「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 次へ＞- A drive recorder facilitates occurrence cause specifying of the particular behavior after the fact, since it stores a plurality of images after a determination of a vehicle deviation of vehicle deviating from a running lane before a vehicle collision, from images stored on a volatile memory when the occurrence of the particular behavior of the vehicle is detected.
ドライブレコーダは、車両における特定の挙動の発生を検知した場合に、揮発性メモリに記憶されている画像のうち車両衝突前に車両が走行レーンを超える車両逸脱を判定したとき以降の画像を複数記憶するため、事後的に特定の挙動の発生原因を特定しやすくできる。 - 特許庁 - The storage of a non-volatile memory device is provided with: a bottom electrode 200, a first tunneling insulating film 210 on the bottom electrode, a middle electrode 250 on the first tunneling insulating film 210, a second tunneling insulating film 260 on the middle electrode 250 and a top electrode 280 on the second tunneling insulating film 260.
下部電極２００、下部電極上の第１トンネリング絶縁膜２１０、第１トンネリング絶縁膜２１０上の中間電極２５０、中間電極２５０上の第２トンネリング絶縁膜２６０及び第２トンネリング絶縁膜２６０上の上部電極２８０を備える不揮発性記憶装置のストレージである。 - 特許庁 - When there is operation disabled state with a recording section 3 at reception of image information and when a facsimile number of the sender of the image information is stored in a sender memory 6, a control section 9 stores the image information which is received by a communication section 1, as image information of high importance in a non-volatile storage 4A.
制御部９は、画像情報の受信時に記録部３が動作不能状態である場合、画像情報の送信元のファックス番号が送信元メモリ６に記憶されている場合には、通信部１が受信した画像情報を重要度の高い画像情報として不揮発性メモリ４Ａに格納する。 - 特許庁 - The non-volatile memory device comprises a tunnel oxide film formed on the surface of a fully-depleted SOI thin film, the plurality of silicon dots formed at a prescribed concentration on the surface of the tunnel oxide film, an oxide film formed on the tunnel oxide film via the silicon dots, and a gate electrode formed on the surface of the oxide film.
本発明の不揮発性メモリ素子は、完全空乏型の薄膜ＳＯＩ表面に形成されたトンネル酸化膜と、該トンネル酸化膜表面に所定の密度で形成された複数のシリコンドットと、該シリコンドットを挟んで、トンネル酸化膜上に形成された酸化膜と、該酸化膜の表面に形成されたゲート電極とを備える。 - 特許庁 - A processing is carried out to subtract points from the growth data stored in the non-volatile memory 114 with the passage of the time measured with a timer built in the CPU 111 and expressive actions with eye-shaped displays 103 and 103, red LEDs 104a-104h and the like are controlled to be executed from the growth data.
そして、ＣＰＵ１１１に内蔵されたタイマによって計測された時間経過に応じて、不揮発性メモリ１１４に記憶された育成データに対してポイントを減ずる処理を施し、その育成データに基づいて目型ディスプレイ１０３，１０３、赤色ＬＥＤ１０４ａ〜１０４ｈ等による表現動作を実行制御する。 - 特許庁 - To make feasible of securing the sufficient reading out signal voltage suppressing the increase in the cell size and chip size as well as soft error even if a non-volatile ferroelectic memory is high densified to narrow the ferroelectric capacitor area of the cell further reducing the polarization amount thereof.
不揮発性の強誘電体メモリにおいて、高密度化して、セルの強誘電体キャパシタ面積が縮小し、メモリセルの強誘電体キャパシタの分極量が減少しても、セルサイズ，チップサイズの増大を抑えつつ、さらにソフトエラーを抑えつつ、十分な読み出し信号電圧を確保して、安定なメモリ動作を可能にする。 - 特許庁 - This semiconductor integrated circuit (1) is provided with a first operation mode for validating writing and erasure control for the non-volatile memory module by the successive instruction execution of the CPU and a second operation mode for validating writing and erasure control by the successive instruction execution of the local CPU which responds to a command issued by the CPU.
