「Trenches」を含む例文一覧(1012)

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  • dig trenches
    ざんごうを掘る. - 研究社 新英和中辞典
  • cut trenches
    排水溝を彫る - 日本語WordNet
  • to dig trenches―entrench oneself―dig oneself in―sap
    塹濠を掘る - 斎藤和英大辞典
  • someone who digs trenches
    塹壕を掘る人 - 日本語WordNet
  • to open the trenches
    塹濠を掘り始める - 斎藤和英大辞典
  • dig trenches for drainage
    排水用の堀を掘る. - 研究社 新英和中辞典
  • fortify by surrounding with trenches
    堀で囲まれて強化する - 日本語WordNet
  • Fought each other in the trenches
    塹壕の中で戦い合い - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • to mount the trenches
    塹濠に入って番兵をする - 斎藤和英大辞典
  • We need to see deep trenches, the undersea mountains
    深い海溝や海山も - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • dig a trench or trenches
    溝または複数の溝を掘る - 日本語WordNet
  • He fought in the trenches.
    彼は塹壕の中で戦った. - 研究社 新英和中辞典
  • When the trenches are formed by etching, projection parts 70 are left inside the trenches.
    溝５０をエッチングして形成する際に、その内側に凸部７０を残す。 - 特許庁
  • Annular buffer trenches 30 are provided to be located adjacently to gate trenches 23 in the longitudinal direction of the gate trenches 23 and separated from the gate trenches 23.
    ゲートトレンチ２３の長手方向において、ゲートトレンチ２３の隣に配置されると共にゲートトレンチ２３と分離された環状のバッファートレンチ３０を設ける。 - 特許庁
  • SHAPES OF SCRIBE TRENCHES FOR PIEZOELECTRIC BASE MATERIAL
    圧電母材のスクライブ溝の形状 - 特許庁
  • The second trenches are formed in the first trenches, have bottom surfaces lower than those of the first trenches, and have widths narrower than those of the first trenches.
    第２のトレンチは、第１のトレンチ内に形成され、第１のトレンチの底面よりも低い底面を有し、第１のトレンチの幅よりも狭い幅を有する。 - 特許庁
  • The wiring board 30 includes trenches (such as, trenches 32 to trenches 34) formed along at least parts of the electrodes.
    配線基板３０は、電極の少なくとも一部に沿って設けられる溝部（溝部３２〜溝部３４など）を有する。 - 特許庁
  • Trenches 32 are formed in its surface portion.
    その表面にトレンチ３２を形成する。 - 特許庁
  • Consequently, the widths of the trenches 4 become narrower.
    これにより、トレンチ４の幅が狭くなる。 - 特許庁
  • Finally, ejection trenches 21 and non-ejection trenches 22 are cut and electrodes 26a, 26b are formed on the side wall 24 between the trenches.
    そして、噴射溝２１および非噴射溝２２を切削加工し、溝間の側壁２４に電極２６ａ，２６ｂを形成する。 - 特許庁
  • These trenches are formed by etching.
    このような溝は、エッチングにより形成される。 - 特許庁
  • As its remains, horizontal trenches are dug on the slopes of the mountain, and mud walls exist outside these trenches.
    遺構としては山腹に横堀が掘られており、堀の外側土塁が積みあがっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • rows of barbed wire protected the trenches
    何列もの有刺鉄線が塹壕を守っていた - 日本語WordNet
  • The respective trenches have sidewalls and bottom walls.
    各々のトレンチは側壁及び底壁を有する。 - 特許庁
  • Trenches 50 are formed on a semiconductor substrate 10.
    半導体基板１０にトレンチ５０を形成する。 - 特許庁
  • Annie, this is becca, my friend from work. we are in the trenches together.
    職場の友人 ベッカよ いつも一緒なの - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • In order to clean the trenches, an oxide layer is formed in the inner wall of the plurality of trenches, and the oxide layer is removed from the inner wall of the plurality of trenches.
    トレンチをクリーニングするため、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成し、そして複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去する。 - 特許庁
  • A dielectric material 38 is deposited in the trenches and the dielectric material is deposited on each of the exposed first sidewall parts within the trenches and the barrier layers within the trenches.
