「al ta」を含む例文一覧(140)
1 2 3 次へ＞- Its gamma prime phase includes (Ni/Co)_3(Al/Ti/Ta).
このガンマプライム相は、（Ni/Co）_3(Al/Ti/Ta)を含む。 - 特許庁 - The intermediate layer 14 is constituted of a non-magnetic alloy consisting essentially of Co and Cr and oxides of Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and the like.
中間層14はCoおよびCrを主原料とする非磁性合金と、Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zr等の酸化物で構成される。 - 特許庁 - The Ni-based superalloy has a composition comprising: ≤20 wt.% of Mo; 2 to 10 wt.% of Al; ≤16 wt.% of Ta+Nb+Ti; ≤16 wt.% of Re; ≤16 wt.% of Ru; and the balance Ni and inevitable impurities.
Mo:20wt%以下、Al:２-10wt%、Ta+Nb+Ti:16wt%以下、Re:16wt%以下、Ru:16wt%以下を含有し、残部がNiと不可避的不純物からなる組成を有するNi基超合金とする。 - 特許庁 - A Ta film/Al film is formed on a gate insulating film 103.
ゲート絶縁膜１０３上にＴａ膜／Ａｌ膜を成膜する。 - 特許庁 - The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.
下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁 - The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.
下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁 - An oxide film of Ta and Al and an MgF2 film are laminated on a substrate by sputtering.
基板上にＴａ及びＡｌの酸化物膜と、ＭｇＦ_２膜とをスパッタリングによって積層する。 - 特許庁 - An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.
Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁 - The Al-based alloy sputtering target includes Ta.
本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｔａを含有するものである。 - 特許庁 - The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.
本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁 - The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.
ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁 - The high strength Ni-based superalloy has a stable structure and has composition containing: ≤20 wt.% of Cr; ≤10 wt.% of Mo; ≤15 wt.% of W; 2 to 10 wt.% of Al; ≤16 wt.% of Ta+Nb+Ti; ≤10 wt.% of Ru; and the balance Ni and inevitable impurities without including Re.
Reを含まず、Cr:20wt%以下、Mo:10wt%以下、Ｗ:15wt%以下、Al:２-10wt%、Ta+Nb+Ti:16wt%以下、Ru:10wt%以下を含有し、残部がNiと不可避的不純物からなる組成を有する、組織安定な高強度Ni基超合金とする。 - 特許庁 - To connect a mounting electrode 2a, composed of Al and Al compounds for TFT array board with the IC electrode 6 composed of Al-Si-Cu, the conductive binder 8 comprising the conductive particle 8a composed of either particles of Ti or Ta, or particles of resin plate with Ti or Ta.
ＴＦＴアレイ基板のＡｌやＡｌ化合物からなる実装電極２ａとＡｌ−Ｓｉ−ＣｕからなるＩＣ電極６とを接続するために、ＴｉやＴａの粒子またはＴｉやＴａをメッキした樹脂粒子からなる導電性粒子８ａを含有した導電性接着材８を用いる。 - 特許庁 - In the Al-based alloy sputtering target, an Al-Ta-based intermetallic compound including Al and Ta preferably has a mean particle diameter of 0.005 μm or more and 1.0 μm or less, and a mean inter-particle distance of 0.01 μm or more and 10.0 μm or less.
好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 - 特許庁 - The total content of Mg, Al and Ta is preferably ≤4 wt.% in terms of their oxides.
特に、マグネシウムとアルミニウムとタンタルとの合計量を酸化物換算で４重量％以下とすることが好ましい。 - 特許庁 - HEAT-RESISTANT BEARING FORMED OF NI3(SI,TI)-BASED INTERMETALLIC COMPOUND ALLOY ADDED WITH TA AND AL, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Ｔａ及びＡｌが添加されたＮｉ３（Ｓｉ，Ｔｉ）系金属間化合物合金で形成された耐熱軸受及びその製造方法 - 特許庁 - A lower conductive layer (Ta layer) 8 and an upper conductive layer (Al layer) 9 are laminated sequentially on a resin substrate 1.
樹脂基板１上に、下層導電層（Ｔａ層）８および上層導電層（Ａｌ層）９を順次積層する。 - 特許庁 - A plasma welding material and a tool material welded with the melding material are constituted of a composition consisting of Fe, C, Cr, V, Mo, W, Nb, Ta, Zr, Al and lanthanides elements.
