「Type-III」を含む例文一覧(887)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 17 18 次へ＞
  • Type III environmental labels
    タイプⅢ環境ラベル - 経済産業省
  • (iii) the type of business;
    三　営業の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Earthen vessels (the Makimuku III type period)
    須恵器(纒向Ⅲ式期) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • (iii) Type of work engaged in
    三　従事する業務の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) Type of offenders rehabilitation services;
    三　　更生保護事業の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) the type of nuclear fuel material,
    三　核燃料物質の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) the type of nuclear source material,
    三　核原料物質の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (v) A Type III Monitoring Chemical Substance
    五　第三種監視化学物質 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) Type and nature of services;
    三　事業の種類及び内容 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) Aircraft type pertaining to the designation
    三　指名に係る航空機の型式 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE TRANSISTOR
    接合型ＩＩＩ族窒化物トランジスタ - 特許庁
  • MODEL ANIMAL WITH III TYPE ALLERGIC INFLAMMATION
    ＩＩＩ型アレルギー炎症モデル動物 - 特許庁
  • A group III nitride semiconductor element 11 comprises a substrate 13, an n-type group III nitride semiconductor region 15, a light-emitting layer 17, and a p-type group III nitride semiconductor region 19.
    III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。 - 特許庁
  • The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.
    接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁
  • (iii) Number of type certificate and type of an aircraft
    三　型式証明書の番号及び航空機の型式 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.
    ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０は、ｎ型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁
  • III-N TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
    ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置 - 特許庁
  • (iii) Type and name of aeronautical lights
    三　航空灯火の種類及び名称 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) Riding type (Example) Posture control wheel-chair
    ③搭乗型（例）姿勢制御型車いす - 経済産業省
  • To crystal-grow an n- or i-type group III nitride semiconductor on the surface of a p-type group III nitride semiconductor, and to expose the surface of the p-type group III nitride semiconductor without etching a part of the n- or i-type group III nitride semiconductor.
    ｐ型のIII族窒化物半導体の表面に、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでｐ型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる - 特許庁
  • To provide a group III nitride semiconductor optical element capable of improving electrical characteristics of a p-type group III nitride semiconductor.
    ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁
  • These LEDs can be set to a group III nitride type.
    これらＬＥＤについては、III族窒化物タイプとすることができる。 - 特許庁
  • The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.
    第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁
  • The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.
    第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁
  • The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.
    ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁
  • The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.
    ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁
  • To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.
    III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁
  • To form a p-type group III nitride semiconductor on a desired region.
    所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。 - 特許庁
  • (iii) the type, structure and floor area of the building;
    三　建物の種類、構造及び床面積 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • RIDGE-TYPE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER
    リッジ型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体レーザ - 特許庁
  • (iii) The type of crime, the number of sentences, the type of sentence, and the term of sentence or the amount thereof;
    三　罪名、犯数、刑名及び刑期又は金額 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.
    III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁
  • (iii) the type, thermal output and number of reactors,
    三　原子炉の型式、熱出力及び基数 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (iii) the type and quantity of international controlled material,
    三　国際規制物資の種類及び数量 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR
    Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁
  • And type iii is when they cut off the whole clitoris
    そしてタイプ3はクリトリス全体を 切除して - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a novel group III nitride compound semiconductor vertical type transistor.
    新規なIII族窒化物系化合物半導体縦型トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.
    第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 - 特許庁
  • A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.
    ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁
  • After group III nitride crystal 32 including at least both of a p-type impurity and hydrogen is grown and cooled, the group III nitride semiconductor is manufactured as the p-type type group III nitride semiconductor by forming a predetermined lamination structure 33 on the group III nitride crystal 32.
    ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶３２を結晶成長させて冷却した後に、前記III族窒化物結晶３２の上に、所定の積層構造３３を形成することによって、前記III族窒化物結晶をｐ型III族窒化物半導体として製造する。 - 特許庁
  • POLARIZATION INVERSION TYPE III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE
    分極反転型ＩＩＩ−窒化物発光デバイス - 特許庁
  • The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.
    III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁
  • The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.
    III族窒化物半導体領域１３−１は、ｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁
  • The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.
    ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁
  • HIGH CONDUCTANCE CRYOPUMP FOR TYPE III GAS PUMPING
    第３種の気体の排気用高コンダクタンス・クライオポンプ - 特許庁
  • (iii) Type and name of aeronautical radio navigation facilities
    三　航空保安無線施設の種類及び名称 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • An active region 17 is formed between a group III-V compound semiconductor region 13 of a first conductivity type and a group III-V compound semiconductor region 15 of a second conductivity type.
    活性領域１７は、第１導電型III−V化合物半導体領域１３と第２導電型III−V化合物半導体領域１５との間に設けられている。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor excellent in stability and reproducibility.
    安定性、再現性に優れたｐ型のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 特許庁
  • p-TYPE LAYER FOR GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE
    ＩＩＩ族窒化物発光デバイスのためのｐ型層 - 特許庁
  • (iii) The work method by the vehicle type construction machine.
    三　車両系建設機械による作業の方法 - 日本法令外国語訳データベースシステム
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 17 18 次へ＞

例文データの著作権について