不揮発性メモリモジュールに対する書込み及び消去制御をＣＰＵの逐次命令実行によって可能にする第１動作モードと、ＣＰＵから発行されたコマンドに応答するローカルＣＰＵの逐次命令実行によって書込み及び消去制御を可能にする第２動作モードとを有する。 - 特許庁 - In a non-volatile memory 14 to be used for an IC card C, an alternate area is preliminarily prepared for the storage area of data whose rewrite frequency is high, and when the writing error of data is occurred in the storage area, the area in which the data are recorded is changed to the alternate area so that the data can be recorded.
ＩＣカードＣに用いられる不揮発性メモリ１４において、予め書換え頻度の高いデータの記憶領域に対して代替領域を用意しておき、上記記憶領域へのデータの書込みエラーが発生した場合には当該データを記録する領域を代替領域に変更して記録するようにしたものである。 - 特許庁 - In this non-volatile semiconductor memory, a row decoder 120 controls independently plural row selection line groups 121, 122, the device can control a peak value of an erasure current and can reduce current consumption by applying negative voltage 101 generated by a step-down circuit 160 to each row selection line group 121, 122 shifting a time.
この不揮発性半導体記憶装置は、ロウデコーダ１２０が複数の行選択線群１２１,１２２を独立して制御し、降圧回路１６０が発生する負電圧１０１を各行選択線群１２１,１２２に対して時間をずらして加えることによって、消去電流のピークを抑制でき、消費電流を削減できる。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus and its control method, by which communication is always made with an optimum amount without affecting processings other than communication by judging the extend of a processing load on a CPU that controls the image forming apparatus, and then by controlling the amount of communication with a non-volatile memory per unit time.
画像形成装置を制御するＣＰＵかかる処理負荷の大きさを判断し、不揮発性メモリとの単位時間あたりの通信量を制御することによって、通信以外の処理に影響を与えることなく、常に最適な通信量で通信させることができる画像形成装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁 - When the descriptor is read from the non-volatile memory 24, the microcomputer 27 judges that emergency broadcasting is being received before power failure, and confirms whether or not the descriptor is extracted from the digital broadcasting which is being received gain, and automatically tunes and receives emergency broadcasting when confirming that the descriptor is extracted.
不揮発性メモリ２４から記述子が読み出されるときは、マイコン２７は停電前に緊急放送受信中であったと判断して、再度受信中のデジタル放送から上記記述子が抽出されるかどうか確認し、抽出される場合に緊急放送を自動的に選局受信する。 - 特許庁 - At restart after write processing interruption, a RAID controller 11 writes a predetermined value in an area (X, Y) registered in a non-volatile memory 12 and generates a corresponding parity in accordance with each data stripe in the same parity group including this data area and writes the parity in a corresponding disk of a disk array 14.
書き込み処理中断後の再起動時に於いて、ＲＡＩＤコントローラ１１は、不揮発性メモリ１２に登録された領域（Ｘ，Ｙ）に、既定値を書き込み、そのデータ領域を含んだ同一パリティグループ内の各データストライプから、対応するパリティを生成し、ディスクアレイ１４の対応ディスクに書き込む。 - 特許庁 - A put-out control means 371A comprises a prize game medium pay-out control means 371a for executing the pay-out process for controlling a pay-out means 97A to pay out prize game media in the number specified by a pay-out command signal transmitting means 56d of a game control means 56A and stored in a volatile memory means 371b.
払出制御手段３７１Ａは、遊技制御手段５６Ａの払出指令信号送信手段５６ｄから指定され揮発性記憶手段３７１ｂに記憶された払出数の景品遊技媒体を、払出手段９７Ａを制御して払い出させる払出処理を実行する景品遊技媒体払出制御手段３７１ａを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element to be used for a non-volatile semiconductor memory or the like, a semiconductor memory using the semiconductor device, its data writing method, data reading method, and those manufacturing method, capable of achieving the microprocessing and integration of cells with superior storage characteristics of data, and for reducing power consumption.
本発明は、不揮発性半導体記憶装置等に利用される半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法に関し、セルの微細化及び集積化が可能で、データの記憶特性に優れ、低消費電力化が可能な半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a digital broadcast receiver and a method for controlling this digital broadcast receiver capable of reducing the number of times of data writing in a non-volatile memory in which viewer relevant information in data broadcasting is preserved, and extremely facilitating countermeasures even to an accidental power source failure, and realizing safe and highly reliable data preservation.
