An earth selecting transistor, a string selecting transistor, and a cell transistor are positioned in the cell region. セル領域に接地選択トランジスター、ストリング選択トランジスター及びセルトランジスターが位置する。 - 特許庁
ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
INSULATOR GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁
The column further includes a first transistor and a second transistor. その列は、第1のトランジスタと第2のトランジスタをさらに備える。 - 特許庁
The pull-down transistor has more fins than the pass-gate transistor. プルダウントランジスタは、パスゲートトランジスタより多いフィンを有する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR ELEMENT トランジスタ素子の製造方法 - 特許庁
TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE トランジスタ、トランジスタの製造方法及び平板表示装置 - 特許庁
SPIN TRANSISTOR AND MAGNETIC DEVICE スピントランジスタおよび磁気デバイス - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY, AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY 薄膜トランジスタアレイの製造方法、及び薄膜トランジスタアレイ - 特許庁
INSULATION GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁
CHANNEL ETCH TYPE THIN FILM TRANSISTOR チャネルエッチ型薄膜トランジスタ - 特許庁
FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR フィン型電界効果トランジスタ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING TUNNEL TRANSISTOR トンネルトランジスタの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR CORRECTING TRANSISTOR CHARACTERISTICS AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTOR トランジスタ特性の補正方法およびトランジスタの製造方法 - 特許庁
The gate length of a transistor QP2 is designed shorter than that of the transistor QP1, then the transistor QP2 is turned off after the transistor QP1 is turned off in the case of the rising of the input voltage Vin. QP2はゲート長をQP1より短くすることで、Vin上昇時にQP1より後にオフする。 - 特許庁
POLYMER FIELD EFFECT TRANSISTOR 高分子電界効果トランジスタ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR DEVICE 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ装置 - 特許庁
BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR バイポーラトランジスタとその製法 - 特許庁
The first transistor and second transistor have the same conductivity type. 第1及び第2のトランジスタは同一の導電型である。 - 特許庁
TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR, ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS トランジスタ、トランジスタの製造方法、電子デバイスおよび電子機器 - 特許庁
MOS TRANSISTOR AND MOS TRANSISTOR CIRCUIT USING THE SAME MOSトランジスタ及びこれを用いたMOSトランジスタ回路 - 特許庁
MOS TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE USING THE MOS TRANSISTOR MOSトランジスタおよび該MOSトランジスタを用いた電子装置 - 特許庁
ELECTRODE FOR ORGANIC TRANSISTOR, ORGANIC TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE 有機トランジスタ用電極、有機トランジスタ、及び半導体装置、 - 特許庁