「YN」を含む例文一覧(169)
＜前へ 1 2 3 4 次へ＞- A Y-electrode driver renders column electrodes Y1 to Yn into a floating state in the rising period of the sustain pulse IP applied to the respective column electrodes X1 to Xn, and then sets the column electrodes Y1 to Yn into the ground potential in the rest application period of sustain pulses IP.
Ｙ電極ドライバは、行電極Ｘ1〜Ｘn各々に印加されるサスティンパルスＩＰの立ち上がり期間には行電極Ｙ1〜Ｙnをフローティング状態とし、その後のサスティンパルスＩＰの残りの印加期間には行電極Ｙ1〜Ｙnを接地電位の状態に設定する。 - 特許庁 - Pixels 2 are arranged corresponding to respective crossings of scanning lines Y1 to Yn and data lines X1 to Xm and are commonly connected to mutually adjacent power supply lines (L1 and L2, for example) among power supply lines L1 to Ln+1 that are provided corresponding to the scanning lines Y1 to Yn.
それぞれの画素２は、走査線Ｙ1〜Ｙnとデータ線Ｘ1〜Ｘmとの各交差に対応して設けられているとともに、走査線Ｙ1〜Ｙnに対応して設けられた電源線Ｌ1〜Ｌn+1のうち、互いに隣接した電源線（例えばＬ1，Ｌ2）に共通接続されている。 - 特許庁 - Individual pixels 2 are arranged according to crossings of scanning lines Y1 to Yn and data lines X1 to Xm and are commonly connected to mutually adjacent power supply lines (L1 and L2, for example) among power supply lines L1 to Ln+1 that are corresponding provided to the scanning lines Y1 to Yn.
それぞれの画素２は、走査線Ｙ1〜Ｙnとデータ線Ｘ1〜Ｘmとの各交差に対応して設けられているとともに、走査線Ｙ1〜Ｙnに対応して設けられた電源線Ｌ1〜Ｌn+1のうち、互いに隣接した電源線（例えばＬ1，Ｌ2）に共通接続されている。 - 特許庁 - From the counter value of the position (PF counter) of a tray, the respective coordinates yn of 180 nozzles relative to the center point C of a disk D2 are calculated.
トレイの位置（ＰＦカウンタ）の計数値から、ディスクＤ２の中心点Ｃに対する１８０個の各ノズルの座標ｙnを計算する。 - 特許庁 - A correction voltage calculation unit 111 calculates a correction voltage Vcor to be used as reference amplitude by expression [{Yn+(-Xn)}/2], wherein Xn denotes a difference between an average voltage and positive polarity-side driving voltages of a certain pixel, and Yn denotes a difference between an average voltage and negative polarity-side driving voltages of a certain pixel.
補正電圧算出部１１１は、基準振幅にするための補正電圧Ｖcorを、ある画素の正極性側駆動電圧の平均電圧に対する差分をＸn、ある画素の負極性側駆動電圧の平均電圧に対する差分をＹnとすると、式［｛Ｙn＋（−Ｘn）｝／２］により算出する。 - 特許庁 - To provide a method for catalytically isomerizing Z-3-methylpent-2- en-4-yn-1-ol in a mixture of Z and E, stereoisomers, being an intermediate useful for producing vitamin A, to E-3-methylpent-2-en-4-yn-1-ol.
ビタミンＡの製造のための有用な中間体である、Ｚ及びＥ立体異性体の混合物におけるＺ−３−メチルペント−２−エン−４−イン−１−オールをＥ−３−メチルペント−２−エン−４−イン−１−オールに触媒的に異性化するための方法を提供する。 - 特許庁 - The theoretical fluorescent brightness data C (Xn, Yn) of the whole photographing place are operated by the theoretical calibration curve of reflected exciting light brightness data E (Xn, Yn) and fluorescence brightness from the relation between the brightness value obtained from a CCD camera 50 and the position of an exciting light reflecting part (S24).
ＣＣＤカメラ５０から得た輝度値と励起光反射部位置との関係から反射励起光輝度データＥ（Ｘｎ，Ｙｎ）と蛍光輝度との理論上の検定線により全撮影箇所の理論上の理論蛍光輝度値データＣ（Ｘｎ，Ｙｎ）を演算する（Ｓ２４）。 - 特許庁 - Theoretical fluorescent brightness value data C (Xn, Yn) of all the photographed places are theoretically computed by a theoretical calibration curve between reflected excitation light brightness data E (Xn, Yn) and fluorescence brightness, based on a relation between the brightness value obtained from a CCD camera 50 and a position of an excitation light reflecting part (S24).