この発明は、データ放送における視聴者関連情報を保存する不揮発性メモリに対して、データ書き込み回数の削減を図り、しかも、不慮の電源遮断等にも極力対応することができ、安全で信頼性の高いデータ保存を行なえるようにしたデジタル放送受信装置とその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A program extraction circuit 11 detects a start position and an end position of program data from a prescribed bit pattern included in a digital signal outputted from an A/D conversion circuit 1 and extracts program data from the digital signal to restore them to an original data format and updates the program data stored in the non-volatile memory 7.
プログラム抽出回路１１は、Ａ／Ｄ変換回路１から出力されたデジタル信号に含まれる特定のビットパターンからプログラムデータの開始位置および終了位置を検出することによりデジタル信号からプログラムデータを抽出して元のデータ形式に復元し、不揮発性メモリ７に格納されているプログラムデータの更新を行う。 - 特許庁 - The non-volatile memory element comprises a substrate, at least two first and second electrodes arranged on the substrate with a certain interval from each other, a conductive nanotube which is provided between the electrodes and selectively brought into contact with the first electrode or the second electrode by an electrostatic force, and a supporting table supporting the conductive nanotube.
基板と、前記基板上に互いに一定間隔をおいて配置される少なくとも２つの第１及び第２電極と、前記電極の間に設けられるものであって、静電気力によって第１電極または第２電極に選択的に接触する導電性ナノチューブと、導電性ナノチューブを支持する支持台と、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - The communication system including the mobile terminal and a base station side communication apparatus for relaying the one mobile terminal and the other mobile terminal is characterized in that the mobile terminal includes a volatile memory for temporarily storing personal information and the base station side communication apparatus includes a server for backup of the personal information from the mobile terminal.
携帯端末と、携帯端末と他の携帯端末との間の中継を行う基地局側通信装置とを有する通信システムにおいて、携帯端末は、個人情報を一時的に格納する揮発性メモリを有し、基地局側通信装置は、携帯端末からの個人情報をバックアップするためのサーバを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer.
下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - To achieve a low power consumption operation suppressing a leakage current, by further lowering a power supply voltage in a standby mode, while maintaining the advantages of being able to shorten the recovery time from the standby mode, eliminating the need of additional circuits such as a non-volatile memory for recovery from the standby mode, and not generating excessive costs in a semiconductor integrated circuit.
半導体集積回路において、スタンバイモードからの復帰時間を短くでき、スタンバイモードからの復帰のための不揮発性メモリなどの付加的な回路は不要で余分なコストが発生しないという利点を維持したまま、スタンバイモードにおける電源電圧をさらに下げることでリーク電流を抑えた低消費電力動作を実現する。 - 特許庁 - The number of printed sheets counted by the printed sheet number counting means, the state of the waste toner residual amount detected by the waste toner residual amount detection means, the state of toner residual amount detected by a toner residual amount detection means and the rotating time of a photoreceptor drum counted by a drum rotating time counting means are stored in the non-volatile memory 103 of the engine control part 117.
印刷枚数計数手段で計数された印刷枚数、廃トナー残量検出手段で検出された廃トナー残量状態、トナー残量検出手段で検出されたトナー残量状態、ドラム回転時間計数手段で計数された感光体ドラムの回転時間を、エンジン制御部１１７の不揮発メモリ１０３に記憶する。 - 特許庁 - The non-volatile SONSNOS memory comprises first and second insulating films stacked on a channel of a substrate, first and second dielectric films formed between the upper part of the first insulating film and the lower part of the second insulating film, and a group IV semiconductor film, silicon quantum dots, or metal quantum dots, inserted between the first dielectric film and the second dielectric film.
基板のチャンネル上に積層される第１及び第２絶縁膜と、第１絶縁膜の上部と第２絶縁膜の下部に形成される第１及び第２誘電膜、並びに第１及び第２誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性ＳＯＮＳＮＯＳメモリ。 - 特許庁 - This device includes a non-volatile memory element 20 having a floating gate to which holes or electrons are injected, a retention sensitivity cell 23 having a floating gate or a charge gain sensitivity cell 22 having a floating gate, electron/hole control circuit 24, 28 for controlling electron quantity or holes of the floating gate of the retention sensitivity cell 23 or the change gain sensitivity cell 22.
