「VBO」を含む例文一覧(18)

  • A VBO detection signal 8 output from the VBO detection circuit 6 is transmitted to a gate generation device 3A.
    VBO検出回路6から出力されたVBO検出信号8はゲート発生装置3に送られる。 - 特許庁
  • The Vbo detecting circuits 6a-6n detect breakover voltage (Vbo) of the thyristors 1a-1n, by using the gate pulses 7 and the forward voltage detecting signals, and output Vbo detection signals 8a-8n.
    Vbo検出回路6a〜6nは、ゲートパルス7と順電圧検出信号を用いてサイリスタ1a〜1nのブレークオーバ(Vbo)を検出し、Vbo検出信号8a〜8nを出力する。 - 特許庁
  • A gate generation device 3, when receiving at least one VBO detection signal 8, transmits a VBO protection request signal 81 to a converter controller 9.
    ゲート発生装置3は、1つでもVBO検出信号8を受信したときには、VBO保護要請信号81を変換器制御装置9に送出する。 - 特許庁
  • A VBO detection circuit 6 detects continuous VBO firing of a thyristor with an overvoltage protective function using a forward voltage detection signal 5 and a gate pulse signal 7.
    VBO検出回路6は、順電圧検出信号5とゲートパルス信号7を用いて、過電圧保護機能付きサイリスタの連続VBO点弧を検出する。 - 特許庁
  • To make a protection by detecting the overvoltage protective ignition of a Vbo free thyristor.
    Vboフリーサイリスタの過電圧保護点弧を検出して保護動作を行う。 - 特許庁
  • A first region 16 of a liquid crystal element 15 is driven at the normal tone level GLo to display normal information at a normal luminance level VBo.
    液晶素子15の第一領域16は、通常階調比GLoで駆動され、通常輝度比VBoで通常情報が表示される。 - 特許庁
  • Vbo free thyristors 1a-1n are given gate pulses 7 from a gate pulse generating circuit 3, at the same time, through supply paths 31a-31n.
    Vboフリーサイリスタ1a〜1nには、ゲートパルス発生回路3からのゲートパルス7が、供給路31a〜31nを通じて同時に与えられる。 - 特許庁
  • The forward voltage detection signals from these forward voltage detecting circuits 4a-4n are transmitted to Vbo detecting circuits 6a-6n via, for examples, optical fibers 5a-5n.
    この順電圧検出回路4a〜4nからの順電圧検出信号が、例えば光ファイバー5a〜5nを介してVbo検出回路6a〜6nに伝えられる。 - 特許庁
  • If the output voltages of the cells 10a constituting the fuel cell 10 are different, the voltage control is carried out so that the output voltage of each cell 10a attains a corrected target voltage VBo' obtained by adding to the target voltage VBo a voltage difference ΔV between an average cell voltage VBa and the lowest cell voltage VBm that is the lowest value.
    燃料電池10を構成しているセル10aの出力電圧にばらつきがある場合には、セル10aの出力電圧が、目標電圧VBoに平均セル電圧VBaと最低値である最低セル電圧VBmとの電圧差ΔVを加えた修正目標電圧VBo′となるように電圧制御を行う。 - 特許庁
  • The converter controller 9, when receiving the VBO protection request signal 81, compares an operation control delay angle α at that time with a range of such a control delay angle where the loss of a snubber resistor does not exceed an allowable value even after continuous VBO firing operation and transmits a conduction period signal 91 corresponding thereto to the gate generation device 3.
    変換器制御装置9は、VBO保護要請信号81を受信すると、その時の運転制御遅れ角αと、連続VBO点弧運転を行ってもスナバ抵抗器の損失が許容値を超過しない制御遅れ角の範囲とを比較し、それに応じた導通期間信号91をゲート発生装置3に送信する。 - 特許庁
  • A step-up voltage target value Vbo* of the converter 15 is limited to be lower when the temperature of the battery B is lower than a predetermined value in comparison with the case in which the temperature of the battery B is high.