ＣＣＤカメラ５０から得た輝度値と励起光反射部位置との関係から反射励起光輝度データＥ（Ｘｎ，Ｙｎ）と蛍光輝度との理論上の検定線により全撮影箇所の理論上の理論蛍光輝度値データＣ（Ｘｎ，Ｙｎ）を演算する（Ｓ２４）。 - 特許庁 - A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16.
Ｍｇ、Ｚｎ、ＣｄがドープされたＧａＮまたはＡｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を、この層に使用することができる。 - 特許庁 - A photodetection signal CHO(y) is selected by a select signal MPX based upon an out put signal CHO(Yn) of each photodetection part 230.
受光信号ＣＨＯ（ｙ）は、各受光部２３０の出力信号ＣＨＯ（Ｙｎ）に基づく選択信号ＭＰＸにより選択される。 - 特許庁 - The difference between the dimple share Yc (%) in all spherical crown parts and the dimple share Yn (%) in the non-spherical crown part is from 5% to 30%.
全ての球冠部におけるディンプル占有率Ｙｃ（％）と、非球冠部におけるディンプル占有率Ｙｎ（％）との差は、５％以上３０％以下である。 - 特許庁 - The locations P1 (x1, y1, t1) at a time t1 to the locations Pn (xn, yn, tn) at a time tn of the drifting pole Fa are, for example, obtained.
例えば漂流棹Ｆａの時刻ｔ１における位置Ｐ１（Ｘ１、Ｙ１、ｔ１）、・・・時刻ｔｎにおける位置Ｐｎ（Ｘｎ、Ｙｎ、ｔｎ）を求める。 - 特許庁 - Offset values o(Y0), o(Y1), ..., o(Yn) are added to the orthogonal section shape data Zg_Y0, Zg_Y1, ..., Zg_Yn to find corrected orthogonal section shape data Zg_Y0', Zg_Y1', ..., Zg_Yn'.
直交断面形状データＺｇ＿Ｙ０，Ｚｇ＿Ｙ１，・・・，Ｚｇ＿Ｙｎにオフセット値ｏ（Ｙ０），ｏ（Ｙ１），・・・，ｏ（Ｙｎ）を加算し、補正直交断面形状データＺｇ＿Ｙ０´，Ｚｇ＿Ｙ１´，・・・，Ｚｇ＿Ｙｎ´を求める。 - 特許庁 - To obtain a high-performance compound semiconductor element by a method, wherein high performance GaxAlyIn1-x-yN layers are grown on a substrate.
高品質のＧａ_ｘ Ａｌ_ｙ Ｉｎ_１−ｘ−ｙ Ｎを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The illumination display device 100 includes data lines Y1 to Yn, selection signal lines X1 to Xm, illumination signal lines Z1 to Zm, and pixel circuits 110.
発光表示装置は１００、データ線Ｙ１〜Ｙｎ、選択信号線Ｘ１〜Ｘｍ、発光信号線Ｚ１〜Ｚｍ、及び画素回路１１０が形成されている。 - 特許庁 - An n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11, a light-emitting layer 12 and a p-type Al_xGa_yIn_1-x-y N layer 13 are formed to a dielectric substrate 10, such as sapphire.
サファイア等の誘電体基板１０に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１、発光層１２、ｐ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１３を形成する。 - 特許庁 - In an organic EL display, a pixel circuit 20 (20R, 20G, 20B) is installed in the intersection of each scanning line Y1-Yn and each data line.
有機ＥＬディスプレイには各走査線Ｙ１〜Ｙｎと各データ線との交差部にそれぞれ画素回路２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が設けられている。 - 特許庁 - A cap layer 15 composed of AlyGa1-yN (0<x<y<1) is arranged above the GaN electron transit layer 14, and positive piezoelectric charges are accumulated in this interface.
またＧａＮ電子走行層１４上にＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０＜ｘ＜ｙ＜１）キャップ層１５に設けこの界面に正のピエゾ電荷を蓄積する。 - 特許庁 - Offset values o(Y0), o(Y1), ..., o(Yn) are found so that height data at a position of intersection of the parallel section shape data Zf_X0 and the orthogonal section shape data is equal.