正孔又は電子が注入されるフローティングゲートを有する不揮発性メモリ素子２０と、フローティングゲートを有するリテンション感度セル２３又はフローティングゲートを有するチャージゲイン感度セル２２と、前記リテンション感度セル２３又はチャージゲイン感度セル２２の前記フローティングゲートの電子量又は正孔を制御するための電子・正孔制御回路２４，２８とを含む。 - 特許庁 - A reproducing device reading music information stored in a disk-like storage medium by using an optical pickup correlatively stores a content of the reproduction fault and information for analyzing the reproduction fault when the reproduction fault occurs in a non-volatile memory with the occurrence of the reproduction fault during reproduction of the disk-like storage medium as a trigger.
ディスク状記憶媒体に記憶された音楽情報を光ピックアップを使用して読み出す再生装置において、ディスク状記憶媒体の再生中に再生障害が発生したことをトリガーとして、再生障害の内容と、再生障害が発生した時における再生障害の解析のための情報を関連付けて不揮発性のメモリに記憶する。 - 特許庁 - The initial condition of a stack 133e in an application (applet) starting condition and the initial value of a register 133d in the application (applet) starting condition are preliminarily stored in a non-volatile memory 133a, and those data are copied to the stack 133e and the register 133d when power is supplied, so that the application can be quickly started.
アプリケーション（アプレット）起動状態におけるスタック１３３ｅの初期状態と、アプリケーション（アプレット）起動状態におけるレジスタ１３３ｄの初期値を、予め不揮発性メモリ１３３ａに保存しておき、電源投入時にこれらのデータをスタック１３３ｅ及びレジスタ１３３ｄにコピーすることにより、そのアプリケーションを高速起動させることができる。 - 特許庁 - Since the paper gap PG is adjusted only by comparing the present state parameter with the conveyance error parameter 29a recorded in the non-volatile memory 29, ink and the paper P for adjusting the paper gap are prevented from being wastefully consumed, and also shortening of time spent for adjusting the paper gap is achieved, so that efficiency is increased very much.
また、現在の状態パラメーターと、不揮発性メモリー２９に記録された搬送エラーパラメーター２９ａとを比較するのみでペーパーギャップＰＧを調整するように構成されているため、ペーパーギャップを調整するためのインクや用紙Ｐの無駄な消費がないとともに、ペーパーギャップの調整に費やす時間の短縮を図ることができるため非常に効率がよい。 - 特許庁 - This control device is equipped with a sensor for detecting positional information on a movable part of a movable mechanism driven by the actuator, a control part provided with a volatile memory for storing the positional information and for driving the actuator based on the stored positional information, and the power supply part for supplying power to the actuator, the sensor, and the control part.
この制御装置は、アクチュエータで駆動される可動機構の可動部についてその位置情報を検出するセンサと、その位置情報を記憶する揮発性メモリが設けられており、記憶された位置情報に基づきアクチュエータの駆動を制御する制御部と、アクチュエータ、センサ及び制御部に電力を供給する電力供給部とを備える。 - 特許庁 - The non-volatile memory device containing a resistance-varying material comprises a lower electrode, a first oxide layer formed of an oxide having a variable oxidation state on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer, and an upper electrode formed on the second oxide layer.
可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第１酸化層と、第１酸化層上に形成された第２酸化層と、第２酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - This image processor is also provided with a non-volatile memory including an FROM in which an image processing program associated with the adding/changing functions to be transferred to the FPGA is stored, and the rewriting of records is made arbitrarily available.
追加／変更の機能に関する画像処理をプロセッサに代わって担い、かつプロセッサの指示で作動するところの専用ハードウエア的な処理を行うＦＰＧＡを設け、ＦＰＧＡに渡す追加／変更の機能に関する画像処理プログラムを記憶し、かつ記録の書き換えが任意にできるＦＲＯＭを含む不揮発性メモリーを設けたことを特徴とする。 - 特許庁 - The non-volatile memory element is provided with the recording medium including a lower electrode, a ferroelectric film which is formed on the lower electrode and in which data are recorded, a barrier layer formed on the ferroelectric film and a semiconductor layer formed on the barrier layer and with a probe used for recording/reproducing data in/from the recording medium.
下部電極、この下部電極上に形成され、データが記録される強誘電膜、この強誘電膜上に形成された障壁層およびこの障壁層上に形成された半導体層を含む記録媒体と、この記録媒体に／からデータを記録／再生するために使われる探針とを備える不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - The radio wave module 1 has a main battery 32 removably set in a primary radio wave module body 2 and is configured to supply operating electric power from a sub-battery 9 to a volatile memory 60 and an abnormality detection section 57 even when the main battery 32 is not set in the primary radio wave module body 2 normally.