    そして、上記コンバータ15の昇圧電圧目標値Vbo*を、バッテリBの温度が所定値より低い場合、バッテリBの温度が高い場合に比べて低く制限する。 - 特許庁
  • Then, the gate pulse generating circuit 3 carries out treatment, such as, to immediately stop the output of the gate pulses 7, when the Vbo detection signals 8a-8n occurs, even from a single point of the thyristors 1a-1n.
    そしてゲートパルス発生回路3は、サイリスタ1a〜1nの一箇所からでもVbo検出信号8a〜8nが発生したときに、直ちにゲートパルス7の出力を停止するなどの処置を行う。 - 特許庁
  • Furthermore, pipings 64A, 64B for discharging the stored water are provided at the storage tanks 63A, 63B, respectively, and valves VAo, VBo are provided at these pipings 64A, 64B, respectively.
    また、貯留タンク63A、63Bには、それぞれ貯留した水を排出するための配管64A、64Bが設けられており、この配管64A、64Bには、それぞれバルブVAo、VBoが設けられている。 - 特許庁
  • Concretely the ECU 3 senses the tooth missing part on the basis of the pulse signal emitted by a rotating angle sensor 8, and the tooth missing part is the first one, predicts the engine speed from the cooling water temperature (THW) and the battery voltage (VBO).
    具体的には、回転角センサ8から出力されるパルス信号に基づいて欠歯部を検出し、その欠歯部が1回目(最初)の時は、冷却水温(THW )とバッテリ電圧(VB0 )から機関回転数を予測する。 - 特許庁
  • On the other hand, when the measured resistance value Rx is smaller than the standard resistance value Ro (for example, Rx=R10<Ro), the bias voltage VBx is set to a value smaller than the standard bias voltage VBo (VBx=VB10).
    一方、測定抵抗値Rxが標準抵抗値Roよりも小さい場合(例えばRx=R10<Ro)、バイアス電圧VBxは、標準バイアス電圧VBoよりも小さい値(VBx=VB10)に設定される。 - 特許庁
  • A voltage adjustment means 24 performs voltage control so that the output voltage of each cell 10a constituting the fuel cell 10 attains a target voltage VBo at which the amount of power generated by the fuel cell 10 with a prescribed supply of hydrogen is maximized.
    電圧調整手段24により、燃料電池10を構成するセル10aの出力電圧が所定水素供給量において燃料電池10の発電量が最大となる目標電圧VBoとなるように電圧制御を行う。 - 特許庁
  • To control the injection amount of one cylinder, an ECU 3 calculates the engine speed from the pulse information obtained corresponding to the cylinder one before (pulse signal emitted between tooth missing parts of a pulser 5), but only when the cranking is to be started, the ECU 3 predicts the engine speed from the battery voltage (VBO) and the cooling water temperature (THW).
    ECU3は、或る気筒の噴射量を制御する際に、1つ前の気筒に対応して得られたパルス情報(パルサ5の欠歯部と欠歯部との間に出力されるパルス信号)から機関回転数を算出するが、クランキング開始時のみバッテリ電圧(VB0 )と冷却水温(THW )から機関回転数を予測している。 - 特許庁
  • When a resistance value (a measured resistance value) Rx of the shape memory alloy (SMA) adopted in the driving device is larger than a resistance value (a standard resistance value) Ro of the SMA in design (for example, Rx=R1>Ro), a bias voltage VBx is set to a value larger than a standard bias voltage VBo (VBx=VB1).
    駆動装置に採用される形状記憶合金(SMA)の抵抗値(測定抵抗値)Rxが設計上のSMAの抵抗値(標準抵抗値)Roよりも大きい場合(例えばRx=R1>Ro)、バイアス電圧VBxは標準バイアス電圧VBoよりも大きい値(VBx=VB1)に設定される。 - 特許庁

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