「active pixel sensor」を含む例文一覧(93)
＜前へ 1 2- To provide a control circuit for controlling various functions of an image array sensor such as an active pixel image array sensor.
アクティブ画素画像アレイセンサ等の画像アレイセンサの各種機能を制御するための制御回路を提供する。 - 特許庁 - The image sensor has a main pixel array area of an active pixel area formed on a semiconductor substrate.
本発明のイメージセンサは半導体基板上に形成された活性画素アレイ領域のメイン画素アレイ領域を備えている。 - 特許庁 - To provide an active pixel sensor which is configured to enable increase in reliability of electrical connection.
電気接続の信頼性を高めることができるよう構成される能動画素センサを提供する。 - 特許庁 - The active type pixel sensor circuit includes a reset transistor, a silicon rich oxide (SRO) photosensor and a readout transistor.
アクティブピクセルセンサ回路はリセットトランジスタ、ＳＲＯ光検出器および読み出しトランジスタを含む。 - 特許庁 - To provide an image digitizing circuit that is provided with an APS (active pixel sensor) that can conduct a test efficiently.
効率のよいテストを可能にするAPS（能動画素センサ）を備えた画像化回路を提供する。 - 特許庁 - To provide an active pixel sensor(APS) to provide more multi- functional plural arrays for achieving the data transfer of high pixel rate.
高ピクセルレートのデータ転送を達成するために、より多機能な複数アレイを実現するような、アクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）を提供する。 - 特許庁 - The CMOS pixel sensor further provides an active reset operation for reducing noise when resetting a node voltage.
ＣＭＯＳピクセルセンサは、さらに、ノード電圧のリセット時に低雑音をもたらすアクティブリセット動作を提供する。 - 特許庁 - The voltage- independent capacitance device 50 lowers an overall voltage-dependent capacitor of the APS(Active Pixel Sensor).
電圧非依存の静電容量素子は、ＡＰＳ全体としての電圧依存静電容量の効果を低減する。 - 特許庁 - To provide an active pixel sensor APS which allows sub-sampling and quickly and accurately resets almost all pixels.
サブサンプリングを許容すると共にほぼ全てのピクセルの高速かつ正確なリセットを可能にするAPSを提供すること。 - 特許庁 - To provide the active pixel circuit of a CMOS image sensor for obtaining the output with the same output characteristics as that of CCD by improving the pixel structure of the CMOS image sensor.
ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセル構造を改良し、ＣＣＤの出力特性と同一出力が得られるようにしたＣＭＯＳイメージセンサーのアクティブピクセル回路を提供する。 - 特許庁 - By this constitution, by irradiating the active pixel sensor of the integrated circuit 156 with light while the integrated circuit 156 is held by the pickup mechanism for arrangement on a test pad, it is possible to automatically test the active pixel sensor.
これにより、テストパッド上に配置するために集積回路１５６がピックアップ機構によって保持されている間に、集積回路１５６のアクティブ・ピクセル・センサに光を照射して、該アクティブ・ピクセル・センサの自動テストを行える。 - 特許庁 - To safely reset an active pixel sensor array, without causing significant increase in a current that causes destructive latch-up.
破壊的なラッチアップを生じさせる電流の顕著な増加をもたらすことなく能動画素センサアレイを安全にリセットする。 - 特許庁 - The display panel with the built-in optical sensor has an active matrix substrate 100 having a pixel area in which pixels are arranged like a matrix, and at least a part of the pixel area, an optical sensor part 4 is formed.
光センサ内蔵表示パネルは、マトリクス状に画素が配置された画素領域を有するアクティブマトリクス基板１００を有し、画素領域の少なくとも一部に光センサ部４が形成される。 - 特許庁 - The image sensor includes an active pixel area for image capture, one or more black pixel areas disposed by a pre-determined, significant space apart in distance from the active pixel area, and a secondary light shield to prevent light from illuminating the black pixel areas.
画像センサは、画像捕捉のための活性画素領域と、この活性画素領域から所定の有意な間隔を開けて配置された一つ以上の黒色画素領域と、光線がこの黒色画素領域を照明することを防ぐための二次的光線遮蔽体と、を具備する。 - 特許庁 - To provide an active pixel CMOS image sensor employing a pixel exhibiting excellent sensitivity to low level light capable of reading reading repetitively without generating kTC noise.