平行断面形状データＺｆ＿Ｘ０と直交断面形状データとの交差位置の高さデータが等しくなるようにオフセット値ｏ（Ｙ０），ｏ（Ｙ１），・・・，ｏ（Ｙｎ）を求める。 - 特許庁 - The laser element has a superlattice structure, which consists of AlxGa1-xN/InyGa1-yN (0<x<1, 0≤y<1).
また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層はＡｌ_xＧａ_1-xＮ／Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）からなる超格子構造を有することを特徴とする。 - 特許庁 - Striped electrodes Xn, Yn respectively constituted of transparent electrodes 1X, 1Y and bus electrodes 2X, 2Y are formed on a surface 5S of a front glass substrate 5.
前面ガラス基板５の表面５Ｓ上に、透明電極１Ｘ，１Ｙとバス電極２Ｘ，２Ｙから成るストライプ状の電極Ｘｎ，Ｙｎが形成されている。 - 特許庁 - The spacer layer can be disposed by being estranged advantageously so as to allow the In_xAl_yGa_1-x-yN layer and any pollutants inside to be moved away from the light-emitting layer.
スペーサ層は、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ層及び内部の何らかの汚染物質を発光層から遠ざかるように有利に離間して配置することができる。 - 特許庁 - To provide an Al_xGa_yIn_1-x-yN substrate capable of stably growing a high quality epitaxial membrane, and a cleaning method for obtaining the substrate.
高品質のエピタキシャル膜を安定して成長できるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板とこのＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板を得るための洗浄方法を提供する - 特許庁 - When one frame period is started by a vertical scanning start signal, a plurality of scanning lines Y1 to Yn is sequentially selected, and setting operation to perform setting according to a data signal every time one of the scanning lines Y1 to Yn is selected, and reset operation to halt light emission of an organic EL element are repeated alternately.
垂直走査開始信号により１フレーム期間が開始されると、複数の走査線Ｙ１−Ｙｎを順に選択し、走査線Ｙ１−Ｙｎの１つを選択する毎にデータ信号に応じて設定するセット動作と、有機ＥＬ素子の発光を停止させるリセット動作とを交互に繰り返して行う。 - 特許庁 - Travel schedule data Dsc is made for indicating travel expected positions Xn, Yn and Zn of one's own vehicle and the travel expected time Tn in these travel expected positions Xn, Yn and Zn (Step S130), and this travel schedule data Dsc is transmitted to the surrounding vehicle by using an inter-vehicle communication device 130 (Step S140).
自車の走行予定位置（Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎ）と、この走行予定位置（Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎ）における走行予定時刻（Ｔｎ）とを示した走行スケジュールデータＤｓｃを作成し（ステップＳ１３０）、この走行スケジュールデータＤｓｃを車車間通信装置１３０を用いて周辺車両に送信する（ステップＳ１４０）。 - 特許庁 - Fingerprint data Yn for collation inputted from a new fingerprint feature extracting means 4 are collated with converted registered fingerprint data Yot by a collation means 6, the collated result is counted by an OK counter 7 and when that count value exceeds a specified value 8, fingerprint data Yn for collation are registered again.
新設指紋特徴抽出手段４から入力する照合用指紋データＹｎと上記変換した登録指紋データＹｏｔとを照合手段６で照合し、その照合結果をＯＫカウンタ７でカウントし、そのカウント値が規定値８を超えると、照合用指紋データＹｎを再登録する。 - 特許庁 - Map display area groups obtaining necessary map DB information P(Xn, Yn) are determined in scale, and relating map information and area information are obtained (S1308).
そして必要な地図ＤＢ情報Ｐ（Ｘｎ、Ｙｎ）を取得する地図表示エリア群、スケール決定を行い、関連する地図情報とエリア情報を取得する（Ｓ１３０８）。 - 特許庁 - A DAC value Xmin whose jitter value is minimum is found based on the measured jitter value Yn, and the DAC value Xmin thus obtained is the reference DAC value (S109).
以上、測定されたジッター値Ｙｎに基づいて、ジッターが最小となるＤＡＣ値Ｘｍｉｎを求め、そのＤＡＣ値Ｘｍｉｎを基準ＤＡＣ値とする（Ｓ１０９）。 - 特許庁 - A liquid crystal display device is equipped with a plurality of scanning lines Y1 to Yn and a plurality of data lines X1 to Xm which are wired crossing the respective scanning lines.
