「VB」を含む例文一覧(1069)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 21 22 次へ＞- Prior to the image formation, a PTVC control is performed to set a secondary transfer bias Vb to be applied to a secondary transfer roller 56 when an image is formed.
画像形成に先立たせてＰＴＶＣ制御を行って画像形成時の二次転写ローラ５６に印加する二次転写バイアスＶｂが設定される。 - 特許庁 - A MOS transistor 102 receives a bias voltage VB by a gate thereof and suppresses an intermediate node potential VN1 so as not to break down the low-breakdown voltage transistor 101.
ＭＯＳトランジスタ１０２は、バイアス電圧ＶＢをゲートに受け、低耐圧トランジスタ１０１が破壊されないように中間ノード電位ＶＮ１を抑制する。 - 特許庁 - The control unit 51 outputs the control signal to a drive unit 55 so as to turn off a switching element 3 when the voltage Vb of the battery 1 is lower than the threshold voltage.
制御部５１は、バッテリ１の電圧Ｖｂが閾値電圧より低い場合、スイッチング素子３をオフすべく制御信号を駆動部５５へ出力する。 - 特許庁 - When a voltage is supplied between VA-VB, the voltage ia applied to a base of a MOS-FET and a circuit is turned on, and the current flows in LED.
ＶＡ−ＶＢ間に電圧を供給するとＭＯＳ−ＦＥＴのベースに電圧がかかり、回路がＯＮになってＬＥＤに電流が流れる。 - 特許庁 - In a low vehicle speed being a threshold vehicle speed VB or lower, sounds are emitted from speakers 1F, 1S, 1R, the presence of a vehicle V is informed to a surrounding pedestrian etc.
しきい車速ＶＢ以下の低車速域では、スピーカ１Ｆ、１Ｓ、１Ｒから発音されて、周囲の歩行者等に車両Ｖの存在が報知される。 - 特許庁 - The current/voltage conversion by the resistive element R12 in this current output circuit 40 sets a gate voltage Vb of an output TR Q45.
この電流出力回路４０では、抵抗素子Ｒ１２による電流／電圧変換により出力側であるトランジスタＱ４５のゲート電圧Ｖｂを設定する。 - 特許庁 - When a feedback capacitor 26 is charged by the source current Is, an output potential Vout1 of an operational amplifier 25 is lowered gradually from a reference potential Vb.
帰還キャパシタ２６がソース電流Ｉｓで充電されると、演算増幅器２５の出力電位Ｖｏｕｔ１は基準電位Ｖｂから次第に降下する。 - 特許庁 - Further, the operational amplifier A105-2 receives two select voltages VA and VB output by a decoder D103-2, and outputs a generated driving voltage to an output node N100-2.
また、オペアンプA105-2は、デコーダD103-2によって出力された２つの選択電圧ＶＡ，ＶＢを受け、生成した駆動電圧を出力ノードN100-2に出力する。 - 特許庁 - A measuring part 26 changes the bias voltage Vb by a sensitivity changing part 44 when the level of the light receiving signal S3 is lower than a measuring level.
そして、測定部２６は、受光信号Ｓ３のレベルが計測レベルよりも低い場合には感度変更部４４によりバイアス電圧Ｖｂを変更する。 - 特許庁 - A blanking signal generator 60 generates a blanking output signal S1 when a vertical or horizontal blanking signal VB or HB exists.
帰線消去信号発生器（６０）は、垂直または水平の帰線消去信号（ＶＢ、ＨＢ）が存在するときは帰線消去出力信号（Ｓ１）を発生する。 - 特許庁 - A multiplication section 40 detects the power value Pb to be supplied from an electric storage device by multiplying the detected current value Ib by the detected voltage value Vb.
乗算部４０は、検出される電流値Ｉｂと電圧値Ｖｂとを乗じて、蓄電装置から供給される電力値Ｐｂを検出する。 - 特許庁 - When an input voltage Vin is lower than an output voltage VB, Q1 is fixed to an on state and Q2 is hysteresis-controlled to implement boost control.
入力電圧Ｖｉｎが出力電圧ＶＢより低いとき、Ｑ１はオン状態に固定され、Ｑ２がヒステリシス制御され、昇圧制御が実行される。 - 特許庁 - When the voltage Vb changes from L to H, the resistor 29 does not intervene in a charging path of the capacitor 30, so that inversion timing to L is not delayed.