ｋＴＣノイズを伴うことなく反復読み出しが可能で、低レベル光に対する感度が優れたピクセルを用いたアクティブ型ピクセルＣＭＯＳ画像センサを提供する。 - 特許庁 - The CMOS image sensor is provided with a solid-state imaging CMOS active pixel sensor element comprising a unit pixel which is structured, so that the uniformity of the sensitivity between pixels can be improved, by using the pixel array without the need for an additional light-shielding layer.
追加的な光遮蔽層の必要なしでピクセルアレイにかけてピクセル−ピクセルの間感度の均一度を向上させることができるように構造化された単位ピクセルを含む固体撮像ＣＭＯＳアクティブピクセルセンサー素子が提供される。 - 特許庁 - To provide the pixels which can decrease or exclude the artifacts included in an output image and also to provide an active pixel sensor circuit.
出力画像中のアーチファクトを減少若しくは排除することができるようなピクセルセル及びアクティブピクセルセンサ回路を提供する。 - 特許庁 - An active pixel sensor is formed as a structure of plural optical sensors, an interconnecting layer 210 is formed adjacent to a substrate 200 and a first pixel electrode 222 of a first optical sensor is electrically connected with the substrate 200 through a first interconnecting part 230.
複数光センサ構造とし、相互接続層２１０が基板２００に隣接して形成され、第１の光センサの第１のピクセル電極２２２は第１の相互接続部２３０を通して基板２００に電気的に接続される。 - 特許庁 - To provide an active image sensor with high resolution, low noise, flexible color pattern, high packing density, optimized pixel shape, high density and low crosstalk.
高解像度、低ノイズ、柔軟なカラーパターン、高充填密度、最適化した画素形状、高密度、低クロストークな能動イメージセンサを提供する。 - 特許庁 - To obtain the optimization of two technologies (CMOS and CCD) where pinned photodiodes are integrated into an image sensing element of an active pixel sensor.
ピン止め光ダイオードがアクティブ画素センサーの画像検知要素内に集積される２つの技術（ＣＭＯＳ及びＣＣＤ）の最適化を達成する。 - 特許庁 - To obtain a uniform image sensor by absorbing dispersion of active elements in terms of manufacture and operation used for each pixel of a CMOS image sensor mainly.
主にＣＭＯＳ型イメージセンサの各画素毎に能動素子を用いた場合の能動素子の製造上及び動作上のバラツキを吸収し、均一なイメージセンサを得ることを課題とする。 - 特許庁 - The pixel of the image sensor has a polysilicon film which is expanded such that a portion of the film is overlapped with the upper portion of an active region and the polysilicon film is in buried contact with the active region, in the image sensor having polysilicon and the active region requiring electric connection in the pixel.
本発明のイメージセンサのピクセルは、ピクセル内に互いに電気的に接続が必要なポリシリコンと活性領域を有するイメージセンサにおいて、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域の上部に一部が重なるように拡張され、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域と埋没コンタクト（ｂｕｒｉｅｄ ｃｏｎｔａｃｔ）されたことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an active pixel sensor which utilizes a PIN type photodiode, wherein the color of received light is effectively detected without using a color filter.
カラーフィルタを使用することなく、受光した光の色を効果的に検出できるＰＩＮ型フォトダイオードを利用したアクティブピクセルセンサを提供する。 - 特許庁 - The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.
ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁 - To provide a complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor in which signal to noise ratio can be improved and image lag phenomenon can be decreased.
信号対雑音比を向上させ、イメージラグ現象を減少させることができる相補性金属酸化膜半導体アクティブピクセルセンサを提供する。 - 特許庁 - To provide a circuit for remarkably reducing a low frequency noise in a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) active pixel sensor (APS) imaging system.
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）型アクティブ画素センサ（ＡＰＳ）撮像方式において低周波数ノイズを著しく低減する回路を提供する。 - 特許庁 - To provide an active pixel sensor system that can capture a scene at a high speed, without blurs and have a wide dynamic range for image capturing.