液晶表示装置は、複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎと、各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線Ｘ１〜Ｘｍとを備えている。 - 特許庁 - A plurality of teeth Xn or Yn or other or a surface belt of high friction coefficient or simple adhesiveness may be applied to the single face or both faces of the base plate V in the side P.
辺Ｐには、複数の歯ＸｎかＹｎ等又は高摩擦係数か簡易接着性の表面帯を、基板Ｖの片面又は両面に施しても良い。 - 特許庁 - Consequently, even if the receivers 211-21n are not located in a line, the positions of the receivers 211-21n are precisely acquired as the coordinates (x1, y1)-(xn, yn).
そのため、受波器２１１〜２１ｎが直線状に並んでいなくても、受波器２１１〜２１ｎの位置が座標（ｘ１，ｙ１）〜（ｘｎ，ｙｎ）として正確に捉えられる。 - 特許庁 - Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.
また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁 - A unit normal vector Nincl (Xn, Yn, Zn) is obtained, and a shift amount Δshif (ΔU, ΔV) for shift from an originally set vertical position (U0, V0) to a corrected position (Uc, Vc) is calculated.
単位法線ベクトルＮincl（Ｘn，Ｙn，Ｚn）を求め、元々設定されている垂直位置（Ｕ0,Ｖ0）から補正位置（Ｕc,Ｖc）へシフトさせるシフト量Δshif（ΔＵ,ΔＶ）を計算する。 - 特許庁 - The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.
本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁 - This display element 1 is provided with a laminated structure wherein a plurality of first linear electrode materials X1-Xn and a plurality of second linear electrode materials Y1-Yn are provided to intersect mutually, and a positive electrode, a luminous layer and a negative electrode are laminated at the intersection where the first electrode materials X1-Xn and the second electrode materials Y1-Yn intersect.
表示素子１は、線状を有する複数の第１の電極材Ｘ１〜Ｘｎと、線状を有する複数の第２の電極材Ｙ１〜Ｙｎとが互いに交差するように設けられ、第１の電極材Ｘ１〜Ｘｎおよび第２の電極材Ｙ１〜Ｙｎの交点に陽極、発光層、陰極が積層されてなる積層構造が設けられている。 - 特許庁 - An active layer 4 including an InxAlyGa1-x-yN (0<x<1, 0≤y≤0.2) light emitting layer is formed by using an organometallic vapor growth method in which the partial pressure of ammonia gas is set as 110 hPa.
Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ≦０．２）発光層を含む活性層４を、アンモニアガスの分圧を１１０ｈＰａとした有機金属気相成長法により成膜する。 - 特許庁 - A group III nitride-based high electron mobility transistor (HEMT) 20 includes a GaN buffer layer 26, and an Al_yGa_1-yN(y=1 or ≒1) layer 28 exists on the GaN buffer layer 26.
ＩＩＩ族窒化物系高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２０は、ＧａＮバッファ層２６を備えており、Ｇａｎバッファ層２６上にＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（ｙ＝１又は≒１）層２８がある。 - 特許庁 - The n-type-layer-side cladding layer 103 is a superlattice layer having a periodic structure of In_yGa_1-yN (0<y<1) layer 131, Al_xGa_1-xN (0<x<1) layer 132 and a GaN layer 133.
ｎ層側クラッド層１０３は、Ｉｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）層１３１、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２、及び、ＧａＮ層１３３の周期構造から成る超格子層である。 - 特許庁 - In a plasma display device, first and second transistors (yp and Yn) are coupled between a first power source for supplying a first voltage and a second power source for supplying a second voltage lower than the first voltage.
第１電圧を供給する第１電源及び第１電圧より低い第２電圧を供給する第２電源の間に第１及び第２トランジスタ（Ｙｐ、Ｙｎ）が連結されている。 - 特許庁 - The photographing position (Xm, Ym) and the photographing azimuth angle Dm of a displayed image Pm are read, and the current position (Xn, Yn) and the azimuth angle θn of a digital camera 10 are captured.