電圧ＶｂがＬからＨに変化した時には、コンデンサ３０の放電経路に抵抗２９が介在しないのでＬへの反転タイミングに遅れは生じない。 - 特許庁 - The output voltage VB is so changed into a level-shifted voltage VC by a level shifter 24 as to apply it to the gate of a MOS transistor M21 of a current comparing portion 25.
この出力電圧Ｖ_B は、レベルシフタ２４でレベルシフトされてＶ_C となり、これが電流比較部２５のＭＯＳトランジスタＭ２１のゲートに印加される。 - 特許庁 - Bias voltages Vb and Vc are selectively applied to the coated part 36 of an intermediate transfer drum 22, while the bias voltage Vc is also applied to an uncoated part 37.
中間転写ドラム２２の塗布部３６にはバイアス電圧ＶｂとＶｃが選択的に印加され、非塗布部３７にはバイアス電圧Ｖｃが印加される。 - 特許庁 - A constant voltage output circuit 1 can output output voltage Vcc on the basis of input voltage VB and control output current Icc.
定電圧出力回路１は入力電圧ＶＢに基づいて出力電圧Ｖｃｃを出力し、出力電流Ｉｃｃを制御することが可能である。 - 特許庁 - A portion of the AC component of a base current flowing from the base bias voltage supply terminal VB to a resistor RB is therefore allocated to the bypass path.
したがって、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢから抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。 - 特許庁 - Three power source supply lines for respectively supplying driving voltages VR, VG and VB are arrayed corresponding to one column of the sub-pixels.
サブ画素の１列に対応して、各カラー画素に対応した駆動電圧ＶR ，ＶG ，ＶB をそれぞれ供給するための３本の電源供給線が配列されている。 - 特許庁 - A reference source control circuit 17 supplies reference voltages VA, VB to reference source terminals of the first and the second D/A converters 15, 16.
基準電源制御回路１７は、第１及び第２のＤ／Ａコンバータ１５及び１６の基準電源端子に基準電圧ＶＡ、ＶＢを供給する。 - 特許庁 - When a switch SW1 is turned on, the difference voltage Vd between the terminal voltage VB and the reference voltage for the difference Vr is applied across both ends of the capacitor C.
スイッチＳＷ１をオンすると、コンデンサＣの両端に、端子電圧ＶＢと差分用基準電圧Ｖｒとの差分電圧Ｖｄが供給される。 - 特許庁 - Therefore, part of an alternating current component of a base current that flows from the base bias voltage supplying terminal VB to the resistor RB is distributed to above bypass path.
したがって、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢから抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semi-insulating GaAs single crystal with a constant carbon concentration in the direction of crystal growth through a VGF or VB method.
ＶＧＦ法およびＶＢ法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法を提供する。 - 特許庁 - When an ignition switch is turned on, a control circuit 2 monitors a power supply voltage VB of a battery B, and when this voltage is lower than a set value, the control circuit 2 prohibits starting by a self-starter.
イグニッションスイッチがＯＮされると、制御回路２はバッテリＢの電源電圧Ｖ_B をモニタし、その電圧が設定値よりも低いと、セルスタートを禁止する。 - 特許庁 - When an ignition key is turned on, ECU 50 drives a bidirectional DC/DC converter 40 to charge a capacitor C1 to voltage Vth1 (<VB).
イグニッションキーがＯＮされると、ＥＣＵ５０は、双方向ＤＣ／ＤＣコンバータ４０を駆動して電圧Ｖｔｈ１（＜ＶＢ）までコンデンサＣ１を充電する。 - 特許庁 - Then, the switch device 110 is brought into a conductive state at D-S, a voltage VB of the storage battery 101 is applied to a voltage converter and the lamp 915 is turned on.
これによりスイッチング・デバイス１１０のＤ−Ｓ間が導通し、電圧変換器に蓄電池１０１の電圧ＶＢが印加され、ランプ９１５が点灯する。 - 特許庁 - The image forming condition is set by comparison with a prescribed threshold value Vb by multiplying the applied voltage which is measured in the image formation by the temperature compensation coefficient α.
