe_yTi_z)O_3 (wherein 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤0.5 and x+y+z=1).
正方晶の結晶構造を有する、Ｂａ（Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＴｉ_ｚ）Ｏ_３（ただし０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物からなる圧電材料。 - 特許庁 - To provide a method which can efficiently control the crystal orientation of a perovskite structure oxide thin film and easily provide a high-grade tetragonal perovskite structure oxide thin film.
効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。 - 特許庁 - The ceramic material includes preferably 10 to 12mol% ceria as a stabilizer, a zirconia phase constituted of 90vol% tetragonal zirconia, and an alumina phase.
このセラミック材料は、安定化剤として好ましくは１０〜１２モル％のセリアを含むと共に、９０体積％以上の正方晶ジルコニアで構成されるジルコニア相と、アルミナ相とを含む。 - 特許庁 - By the method, a gallium nitride single crystal comprising only a hexagonal crystal can be grown on the substrate 13, in which tetragonal gallium nitride is not mixed on the interface between the crystal and the substrate 13.
これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 - 特許庁 - The zirconia sintered compact is characterized in that the half-value width of a peak of (111)plane of the tetragonal system in the X-ray diffraction pattern by CuKα ray is 0.38-10°.
ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおける正方晶の（１１１）面のピークの半値幅が０．３８度以上１０度以下であることを特徴とするジルコニア焼結体。 - 特許庁 - This device 1 determines a crystal structure of the ceramics with a perovskite structure formed so that the component is adjusted to be near a phase boundary between tetragonal and rhombohedral systems.
正方晶と菱面体晶との相境界近傍となるように成分調整されて形成されたペロブスカイト構造のセラミックスの、結晶構造を判定する装置１である。 - 特許庁 - The obtained hydrogen storage alloy is a Mg-RE-based alloy, has a tetragonal structure for the crystal structure of the hydride, and has a hydrogen desorption temperature lowered by about 50 K.
それにより、Ｍｇ−ＲＥ系合金であつて、水素化物の結晶構造として正方晶系構造を持つ水素吸蔵合金が得られ、水素放出温度は５０Ｋ程度低下する。 - 特許庁 - The piezoelectric porcelain composition has a tetragonal perovskite crystal structure and has a length of a-axis of the crystal lattice of the perovskite crystal structure within the range of 3.91 to 4.02 Å.
正方晶系のペロブスカイト型結晶構造を有し、ペロブスカイト型結晶構造の結晶格子におけるａ軸の長さが３．９１〜４．０２オングストロームである圧電磁器組成物。 - 特許庁 - The ferroelectrics constituting the ferroelectric capacitor comprises Pb(Nb, Zr, Ti)O_3 [PNZT] of tetragonal having perovskite structure, with 3.5% or less composition ratio (percentage) Nb/(Nb+Zr+Ti).
強誘電体キャパシタを構成する強誘電体がぺロブスカイト構造をもつ正方晶のＰｂ（Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_3 ［ＰＮＺＴ］からなり、組成比（百分率）：Ｎｂ／（Ｎｂ＋Ｚｒ＋Ｔｉ）が３．５％以内であることが基本になっている。 - 特許庁 - To produce a nanoscale yttrium-zirconium compound oxide by thermal decomposition which is characterized in the that the intrinsic tetragonal crystal system is maintained without transformation to the monoclinic system even after being stored for one month.
本来の正方晶が通常の貯蔵の際に１ヶ月後でも単斜晶に転移しない、熱分解により得られた、ナノスケールのイットリウム−ジルコニウム混合酸化物を製造する。 - 特許庁 - The organic-inorganic composite comprises tetragonal zirconia particles having 1-20 nm average dispersed particle size and a hydrophilic resin containing a nitrogen atom at a main or side chain.
平均分散粒径が１ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下の正方晶ジルコニア粒子と、主鎖あるいは側鎖に窒素原子を含有する親水性樹脂とを含有してなる有機無機複合体。 - 特許庁 - To provide a dielectric powder composed of fine crystals and high in tetragonal crystallinity, a method of producing the same, a sintered compact having a high dielectric constant appropriate for lamination, and a condenser using thereof.
微細結晶からなり、かつ正方晶性が高い誘電体粉末及びその製造方法、並びに積層化に適した高誘電率の焼結体及びそれを用いたコンデンサを提供する。 - 特許庁 - As a result, the Zr/Ti composition ratio of the PZT film can be controlled to become equal to a composition ratio near the phase interface of the rhombohedral crystal (R) and the tetragonal crystal (T) in order to improve the piezoelectric characteristic.
その結果、ＰＺＴ膜のＺｒ／Ｔｉ組成比が菱面体晶（Ｒ）と正方晶（Ｔ）の相境界近傍の組成比となるよう制御することができ、圧電特性を向上させることができる。 - 特許庁 - To form a magnetic thin film containing an alloy of a regular phase having a face centered tetragonal based crystalline structure on a substrate through a heat treatment process while preventing the substrate from being damaged by to heat.
熱による下地の損傷を防止しながら、熱処理工程を経て、下地の上に面心正方晶系の結晶構造を有する規則相の合金を含む磁性薄膜を形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