表示中の画像Ｐｍの撮影位置（Ｘｍ，Ｙｍ）及び撮影方位角Ｄｍを読み取り、デジタルカメラ１０の現在位置（Ｘｎ，Ｙｎ）及び方位角θｎを取り込みとる。 - 特許庁 - In the laser element, the superlattice layer has a superlattice undoped layer, in which impurities are not doped in both the AlxGa1-xN layer and the InyGa1-yN layer on the active layer side, and a superlattice impurity doped layer, in which impurities are doped in at least one of the AlxGa1-xN layer and the InyGa1-yN layer outside the active layer.
また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層は、活性層側に前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層および前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ層のいずれにも不純物がドープされていない超格子ノンドープ層と、活性層の外側に前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層または前記Ｉｎ_yＧａ_1_-yＮ層の少なくとも一方に不純物がドープされた超格子不純物ドープ層とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - P-type InGaAlN layer 2, InGaAlN active layer 3, and n-type InGaAlN layer 4 where compositions are expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1) are formed on a sapphire substrate 1.
サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。 - 特許庁 - The quantum well structure 19 comprises a plurality of first well layers 21 formed of In_xGa_1-xN, one or a plurality of second well layers 23 formed of In_yGa_1-yN, and barrier layers 25.
量子井戸構造１９は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層２１、Ｉｎ_ＹＧａ_１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層２３、およびバリア層２５を含む。 - 特許庁 - At each bit of a circuit cell array, a rectangular output electrode (pad) 8N of its own driver output YN is formed at the shortest adjacent region of each stage 7N of the driver circuit part 7 in each bit of the circuit cell array.
各ビットの信号電極８_1 〜８_N はドライバ回路部に隣接した中心線Ｌ_1 に沿うＸ方向帯状領域３３に形成され、出力電極８_i+1 〜８_N は千鳥状に配列されている。 - 特許庁 - When a touch position is detected, the scan sensing circuit repeatedly and sequentially scans first ends Y1a, Y2a, Y3a... Yna of each of conductive strips Y1, Y2, Y3... Yn.
タッチ位置を検知するとき、走査検知回路によって該第２導電層のそれぞれの帯状導電体Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３．．．Ｙｎの第１端Ｙ１ａ、Ｙ２ａ、Ｙ３ａ．．．Ｙｎａを繰り返して循環走査する。 - 特許庁 - That is, the other white line candidate is detected on N lines whose y coordinate values are yN, yN_-1,..., y_1, and the distance between the recognized white line and the detected white line is calculated as the distance on the line (S110-S155).
すなわち、ｙ座標値がｙ_N ，ｙ_N-1 ，・・・，ｙ_1 となるＮ本のライン上で他の白線候補を検出し、このライン上の距離として、認識白線と検出白線との距離を算出する（Ｓ１１０〜Ｓ１５５）。 - 特許庁 - Then, by setting a size of the posterior probability P'(Ck(f)|X(f,τ)) as the index, the observation signal Xm of the frequency domain which is determined to belong to a class Ck(f) is extracted as a separation signal Yn(f,τ) of the frequency domain.
そして、事後確率P’(C_k(f)|X(f,τ))の大きさを指標とし、クラスC_k(f)に属すると判定される周波数領域の観測信号X_m(f,τ)を周波数領域の分離信号Y_n(f,τ)として抽出する。 - 特許庁 - An Al_xGa_1-xN(0≤x≤0.5) barrier layer 30 exists on the Al_yGa_1-yN layer 28 on the reverse side of the GaN buffer layer 26, and the Al concentration of the layer 28 is higher than that of the barrier layer 30.
Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．５）バリア層３０が、ＧａＮバッファ層２６の反対側でＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８上にあり、該層２８のＡｌ濃度は、バリア層３０よりも高い。 - 特許庁 - On a Y_3Al_5O_12 substrate 1 using (111) face as its principal surface, an In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) nitride semiconductor layer is formed.
（１１１）面を主面とするＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２を基板１とし、この上にＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）から成る窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor element has the polarization junction formed of an In_aGa_1-aN channel layer 9, an Al_xIn_yGa_1-x-yN barrier layer 10, and an In_bGa_1-bN cap layer 11 (0≤a, b, c<0.02).
Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮチャネル層９、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮバリア層１０、およびＩｎ_ｂＧａ_１−ｂＮキャップ層１１により分極接合を形成する（０≦ａ、ｂ、ｃ＜０．０２）。 - 特許庁
- 特許庁
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