    トレンチ内には誘電体材料３８を堆積し、トレンチ内の露出された第１側壁部とバリヤー層それぞれに誘電体材料を堆積させる。 - 特許庁
  • A trench wiring 6 is embedded in wiring trenches 3.
    配線溝３の内部に溝配線６を埋め込む。 - 特許庁
  • Thereafter, isolation trenches (6) are formed by laser processing.
    さらにレーザ加工により、分離溝(６)を作成する。 - 特許庁
  • A conductor 20 is formed within the trenches.
    そのトレンチ内には導体２０が形成されている。 - 特許庁
  • a hand shovel carried by infantrymen for digging trenches
    溝を掘るために歩兵によって運ばれた手シャベル - 日本語WordNet
  • The gate trenches 21 are formed like a stripe and the termination trenches 62 are formed concentrically.
    さらに，ゲートトレンチ２１はストライプ形状に，終端トレンチ６２は同心円状にそれぞれ形成されている。 - 特許庁
  • Trenches are formed to the semiconductor substrate, and capacitors with storage electrodes are formed to the lower sections of the trenches.
    半導体基板にトレンチを形成し、蓄積電極を有するキャパシタを前記トレンチの下部に形成する。 - 特許庁
  • Then, trenches 2 are formed, and a filling material is formed on the semiconductor wafer including the inside of the trenches 2.
    そして、トレンチ２を形成し、トレンチ２の内部を含む半導体ウェハ１上に埋込材を形成する。 - 特許庁
  • The enemy retired from the field to the trenches.
    敵は戦場から塹壕(ざんごう)まで後退した. - 研究社 新英和中辞典
  • A plurality of parallel trenches and regions between the trenches are formed in a substrate, a conductive resin is then supplied to the trenches and regions and immobilized thus forming an electrode which fills the trenches and covers the regions.
    基板に、複数の平行な溝部及び該溝部に挟まれる領域を形成し、該溝部及び該領域に導電性樹脂を供給して固定化することにより、該溝部を充填し、該領域を覆う電極を形成する。 - 特許庁
  • On an N-type well layer 2, a plurality of trenches 3 are formed.
    Ｎ型ウエル層２に複数のトレンチ３を形成する。 - 特許庁
  • A plurality of trenches 15 are formed in a stripe form.
    トレンチ１５は複数ストライプ状に形成されている。 - 特許庁
  • In the cell area 105, main trenches 113 are formed.
    セルエリア１０５には、メイントレンチ１１３が形成されている。 - 特許庁
  • The photovoltaic device includes a substrate 100 having trenches 101 formed thereon.
    トレンチ１０１が形成された基板１００を設ける。 - 特許庁
  • The utilizable liquids in the trenches respond with the heaters.
    トレンチ内の利用可能な液体がヒータに応答する。 - 特許庁
  • In the row direction, trenches having notches are formed.
    横方向には、切り込みを持つトレンチが形成されている。 - 特許庁
  • The semiconductor device 100 has gate trenches 109 and source trenches 110 formed to intersect perpendicularly to each other.
    半導体装置１００は、ゲートトレンチ１０９とソーストレンチ１１０とを直角に交差させて形成している。 - 特許庁
  • Polymer chains are formed on the inside surface of the trenches.
    前記トレンチの内表面にポリマー鎖を形成する。 - 特許庁
  • Portions of the buffer trenches 30, which are located at the opposite side to the gate trenches 23 sides in the longitudinal direction of the gate trenches 23, are located in the outer peripheral well region 29, so that concentration of electric field on these portions of the buffer trenches 30 can be moderated.
    また、ゲートトレンチ２３の長手方向においてバッファートレンチ３０のうちゲートトレンチ２３側とは反対側の部分が外周ウェル領域２９内に位置するので、バッファートレンチ３０の当該部分の電界集中を緩和できる。 - 特許庁
  • Knurl trenches 31 are formed on the outer peripheral surface of the shaft 3.
    軸３の外周面にローレット溝３１を形成する。 - 特許庁
  • The trenches can be filled with an acoustic attenuation material.
    トレンチは音響減衰材料で充填することができる。 - 特許庁
  • Trenches 23 are formed among each chip under the state.
    この状態では、各チップ間に溝２３が形成されている。 - 特許庁
  • The distance between trenches 16 and 21 is at most 4 μm.
    この場合、トレンチ１６、２１の間隔を４μｍ以下にする。 - 特許庁
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