電波モジュール１は、メイン電池３２が電波モジュール本体２に対して着脱可能に構成されていると共に、メイン電池３２が電波モジュール本体２に対して正常に装着されていない態様であっても、サブ電池９から揮発性メモリ６０及び異常検出部５７へ動作電力が供給されるように構成されている。 - 特許庁 - To provide a vehicular backup system capable of taking countermeasures for the voltage drop of a power supply device without losing any backup data in a volatile memory of an ECU, and a dark current reducing device capable of preventing any voltage drop of the power supply device of a vehicle even when the vehicle is stopped for a long time.
ＥＣＵの揮発性メモリのバックアップデータを失うことなく電源装置の電圧降下に対する対策を可能とする車両用バックアップシステムを提供すること、および、車両を長期にわたり停車する場合でも、車両の電源装置の電圧降下を招くことを防止することができる暗電流低減装置を提供すること。 - 特許庁 - In information recording processing to an information recording medium, the recording processing of backup management information to a non-volatile memory is performed prior to the normal recording processing of management information including access information corresponding to the recording information, and the recording processing of the backup management information is ended, and the recording processing of the normal management information is performed.
情報記録媒体に対する情報記録処理に際して、記録情報に対応するアクセス情報を含む管理情報の正規の記録処理に先行して不揮発性メモリに対するバックアップ管理情報の記録処理を実行し、バックアップ管理情報の記録処理終了後、正規の管理情報の記録処理を実行する。 - 特許庁 - A non-volatile memory element manufacturing method includes a process of forming a tunnel layer including a metal silicate layer on a semiconductor substrate; a process of forming a charge trap layer on the metal silicate layer; a process of forming a charge block layer on the charge trap layer; and a process of forming a gate layer on the charge block layer.
半導体基板上に金属シリケート層を含むトンネル層を形成する工程と、前記金属シリケート層上に電荷トラップ層を形成する工程と、前記電荷トラップ層上に電荷ブロック層を形成する工程と、前記電荷ブロック層上にゲート層を形成する工程とを含んで非揮発性メモリ素子製造方法を構成する。 - 特許庁 - In the case of executing initialization at the time of turning on a power supply in order to speed up even processing, a transfer program stored in a ROM 12 transfers a program from the ROM 14 to an execution RAM 13 being a high-speed volatile memory such as an SRAM, and at the occurrence of an event, the CPU 11 executes the program stored in the RAM 13.
一方、イベント処理の高速化のため、ＲＯＭ１２に格納される転送プログラムにより、電源投入時の初期化の際に低速ＲＯＭ１４から高速型揮発性メモリの例えばＳＲＡＭによる実行ＲＡＭ１３に転送し、イベント発生の際にＣＰＵ１１は、高速型の実行ＲＡＭ１３上でプログラムを実行している。 - 特許庁 - Then, at the time of registering the automatic transaction device 1, the store number and machine number printed on the surface of the card for registering data are confirmed, and the data for operation are read from the magnetic stripe of the card for registering data by a CRP part 4 of the automatic transaction device, and the read data for operation are registered in the non-volatile memory of a control part 11.
そして、自動取引装置１の設置時に、データ登録用カードの表面に印字された店番号機械番号を確認して、該当する自動取引装置１のＣＲＰ部４によりデータ登録用カードの磁気ストライプから稼動用データを読み取り、その読み取った稼動用データを制御部１１の不揮発性メモリに登録する。 - 特許庁 - The HMI information processing section 110 performs control to inhibit the display of a log in screen and to display only an access authentication registration screen when the access authentication information of the maximum access right is not registered in the non-volatile memory 111 when the external display device 300 accesses a protection controller body 100 via an IP communication network 200.
ＨＭＩ情報処理部１１０は、外部表示器３００がＩＰ通信網２００を介して保護制御装置本体１００にアクセスする際、不揮発性メモリ１１１に最高アクセス権限のアクセス認証情報が未登録の場合には、ログイン画面の表示を禁止して、アクセス認証登録画面のみを表示する制御を行う。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of illegal operation in the case of shifting data in order to update a card and to attain sure and safe data shift for the update of the card by reducing dangerousness of wire tapping of data without storing data read out from and old card in a non-volatile memory at the time of updating an IC card and limiting the writing frequency of data only to one operation.