シーンの捕捉が速く、ボケを伴わないシーンの捕捉が可能であり、イメージを捕捉できるダイナミック・レンジが広いアクティブ・ピクセル・センサ・システムを提供する。 - 特許庁 - The first semiconductor chip includes an active pixel sensor, a digital input/output section, and a plurality of control circuits, where all transistors of the active pixel sensor are n-type or p-type transistors, and at least one of the control circuits is operated under control of a timing signal externally inputted into the digital input/output section.
前記第１半導体チップは、アクティブピクセルセンサ、デジタル入力/出力部、および複数の制御回路を含み、前記アクティブピクセルセンサのトランジスタは全てｎ型またはｐ型トランジスタであり、前記制御回路の少なくとも一つは、外部から前記デジタル入力/出力部に入力されるタイミング信号の制御の下で動作する。 - 特許庁 - In the device that resets the active pixel sensor(APS) array, a row-reset controller 31 sequentially resets a group consisting of one sensor or more in the array 40 in advance and resets all the sensors at the same time after that.
能動画素センサ（ＡＰＳ）アレイをリセットする装置において、行リセットコントローラ３１は、アレイ４０内の１つ以上のセンサから成るグループを順次に事前リセットし、その後センサのすべてを同時にリセットする。 - 特許庁 - The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.
ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁 - In this image pickup system 10, the different amplitudes of pixel signals generated by optical active elements in the optical sensor 32 whose response to projected light is not uniform are compensated.
撮像システム１０および方法は、投影光に対する応答が均一ではない光学センサ３２内の光能動素子により生成される画素信号の異なる振幅を補償する。 - 特許庁 - In the array of pixels making up this CMOS active pixel image sensor, at least one pixel is provided with the photodetector 12, a voltage source 21 for supplying a voltage to the photodetector and a scavenging diode 40 adjacent to the photodetector that can be connected to the voltage source.
ＣＭＯＳアクティブピクセル画像センサを成すピクセルのアレイにおいて、少なくとも一つのピクセルが、光検出器１２と、光検出器に電圧を供給するための電圧源２１と、光検出器と隣合い、電圧源に接続可能な清掃ダイオード４０と、を備える。 - 特許庁 - There are provided a CIS element in which an active pixel sensor comprises a non-flat surface transistor having a perpendicular gate electrode and a channel and effects of post-image and a dark current are minimized, and the method of manufacturing the same.
アクティブピクセルセンサが垂直ゲート電極及びチャンネルを有する非平面トランジスタで構成され、残像及び暗電流の効果が最小化されたＣＩＳ素子及びその製造方法である。 - 特許庁 - To provide a CMOS-based 'active pixel sensor' structure, which is capable of independent electronic shutter operation with the emission speed of electric charges being stored in a photodetector kept at optimal level.
フォトディテクタ内に蓄えられた電荷の放出速度を最適にした状態で、独立した電子的シャッタ動作を行うことができるＣＭＯＳベースの「アクティブな画素センサ」構造が必要である。 - 特許庁 - To provide an active pixel array of a CMOS image sensor in which a high resolution, a high signal-to-noise ratio (S/N) and an improved dynamic range can be expected by simultaneously detecting two light signals of different wavelengths with one pixel and ensuring a wide light receiving area.
一つの画素で波長の異なる二つの光信号を同時に検出するとともに、光受光領域を広く確保するようになり、高解像度、高い信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）及び向上したダイナミックレンジを期待できるＣＭＯＳイメージセンサの能動ピクセルアレイを提供する。 - 特許庁 - This active pixel sensor is provide an interconnection structure 210, containing conductive vias placed on a board adjacent to each other, light sensors consisting of pixel electrode connected electrically to the board via the corresponding conductive via and of layer I formed on the pixel electrode, and a conductive mesh 240, which is formed adjacent to the light sensor and connected electrically to the board via the conductive via.
アクティブ・ピクセル・センサは、基板上に隣接して置かれた複数の導電性バイアを含む相互接続構造２１０と、対応する導電性バイアを介して基板に電気的に接続されたピクセル電極及びその上に形成されたＩ層を含む複数の光センサと、光センサに隣接して形成され導電性バイアを介して基板に電気的に接続された導電性メッシュ２４０とを含む。 - 特許庁 - This clamp circuit generates a requested reset voltage according to a CDS scheme by utilizing the reset voltage read in every column of a pixel array in an active region and an optical black region of the CMOS image sensor.