画像形成に際して測定した印加電圧に温度補正係数αを乗じて所定の閾値Ｖｂに比較して画像形成条件を設定する。 - 特許庁 - Then, a scanning pulse Psco is not applied to scanning electrodes of the device at the introducing part Ia of the writing period but the pulse is applied to the scanning electrodes after the base pulses reached the base voltage Vb.
そして、走査パルスＰscoは、書き込み期間の導入部Ｉａにおいては印加されず、ベースパルスがベース電圧Ｖｂに達してから印加する。 - 特許庁 - The bridge circuit 3 is connected to the power source VB to drive the rotation of the stepping motor by conducting a drive current to a coil 2 of the stepping motor, while changing over phases.
ブリッジ回路３は電源ＶＢに接続され、ステッピングモータのコイル２に位相を切り替えながら駆動電流を通電して、ステッピングモータを回転駆動する。 - 特許庁 - When a winding down stop command is detected by a pressure sensor 8, an ON signal is outputted to the solenoid valve 21 to communicate the oil chamber Vb with the oil chamber Vb2.
圧力センサ８により巻下停止指令が検出されると電磁弁２１にオン信号を出力し、油室Ｖｂと油室Ｖｂ2を連通する。 - 特許庁 - As the voltage VB rises, a current I70 for compensation corresponding to the rise is outputted from a transient response improving unit 70 to a node NA.
電圧ＶＢが上昇すると、その上昇分に応じた補償用の電流Ｉ７０が過渡応答改善部７０からノードＮＡに出力される。 - 特許庁 - The starting end and the terminal of the ejection pulse PA are set to reference potential VA and the starting end and the terminal of the ejection pulse PB to reference potential VB.
噴射パルスＰAの始端および終端は基準電位ＶAに設定され、噴射パルスＰBの始端および終端は基準電位ＶBに設定される。 - 特許庁 - When the input voltage Vin is higher than the output voltage VB, Q2 is fixed to an off state and Q1 is hysteresis-controlled to implement buck control.
入力電圧Ｖｉｎが出力電圧ＶＢより高いとき、Ｑ２はオフ状態に固定され、Ｑ１がヒステリシス制御され、降圧制御が実行される。 - 特許庁 - Successively, the steering lock control unit 8 re-drives the steering lock motor 16 unless the analog voltage of the Hall element 20 (21) reaches the second target voltage Vb.
続いて、ステアリングロック制御部８はホール素子２０（２１）のアナログ電圧が第２目標電圧Ｖｂに達していなければステアリングロックモータ１６を再駆動する。 - 特許庁 - Since the deliverable current value Ic is predicted from the actual voltage value Vb and the current value Ib of the battery 10, the precision of prediction is enhanced.
このように、実際のバッテリ１０の電圧値Ｖb 及び電流値Ｉb から、供出可能電流値Ｉc を予測することから、予測精度が向上する。 - 特許庁 - A first reactant gas of a Group VB element is injected into the reaction chamber, where it is chemisorbed as an atomic layer on the substrate surface.
第ＶＢ族元素の第１の反応物ガスが反応チャンバへ注入され、そこで、その元素は基板表面上に原子層として化学吸着される。 - 特許庁 - When the actual voltage Vb of the power source 30 is Vb2, the weak field control is performed when the actual number of revolution N of the assist electric motor 60 is larger than N2.
電源３０の実電圧ＶｂがＶｂ２の場合には、アシスト電動機６０の実回転数ＮがＮ２より大きい場合に弱め界磁制御を行う。 - 特許庁 - A control part 30 controls the carrier roller 19 so that the speed Va becomes larger than the speed Vb when the sensors Se1-Se5 detect the clearance.
制御部３０は、センサＳｅ１〜Ｓｅ５が隙間を検知した場合には、速度Ｖａが速度Ｖｂよりも大きくなるように、搬送ローラ１９を制御する。 - 特許庁 - HYDROCRACKING CATALYST CONTAINING ZEOLITE Y OF NON- DEALUMINIZATION AS A WHOLE, GROUP VB ELEMENT, AND COCATALYST ELEMENT SELECTED FROM GROUP CONSISTING OF BORON, PHOSPHORUS, AND SILICON
全体的非脱アルミニウムゼオライトＹと、第ＶＢ族の元素と、ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる助触媒元素とを含む水素化クラッキング触媒 - 特許庁 - A voltage probe 7 detects a voltage VB of a battery set 1 consisting of lithium ion secondary batteries for backing up a rectifier 2 (a part of a power supply).