ＩＣカード更新時に、旧カードから読み出したデータを不揮発性メモリに保存することなくして、データの盗聴の危険性を低下させ、また新カードへの更新時にデータ書き込み回数を１回に制限することにより、カード更新時のデータ移行の際の不正をなくし、確実で安全なカード更新時データ移行を実現することを目的とする。 - 特許庁 - A control device 1 reads all the configuration data in a plurality of data formats corresponding to FPGA 2, 3, 4 and 5 in parallel at once from a non-volatile memory 6, and serial converts the read configuration data in the various data formats, and transmits the configuration data to the FPGA 2, 3, 4 and 5 corresponding to the respective data formats for carrying out configuration.
制御デバイス１は、ＦＰＧＡ２、３、４、５に対応した複数データ形式のコンフィグレーションデータを全て、不揮発性メモリ６から１度に並行して読み取り、読み取った複数種類のデータ形式のコンフィグレーションデータを、シリアル変換した後、各データ形式に対応したＦＰＧＡ２、３、４、５にそれぞれ送信してコンフィグレーションを行う。 - 特許庁 - In the case of initializing an one-chip microcomputer, specific data are previously stored in a specific address of a RAM 6, and after checking that the contents of the specific address of the RAM 6 having a volatile characteristic coincide with contents obtained at the time of initialization, the step-up operation of a booster circuit 17 and the data rewriting operation of a flash memory 1 are started.
１チップマイクロコンピュータを初期化する際にＲＡＭ６の特定番地に特定データを予め格納し、揮発特性を有するＲＡＭ６の特定番地の内容が初期化時点の内容と同一であることを確認してから、昇圧回路１７の昇圧動作とフラッシュメモリ１のデータ書き換え動作とに移行する構成とした。 - 特許庁 - The 1st data showing that the process cartridge is a new one, the 2nd data (S48) showing that the process cartridge is released from the new one, and the 3rd data (S44) showing that the process cartridge is in a state other than the above states are stored in the non-volatile memory (EEPROM) of the process cartridge.
プロセスカートリッジの不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）には、このプロセスカートリッジが新品状態であることを表す第１のデータと、このプロセスカートリッジが新品解除状態であることを表す第２のデータ（Ｓ４８）と、このプロセスカートリッジについてそれらの状態以外の状態を表す第３のデータ（Ｓ４４）とが格納されるようになっている。 - 特許庁 - When a pachinko game machine 1 transmits a working chucker prize winning signal and a jackpot signal from a signal output terminal 58c associated with the execution of games, an electronic pet 101 mounted on the pachinko game machine 1 receives the signal transmitted with a signal input terminal 107a and a growth data is loaded into a non-volatile memory 114 from the signal.
パチンコ機１が、遊技の実行に伴って信号出力端子５８ｃより作動チャッカー入賞信号、大当り信号を送信すると、パチンコ機１に装着された電子ペット１０１が、送信された信号を信号入力端子１０７ａにより受信し、これに基づいて育成データを不揮発性メモリ１１４に書き込む。 - 特許庁 - The non-volatile memory has a corresponding media identifier UID, and comprises a public area, a hidden area, and a reserved hidden area for data storage, in which a security program is stored in the public area, and a first firmware 132 for retrieving the media identifier and a second firmware 134 for accessing the hidden area are stored in the reserved hidden area.
不揮発性メモリは対応するメディア識別子UIDを有し、且つ、公開領域、隠蔽領域、及び、保留隠蔽領域を有して、データを保存し、セキュリティプログラムは公開領域に保存され、メディア識別子を回収する第一ファームウェア１３２と隠蔽領域にアクセスする第二ファームウェア１３４は、保留隠蔽領域に保存される。 - 特許庁 - An active noise canceler 4 outputs a signal for requesting learning of a noise pattern to the hard disk drive 3, instructs the drive 3 to carry out the prescribed action, receives the noise sound of this case in a sound receiving section 12 and stores the relation between the head action information signal outputted from the drive 3 and the noise sound in a non-volatile memory section 11.