Ｆｅ，Ｃ，Ｃｒ，ＶおよびＭｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ａｌ，ランタノイド系元素からなるプラズマ溶接用材料および該材料を溶接した工具材で構成される。 - 特許庁 - The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.
金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁 - Where, M is a metal selected from among metals of a group of Ta, Ti, Nb, Al, Hf, Zr, and V.
ここで、ＭはＴａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｈｆ、ＺｒおよびＶからなる群の金属から選択された金属である。 - 特許庁 - The core forming layer 3 consists of an oxide or a nitride of a metal consisting at least one kind of metal of Zr, W, Ta, Nb, Si and Al.
また、核生成層３はＺｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ａｌの少なくとも一種からなる金属の酸化物または窒化物からなる。 - 特許庁 - The alloy includes at least one element among Mg, Ca, Sr and Ba, rare-earth elements such as Y, La and Dy, and Ti, Zr, Cr, Fe, Co, Ni, Al, V, Mn, Mo, Ta, W, Re, Pt, Pd and Ir, and the balance Rh.
Ｒｈに、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｙ，Ｌａ，Ｄｙ等の希土類元素，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒの少なくとも一種を含有し、残部をＲｈとする合金。 - 特許庁 - The second layer 74 includes an oxide of at least one metal chosen from Al, Zr, Ti, Y, Nb and Ta.
前記第二の層７４がＡｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも一種の金属の酸化物を含有する。 - 特許庁 - By the oxide film composed of Ta and Al, the generation of cracks can be prevented, and its durability improves as well.
Ｔａ及びＡｌからなる酸化物膜によってクラックの発生を防止でき、耐久性も向上する。 - 特許庁 - In the metal glass alloy, a part of Zr or Al can be substituted with Nb and/or Ta (by ≤10 atomic%, respectively).
この金属ガラス合金は、Ｚｒ又は前記Ａｌの一部を、Ｎｂ及び／又はＴａ（それぞれ、最大１０原子％。）で置換してもよい。 - 特許庁 - The element M is at least one kind selected from a group comprising Al, Mn, Mg, B, Zr, W, Nb, Ta, In, Mo and Sn.
元素Ｍは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｉｎ、ＭｏおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種である。 - 特許庁 - The electrogalvanized steel sheet has a metal layer having ≥0.02 g/m^2 deposition per one surface and comprising Ti, Zr, Al, Nb or Ta with at least on one surface of steel sheet and the electrogalvanized layer having 0.5-8 g/m^2 deposition per one surface on the metal layer.
鋼板の少なくとも片面に、片面当たりの付着量が0.02g／m^2以上であるTi、Zr、Al、Nb又はTaからなる金属層を有し、該金属層上に、片面当たりの付着量が0.5〜8g／m^2である亜鉛含有電気めっき層を有することを特徴とする。 - 特許庁 - This powder material is composed of a core material composed of Ni particles and a surface layer composed of the oxide of one or more kinds selected from Al, Zr, Ti, Si, Pb, Fe, W, Mn, Bi, Nb, Ta, Mo, alkaline-earths and rare earth elements and covering the outer surface of the core material.
この粉体材料は、Ni粒子から成る芯材と、Al、Zr、Ti、Si、Pb、Fe、W 、Mn、Bi、Nb、Ta、Mo、アルカリ土類および希土類元素から選ばれた一種以上の元素の酸化物から成り芯材の外表面を被覆する表面層とで構成されることを特徴とする。 - 特許庁 - The powdery composition may further contain at least one of compounds of Mg, Ca, Sr, Ba, Pb, rare earth metals, Ti, Zr, Hf, Sn, V, Nb, Ta, Bi, Sb, W, Mo, Cr, Mn, Cu, Ni, Co, Fe, Zn, Al and Si.
前記チタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物と、Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、希土類金属、Ti、Zr、Hf、Sn、V、Nb、Ta、Bi、Sb、W、Mo、Cr、Mn、Cu、Ni、Co、Fe、Zn、AlおよびSiの化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含むチタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物。 - 特許庁 - Because the potential difference between Al and Ti or Ta is retained around 0.9 V as well as the potential difference between Al-Si-Cu and Ti or Ta is maintained around 1.5 V, the cell reaction between the IC electrode 6 and the mounting electrode 2a is suppressed to prevent corrosion of the electrode.
