「Transistor」を含む例文一覧(32728)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 654 655 次へ＞- TRANSISTOR TYPE ALTERNATING CURRENT WELDING POWER SOURCE
トランジスタ式交流溶接電源 - 特許庁 - THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE
薄膜トランジスタおよび表示装置 - 特許庁 - BRAKE TRANSISTOR FAULT DETECTING CIRCUIT
制動トランジスタ故障検出回路 - 特許庁 - Voltage difference between an emitter-collector of a transistor 1 and the one of the transistor 9 is set by voltage difference between a base-emitter of a transistor 21 and the one of a transistor 29.
そして、トランジスタ１及び９のエミッタ−コレクタ間電圧は、トランジスタ２１及び２９のベース−エミッタ間電圧によって設定する。 - 特許庁 - STACKED MOS TRANSISTOR PROTECTIVE CIRCUIT
スタック型ＭＯＳトランジスタ保護回路 - 特許庁 - DRIVE CIRCUIT FOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
電界効果トランジスタのドライブ回路 - 特許庁 - Each stage has an input transistor Tr1, an output transistor Tr2, a clamping transistor Tr3, and a pull-down transistor Tr4.
そして、各ステージが、入力トランジスタＴｒ１と、出力トランジスタＴｒ２と、クランピングトランジスタＴｒ３と、プルダウントランジスタＴｒ４とを有している。 - 特許庁 - A current flowing to a transistor 472b supplied with a current to or from the transistor 472a of a transistor group 521a varies and a transistor 473a of a transistor group 521b constituting a current mirror circuit with the transistor 472b varies.
トランジスタ群５２１ａのトランジスタ４７２ａと電流受け渡しされたトランジスタ４７２ｂに流れる電流が変化し、トランジスタ４７２ｂとカレントミラー回路を構成するトランジスタ群５２１ｂのトランジスタ４７３ａが変化する。 - 特許庁 - SIMULATION METHOD FOR MOS TRANSISTOR
ＭＯＳトランジスタのシミュレーション方法 - 特許庁 - ION RESPONSIVE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
イオン感応性電界効果トランジスタ - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
モストランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - HORIZONTAL OUTPUT TRANSISTOR DRIVING CIRCUIT
水平出力トランジスタ駆動回路 - 特許庁 - ORGANIC TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
有機トランジスタとその製造方法 - 特許庁 - TRANSISTOR ARRAY AND ITS ARRANGEMENT METHOD
トランジスタアレイ及びその配置方法 - 特許庁 - MOVABLE GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
可動ゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁 - BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
バイポーラトランジスタとその製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURE OF MOS-TYPE TRANSISTOR
ＭＯＳ型トランジスタの製造方法 - 特許庁 - CONTROLLER OF POWER MOS TRANSISTOR
パワーＭＯＳトランジスタの制御装置 - 特許庁 - LAMINATED FILM FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
電界効果トランジスタ用積層膜 - 特許庁 - JUNCTION FIELD EFFECT THIN FILM TRANSISTOR
接合電界効果薄膜トランジスタ - 特許庁 - THIN FILM TRANSISTOR AND INDICATING DEVICE
薄膜トランジスタおよび表示装置 - 特許庁 - TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁 - GATE BODY CONTACT THIN FILM TRANSISTOR
ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスター - 特許庁 - A low voltage amplifier is constituted of a base ground transistor 1 which is a first transistor 1 and an emitter ground transistor 2 which is a second transistor.
低電圧増幅器は、第１のトランジスタであるベース接地トランジスタ１と、第２のトランジスタであるエミッタ接地トランジスタ２とにより構成される。 - 特許庁 - ORGANIC THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR
有機薄膜電界効果トランジスター - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING DMOS TRANSISTOR
ＤＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - SPIN TRANSISTOR AND LOGIC CIRCUIT DEVICE
スピントランジスタ及び論理回路装置 - 特許庁 - The transistor M3 constituting a transfer circuit drives the transistor M1, and the transistor M4 drives the transistor M2.
トランスファ回路を構成するＮＭＯＳトランジスタＭ３でＰＭＯＳトランジスタＭ１を駆動し、ＰＭＯＳトランジスタＭ４でＮＭＯＳトランジスタＭ２を駆動する。 - 特許庁 - The source of the transistor Q11 is connected to the collector of the transistor Q12, and the drain of the transistor Q4 is connected to the emitter of the transistor Q12.
トランジスタＱ１１のソースはトランジスタＱ１２のコレクタに接続され、トランジスタＱ４のドレインはトランジスタＱ１２のエミッタに接続されている。 - 特許庁 - TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL
トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル - 特許庁 - HETEROJUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ - 特許庁 - SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
ショットキーゲート電界効果型トランジスタ - 特許庁 - of a transistor, the quality of being bipolar
トランジスターが2極式であること - EDR日英対訳辞書 - METHOD FOR MANUFACTURING FILM TRANSISTOR ARRAY
薄膜トランジスタアレイの製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR FILM AND THIN-FILM TRANSISTOR
半導体膜及び薄膜トランジスタ - 特許庁 - BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
バイポーラトランジスタとその製造方法 - 特許庁 - An auxiliary transistor Q4 becomes nonconductive, and a main transistor Q2 becomes conductive.
補助トランジスタＱ４が非導通となり主トランジスタＱ２が導通する。 - 特許庁 - TRANSISTOR, ELECTRONIC CIRCUIT, METHOD FOR OPERATING TRANSISTOR, AND METHOD FOR USING ELECTRONIC APPARATUS
トランジスタ、電子回路、トランジスタ動作方法、及び電子機器使用方法 - 特許庁 - A fifth bipolar transistor Q5 is a transistor for amplifying the differential output.
第５バイポーラトランジスタＱ５は、差動出力を増幅するトランジスタである。 - 特許庁 - Further, the comparator is provided with a third transistor (M3) and to a fourth transistor (M4).
更に第３のトランジスタ（Ｍ３）と第４のトランジスタ（Ｍ４）とを備える。 - 特許庁 - An NMOS transistor 17 is turned on/off on the basis of the source voltage of the NMOS transistor 12.
このソース電圧に基づき、ＮＭＯＳトランジスタ１７は、オンオフする。 - 特許庁 - Then the transistor Q2 is turned off, and as a result the transistor Q1 is also turned off.
するとトランジスタＱ２もオフし、その結果トランジスタＱ１もオフする。 - 特許庁 - A depression transistor is used as the NMOS transistor MN_9.
ＮＭＯＳトランジスタＭＮ_９としてディプレッショントランジスタが使用されている。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor having high and stable transistor characteristics.
高く安定したトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁 - The gate of the replica transistor 23 is connected to a discharge transistor 24.
レプリカトランジスタ２３のゲートはディスチャージトランジスタ２４に接続されている。 - 特許庁 - EPITAXIAL WAFER FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁 - EPITAXIAL WAFER FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁 - A gate of the fifth transistor is connected to a drain of the fifth transistor.
第５トランジスタのゲートは、第５トランジスタのドレインに接続されている。 - 特許庁 - THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
薄膜トランジスタ基板、および薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイス - 特許庁 - To provide a heterojunction bipolar transistor, and to provide a method of manufacturing the heterojunction bipolar transistor.
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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