アクティブ・ノイズ・キャンセラー４は、ハードディスクドライブ３に対してノイズパターン学習要求信号を出力し、ハードディスクドライブ３に所定の動作を行わせるとともに、この場合のノイズ音を受音部１２により受音するとともに、ハードディスクドライブ３から出力されるヘッド動作情報信号とノイズ音との関係を不揮発性メモリ部１１に記憶する。 - 特許庁 - The semiconductor device having a test mode comprises a non-volatile memory 1 for storing a test mode control code at a specific address, a generator 3 for generating a fixed value indicating test mode prohibition/permission, and a hamming distance judging circuit 4 for controlling shift to the test mode according to whether the hamming distance between the control code and the fixed value is lower than a specific value or not.
テストモードを有する半導体装置であって、所定番地にテストモード制御コードを記憶する不揮発性メモリ１と、テストモード禁止／許可を示す固定値を発生する発生部３と、前記制御コードと前記固定値とのハミング距離が所定数以下であるか否かに応じて前記テストモードへの移行を制御するハミング距離判定回路４とを備える。 - 特許庁 - A salvage processing part performs salvage processing in which annual ring data which is recorded in the optical disk but is not reflected to a file system is reflected to the file system for each of a plurality of annual ring data constituting the file based on a key salvage marker pointer included in the final salvage marker stored in the volatile memory and arrangement information of the annual ring data recorded in the optical disk.
サルベージ処理部は、揮発メモリに記憶された最終サルベージマーカに含まれる、キーサルベージマーカポインタと、光ディスクに記録された年輪データの配置情報とに基づいて、ファイルを構成する複数の年輪データ毎に、光ディスクに記録されてはいるがファイルシステムに反映されていない年輪データをファイルシステムに反映させるサルベージ処理を実行する。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory comprises a control circuit, which performs a function in which external addresses provided to an input/output pin are stored in a column address register when the external addresses are applied to the input/output pin during data is transmitted to the input/output pin from an internal register or during data is transmitted to a register from the input/output pin.
不揮発性半導体メモリ装置は、制御回路を含み、その制御回路は、データが内部のレジスタから入出力ピンに伝達される間、又は、入出力ピンからレジスタに伝達される間、入出力ピンに外部アドレスが印加される時、入出力ピンに提供された外部アドレスを列アドレスレジスタに貯蔵する機能を実行する。 - 特許庁 - When the walking signal from the walking detection part 110 is not acquired for a prescribed time, a processing part 103 stores the walking data stored in the storage part 108 in a backup part 109 configured of the non-volatile memory, and controls a walking detection part 110 through a power source circuit 104 to intermittently detect walking instead of continuous detection.
処理部１０３は、歩行検出部１１０からの歩行信号が所定時間得られない場合に、記憶部１０８に記憶した歩行データを不揮発性メモリなら成るバックアップ部１０９に記憶すると共に、歩行の連続検出動作から間欠検出動作に移行するように電源回路１０４を介して歩行検出部１１０を制御する。 - 特許庁 - To provide a printing device calculating a distance between a paper terminal end detection sensor and a printing mechanism part in a dot unit, capable of automatically performing that the distance is memorized in a non-volatile memory element and simplifying a series of operation until the distance calculated from adjustment of a paper terminal end detection sensor position is reflected to a printable paper residual amount calculation means.
用紙終端検出センサと印刷機構部間の距離をドット単位で算出し、当該距離を不揮発性記憶素子に記憶させることが自動的に実行できて、また、用紙終端検出センサ位置の調整から算出した距離を印刷可能用紙残量算出手段に反映するまでの一連の操作を簡素化することができる印刷装置を提供する。 - 特許庁 - As minute potential difference can be detected by using a sense amplifier 101 of a differential type for read-out and inputting potentials of a Data line and a DataX line to its input IN+ and IN-, data of a pair of non-volatile memory elements having small difference of threshold values of a depression state in which write-in is shallow and an enhancement state can be read out.
読み出しには差動型のセンスアンプ１０１を使用しその入力ＩＮ＋とＩＮ−にそれぞれＤａｔａ線とＤａｔａＸ線の電位を入力することで、わずかな電位差も検出することができるので、書き込みの浅いすなわちデプレッション状態とエンハンスメント状態のしきい値の差が小さな不揮発性メモリ素子対のデータも読み出し可能となる。 - 特許庁
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