ＡｌとＴｉ，Ｔａ間では約０．９Ｖ、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕとＴｉ，Ｔａ間では１．５Ｖ程度の電位差を保持していることから、ＩＣ電極６および実装電極２ａ間の電池反応を抑制し、腐食を防止することができる。 - 特許庁 - The Nb_3Al superconducting wire rod includes a wire rod containing Nb and Al, an Nb layer or a Ta layer that covers the wire rod, and a metal layer formed on the Nb layer or the Ta layer.
Ｎｂ_３Ａｌ超電導線材は、Ｎｂ及びＡｌを含む線材と、線材を覆うＮｂ層又はＴａ層と、Ｎｂ層又は前記Ｔａ層上に設けられる金属層とを備える。 - 特許庁 - The device further includes: Ta films 11s and 11d formed over the n-AlGaN layer 4; and Al films 12s and 12d formed over the Ta films 11s and 11d, respectively.
また、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上に形成されたＴａ膜１１ｓ及び１１ｄと、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄ上に形成されたＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄと、が設けられている。 - 特許庁 - The probe of an anodizing device is brought in contact with the Ta film to anodize the Al film 106 and the Ta film to form a barrier A.O. film 107 and a TaOx film 109.
Ｔａ膜に陽極酸化装置のプローブを接触させてＡｌ層１０６、Ｔａ膜を陽極酸化して、バリアA.O.膜１０７、ＴａＯｘ膜１０９を形成する。 - 特許庁 - The protective film 5 contains oxide of at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Hf, Zr, Cr, Ta, Y, Ce and Ni, and nitride of Al or Si.
さらに、保護膜５は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｙ、ＣｅおよびＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素の酸化物、または、ＡｌまたはＳｉの窒化物を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device includes electrodes 9 and 10 having an Al layer 8, the Au wiring 12, and the barrier metal layer 11 provided between the Al layer 8 and the Au wiring 12 and having a structure wherein a first Ta layer 14, a first TaN layer 15 and a first Pt layer 16 are sequentially laminated from the side of the Al layer 8.
半導体装置を、Ａｌ層８を含む電極９，１０と、Ａｕ配線１２と、Ａｌ層８とＡｕ配線１２との間に設けられ、Ａｌ層８の側から順に第１Ｔａ層１４、第１ＴａＮ層１５、第１Ｐｔ層１６を積層した構造を有するバリアメタル層１１とを備えるものとする。 - 特許庁 - At the space between a Ti, Ta or Nb target material and a backing plate made of Al or the alloy thereof, with a physical vapor-deposited coating film of Ti, Ta, Nb or the alloy thereof is formed, and the target material and the backing plate material are diffusion-joined.
Ｔｉ、Ｔａ又はＮｂターゲット材と、Ａｌ又はその合金製バッキングプレート材との間に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ又はその合金の物理的蒸着被覆膜が設けられ、ターゲット材とバッキングプレート材とが拡散接合されている。 - 特許庁 - The device still further includes: Au films 14s and 14d electrically connected to the Ta films 11s and 11d without interposing the Al films 12a and 12d, respectively; and a gate electrode 13g that is located over the n-AlGaN layer 4 between the Ta films 11s and 11d.
更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 - 特許庁 - The adhesion layer is at least one element selected from the group consisting of Al, Ti, Zr, Hf, Ta, Zn and Si, or a substance containing at least one element selected from the group consisting of Al, Ti, Zr, Hf, Ta, Zn and Si, and oxygen and/or nitrogen, for example, AlO_x film etc.
密着層としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなるものや、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質からなるもの、例えばＡｌＯ_x 膜などを用いる。 - 特許庁 - A first layout 1-L1 in a semiconductor device 1 consists of a TiN film 1-11, an Al alloy film 1-12, a TiN film 1-13 and a Ta film 1-14, and a second layout 1-L2 consists of a TiN film 1-41, an Al alloy film 1-42, a TiN film 1-43 and a Ta film 1-44.