電圧プローブ７は、整流装置２（電源装置の一部）をバックアップするためのリチウムイオン二次電池からなる組電池１の電圧ＶＢを検出する。 - 特許庁 - A laser current is led up quickly, since a gate voltage Vg is increased and an ON current is decreased in a power MOSFET 23 by the overshoot of the Vb.
Ｖｂのオーバーシュートにより、パワーＭＯＳＦＥＴ２３ではゲート電圧Ｖｇが増加してオン抵抗が減少するため、レーザ電流が高速に立ち上がる。 - 特許庁 - A CPU 14a acquires the sum of digital data, representing the difference voltage Vd and digital data representing known reference voltage for the difference Vr as digital data, representing the terminal voltage VB.
ＣＰＵ１４ａは、差分電圧Ｖｄのデジタルデータと、既知の差分用基準電圧Ｖｒのデジタルデータの和を、端子電圧ＶＢのデジタルデータとして得る。 - 特許庁 - When control power supply VA exceeds a prescribed first level V1, a hysteresis circuit 18 is activated and a discrimination voltage VB rises to a voltage of 5V.
制御電源電圧ＶＡが所定の第１レベルＶ１を上回ると、ヒステリシス回路１８がオンし、判定用電圧ＶＢが５ｖに上昇する。 - 特許庁 - Using the class code CL0, etc., a classifier 123 obtains a class code CL showing the class to which pixel data at the interested position in an image signal Vb belong.
クラス分類部１２３は、クラスコードＣＬ０等を用いて、画像信号Ｖｂにおける注目位置の画素データが属するクラスを示すクラスコードＣＬを得る。 - 特許庁 - Then respective generated cursor image data are synthesized with object image data VB indicating an operation button and the synthesized image is projected from a projector 5 to a horizontal table 2.
そして、この生成された各カーソル画像データを、操作ボタンを示すオブジェクト画像データＶBと合成して、プロジェクタ５から水平テーブル２に投影させる。 - 特許庁 - The bias circuit 15 supplies a bias voltage VB to the gate of a transistor M7 constituting the constant-current source I1 of the amplifier 11.
そして、差動増幅器１１の定電流源Ｉ１を構成するトランジスタＭ７のゲートにバイアス電圧ＶＢを供給するバイアス回路１５が設けられている。 - 特許庁 - An electrode 40 is formed on the n^+-type impurity region 32, and the electrode 40 is connected to a high-voltage side floating supply absolute voltage VB.
ｎ^＋型不純物領域３２上には電極４０が形成されており、電極４０は高圧側浮遊供給絶対電圧ＶＢに接続されている。 - 特許庁 - Since the circuit 40 alters the power voltage Vb into the predetermined voltage and supplying it for the motor 11, the motor is supplied with the predetermined voltage at all times.
同回路４０が電源電圧Ｖｂを所定の電圧に変更してモータ１１に供給するので、モータには所定の電圧が常に供給される。 - 特許庁 - After shutter driving, an estimated voltage value Ve', subtracting the differential voltage value Vf from the measured power source voltage value, is compared with a limiting voltage value Vb.
このシャッタ駆動の後、測定した電源電圧値から差分電圧値Ｖｆを減算した推定電圧値Ｖｅ’と限界電圧値Ｖｂとを比較する。 - 特許庁 - A storage device 12 stores therein M pieces of unit waveforms u[1] to u[M] extracted from mutually different positions on a time base in a vocal sound waveform Vb.
記憶装置１２は、有声音の音声波形Ｖbのうち時間軸上の相異なる位置から抽出されたＭ個の単位波形ｕ[1]〜ｕ[M]を記憶する。 - 特許庁 - Consequently, if the temperature of the semiconductor chip exceeds a serviceable limiting temperature, the voltage Va exceeds the voltage Vb, and the comparator 19 outputs a high level signal.
このため、半導体チップの温度が使用限界温度を超えれば、電圧Ｖaが電圧Ｖbを超え、コンパレータ１９は、ハイレベルの信号を出力する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
