「VRT」を含む例文一覧(12)
- To screen a so-called variable retention time (VRT) defect caused by the fact that a data retention time varies like random telegraph noise in DRAM.
DRAMにおいて、データ保持時間がランダム・テレグラフ・ノイズ的に変化してリテンション不良となる、いわゆるVariable Retention Time（VRT）不良をスクリーニングする。 - 特許庁 - A reference voltage VRT in an analog/digital conversion processing is altered to correct the gain of an imaging result.
本発明は、アナログディジタル変換処理における基準電圧ＶＲＴを変更して撮像結果の利得を補正する。 - 特許庁 - A total residual amount VRT totalling a residual amount of each of the tanks is indicated on a fuel residual amount meter 21, but a fuel residual amount meter indicates the fulling-up of the tank when the total fuel residual amount VRT exceeds the capacity VO of the raw fuel tank 3.
各タンクの残量を合計した総燃料残量ＶＲＴを燃料残量計（２１）に表示するが、総燃料残量ＶＲＴが原料燃料タンク（３）の容量Ｖ０を超えた場合は燃料残量計は満タン表示をする。 - 特許庁 - In both cases, the ABC circuits 12, 14 increase the Vrt, Vrb respectively in the case of a high capacity image data such as a whity original and decrease the Vrt, Vrb respectively in the case of a low capacity image data such as a blackish original as their control.
上記各場合において、ＡＢＣ回路１２、１４は、白っぽい原稿のように画像データが大きい場合はＶｒｔ、Ｖｒｂを高くし、黒っぽい原稿のように画像データが小さい場合はＶｒｔ、Ｖｒｂを低くするようにそれぞれ制御する。 - 特許庁 - Additionally, oil feeding to the raw fuel tank is prohibited when the total fuel residual amount VRT exceeds the capacity VO of the raw fuel tank.
そして、総燃料残量ＶＲＴが原料燃料タンクの容量Ｖ０を超えた場合には原料燃料タンクへの給油を禁止する。 - 特許庁 - In order to generate clamp voltages (Vpr and Vpb), a potential divider (401) is coupled with the reference voltages (Vrt and Vrb) of the converter (U3).
クランプ電圧（Ｖｐｒ、Ｖｐｂ）を生成するため、ポテンシャル分割器（４０１）がアナログ／デジタル変換器（Ｕ３）の基準電圧（Ｖｒｔ、Ｖｒｂ）に結合される。 - 特許庁 - Source reference voltages VRT, VB to VG, and VRB used to generate reference voltages V1 to V64 for digital-to-analog conversion are generated according to source reference voltage setting data DV.
本発明は、ディジタルアナログ変換用の基準電圧Ｖ１〜Ｖ６４の生成に使用する原基準電圧ＶＲＴ、ＶＢ〜ＶＧ、ＶＲＢを、原基準電圧設定データＤＶに応じて生成する。 - 特許庁 - Thus, a photodiode output in light emission with a small amount of power is adapted to the VRB and VRT of the A/D converter, so that the characteristic of the A/D converter is measured in an area with the linear LD light emission characteristic.
小さなＬＤ発光時のフォトダイオード出力をＡ／Ｄ変換器の下端電圧と上端電圧に適応することができ、Ａ／Ｄ変換器の特性をＬＤ発光特性が線形な領域で測定できる。 - 特許庁 - When a negative/positive designation circuit 11 designates a positive film, a switch 13 gives an output of an ABC circuit 12, that controls a high conversion reference voltage Vrt to the A/D converter 8 and a switch 15 gives a prescribed value Vb to the A/D converter 8.
ネガポジ指定回路１１がポジフィルムを指定すると、スイッチ１３は上位変換基準電圧Ｖｒｔを制御するＡＢＣ回路１２の出力をＡ／Ｄコンバータ８に入力し、スイッチ１５は一定値Ｖｂを入力する。 - 特許庁 - The output of the operation amplifier 304 is connected to an output A 309 and the negative input of an operation amplifier 307, calculated by difference with a VRB 306 through the use of the operation amplifier 307, and added to the offset value of the voltage of reference top (VRT) 308 of the A/D converter.
オペアンプ３０４の出力はＡ出力３０９とオペアンプ３０７の負側入力に接続され、オペアンプ３０７で下端電圧３０６と差分計算され、Ａ／Ｄ変換器の上端電圧３０８のオフセット値が追加される。 - 特許庁 - Thus, since the comparison of a reference voltage VREF and the analog input voltage VIN/2 can be carried out, while using a thin film transistor, a transistor is designed which constitutes a reference voltage generation circuit 10 and a comparative amplifier AMP by reducing a voltage level of a high-side power supply voltage VRT connected with the reference voltage generation circuit 10.
これにより、基準電圧ＶＲＥＦとアナログ入力電圧ＶＩＮ／２との比較動作が実行可能であるため基準電圧発生回路１０と接続されるハイ側電源電圧ＶＲＴの電圧レベルを低くして、基準電圧発生回路１０および比較増幅器ＡＭＰを構成するトランジスタを薄膜トランジスタを用いて設計する。 - 特許庁 - Resistors R1, R2 are connected in series between a node VRTin receiving a high level reference voltage VRT and a node VRBin receiving a low level reference voltage VRB independently of n series resistors (r) used to produce a reference voltage for each sub analog/digital converter 9 so as to generate a DC bias voltage VRT1 to bias an AC component of an external analog input signal VA.
各サブＡ／Ｄコンバータ９のリファレンス電圧を発生するｎ個の直列抵抗ｒとは独立に高電位側リファレンス電圧ＶＲＴを受けるノードＶＲＴｉｎと低電位側リファレンス電圧ＶＲＢを受けるノードＶＲＢｉｎとの間に直列抵抗Ｒ１，Ｒ２を直列に接続することにより、外部アナログ入力信号ＶＡの交流成分をバイアスする直流バイアス電圧ＶＲＴ１を生成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