半導体装置１における第１配線１−Ｌ１は，ＴｉＮ膜１−１１，Ａｌ合金膜１−１２，ＴｉＮ膜１−１３，およびのＴａ膜１−１４から構成されており，第２配線１−Ｌ２は，ＴｉＮ膜１−４１，Ａｌ合金膜１−４２，ＴｉＮ膜１−４３，およびＴａ膜１−４４から構成されている。 - 特許庁 - The electrode wiring material consists of an oxygen-containing Al alloy having a composition essentially consisting of Al, containing 0.01 to 20 atomic % of at least one kind of element selected from the elemental groups consisting of Ti, Zr, Nb, Ta, Hf, Cu, Ag, Au, Pt, Pd and Si, and also containing a 0.01 to 40 atomic % oxygen element.
Ａｌを主成分とし、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＳｉからなる元素群から選択される少なくとも一種の元素を０．０１〜２０原子％含有し、かつ酸素元素を０．０１〜４０原子％含有する酸素含有Ａｌ合金からなることを特徴とする電極配線材料。 - 特許庁 - It is preferable that the alkoxide of the metal is at least alkoxide of one kind of metal selected from a group of Al, Si, Ti, Ga, Ge, Zr, Nb, la, and Ta.
前記金属のアルコキシドが、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ及びＴａからなる群より選択される少なくとも１種の金属のアルコキシドであるのが好ましい。 - 特許庁 - In the dielectric layer 2, fluorine (F) is doped by uneven distribution toward an anode and also metal, i.e., at least one of aluminum (Al) and tantalum (Ta) is solidly melted.
ここで、誘電体層２内には、陽極側に偏在してフッ素（Ｆ）がドープされるとともに、アルミニウム（Ａｌ）とタンタル（Ｔａ）の少なくとも一方の金属が固溶されている。 - 特許庁 - The sputtering target for the optical media includes Al as a principal component includes 1-10 atom% of one or two elements selected from the group including Ta and Nb and 0.1-10 atom% of Ag.
Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁 - The semiconductor oxide of thin-film transistor includes In, Zn, and at least one type of element (X-group element) selected from groups comprised of Al, Si, Ta, Ti, La, Mg, and Nb.
Ｉｎと；Ｚｎと；Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｇ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 - 特許庁 - The interface layers 103 and 105 are constituted as dielectric layers composed essentially of a mixture containing an oxide of Al, an oxide of Y and an oxide of Ta.
界面層１０３、１０５は、Ａｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物を含む混合体を主成分とする誘電体層として構成される。 - 特許庁 - The high temperature component includes an actuator body 201 including an actuating part composed of the shape memory alloy including one kind or more of Ni, Al, Nb, Ti and Ta and platinum group metal.
Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔｉ及びＴａの１種以上並びに白金族金属を含む形状記憶合金からなるアクチュエート可能部分を含むアクチュエータ本体２０１を有する高温部品。 - 特許庁 - The transparent laminated film is formed by laminating a metal oxide thin film and an aluminum-based thin film which contains Al as a principal component and contains Ta or Nd, at least on one side of a transparent polymer film.
透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、金属酸化物薄膜と、Ａｌを主成分とし、ＴａまたはＮｄを含有するアルミニウム系薄膜とが積層されている透明積層フィルムとする。 - 特許庁 - Each of the inorganic gas barrier layers contains an oxide, nitride or oxynitride of at least one metal selected from Si, Al, In, Sn, Zn, Ti, Cu, Ce and Ta.
無機ガスバリア層は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、又はＴａから選ばれる一種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物を含む。 - 特許庁 - The ceramic phase is composed of at least one selected from the group consisting of nitrides, carbides, oxides, composite nitrides, composite carbides, composite oxides, carbonitrides, oxynitrides, carboxynitrides and carbonates of Al, Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W.
セラミックス相は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ、Ｗの窒化物、炭化物、酸化物、複合窒化物、複合炭化物、複合酸化物、炭窒化物、酸窒化物、炭窒酸化物及び炭酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁 - The matrix-forming metal alloy is an alloy selected from the group consisting of W, Co, Cr, Fe, Ni, Mo, Al, Si, Cu, Y, Ag, P, Zr, Hf, B, Ta, V, Nb, and alloys thereof.
マトリックス形成合金はW、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂから成るグループから選ばれる合金およびその合金類である。 - 特許庁
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