ＣＭＯＳイメージセンサのアクティブ領域と光学的ブラック領域内のピクセルアレイのカラムごとに読み取られるリセット電圧を利用して、ＣＤＳ方式で要求されるリセット電圧を発生させるクランプ回路。 - 特許庁 - To reduce the number of ion injection times and masks and simplify a step in order to create a path for connecting a green photosensitive layer and a red photosensitive layer with an active pixel sensor circuit formed on a silicon surface.
緑色感光層と赤色感光層をシリコン表面に形成されるアクティブピクセルセンサ回路に連結するための経路を作るために、イオン注入及びマスクの数を低減し、工程を単純化するようにする。 - 特許庁 - In the active matrix substrate having a pixel array region wherein a plurality of pixels are arrayed and a peripheral region adjacent to the pixel array region which are formed on one and the same substrate, an ultraviolet shielding member is provided on a portion which is an upper part of the environmental sensor on the upper layer of the surface protection film in the peripheral region.
同一基板上に、複数の画素が配列された画素配列領域と、該画素配列領域に近接する周辺領域を有するアクティブマトリクス基板において、前記周辺領域における表面保護膜の上層の前記環境センサの上部となる箇所に紫外線遮蔽部材を備えている。 - 特許庁 - A method of operating, such as a CMOS image sensor, involves generating a varying reference signal that mirrors noise external to the APS array, outputting the varying reference signal to the noise canceler array, and using the varying reference signal in the noise canceler array for canceling the noise that is both internal to and external to the active pixel sensor array.
CMOSイメージセンサアレイを作動させる方法は、外部ノイズをAPSアレイに複製する可変基準信号を発生させる段階と、可変基準信号をノイズ除去器アレイに出力する段階と、ノイズ除去器アレイで可変基準信号を使ってAPSアレイに対する内部ノイズと外部ノイズとを除去する段階と、を含む。 - 特許庁 - This invention provides the complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor device that has a photodetector, a sensing node electrically connected to the photodetector, an output section connected to the photodetector, and a voltage-independent capacitance device 50 connected between the sensing node and the output.
ＣＭＯＳ能動ピクセルセンサ素子で、光検出器、光検出器に電気的に接続されたセンシングノード、光検出器に接続された出力部、センシングノードと出力間に接続された電圧非依存の静電容量素子５０を備える。 - 特許庁 - The active pixel sensor is provided with a photodetection part(PD) 52 connecting at least one pixel to a reset gate(RG) and a comparator 54 connected to the PD 52 and capable of regulating a threshold and constituted so that when the comparator 54 determines arrival at a prescribed threshold, stored electric charge is read out as a discrete value and the read discrete value is directly converted into digital display.
少なくとも１つのピクセルが、リセットゲートＲＧに結合された光検出部ＰＤ５２と、光検出器ＰＤに結合され、閾値を規定する比較器５４と、この比較器により所定の閾値に達したときを決定し、これにより、蓄えられた電荷量を離散量として読み取り、これが直接にデジタル表示に変換される。 - 特許庁 - The active pixel sensor has a plurality of unit pixels comprised of three pixels, and each unit pixel is equipped with a photodiode having three polygonal structures, a floating diffusion shared by the three pixels, first to third transmission transistors arranged between each photodiode and the floating diffusion, a reset transistor connected to the floating diffusion, and a selection transistor and an amplifier transistor connected in series with the floating diffusion.
三つのピクセルで構成された単位ピクセルを複数個備え、単位ピクセルそれぞれは、三つの六角形構造のフォトダイオード、三つのピクセルに共有されるフローティングディフュージョン、フォトダイオードそれぞれとフローティングディフュージョンとの間に配置される第１〜第３伝送トランジスタ、フローティングディフュージョンと連結されるリセットトランジスタ、及びフローティングディフュージョンと直列連結される選択トランジスタ及び増幅トランジスタを備える能動ピクセルセンサである。 - 特許庁
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