In an ADRIP device, the wafer is heated to about 500°C in oxygen atmosphere as a pretreatment of ADRIP main treatment. 次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。 - 特許庁
In the same ADRIP device, Pb evaporation amount of a Pb evaporation source, Zr evaporation amount of a Zr evaporation source and Ti evaporation amount of a Ti evaporation source are controlled successively so that the composition ratio Pb/(Zr+Ti) of PbZr_xTi_1-xO_3 is 1.2 or less. 引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZr_xTi_1-xO_3の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。 - 特許庁