「amorphized」を含む例文一覧(20)
- Thus, the gate electrode 14 is amorphized.
それにより、ゲート電極１４は非晶質化する。 - 特許庁 - The method has a melting and amorphizing step of making an amorphized silica raw material by melting and amorphizing a silica stone raw material, a grinding step of making an amorphized silica powder by grinding the amorphized silica raw material and a spheroidizing step of making a spheroidized silica powder by melting and spheroidizing the amorphized silica powder.
ケイ石原料を熔融非晶化して非晶化シリカ原料とする熔融非晶化工程と、前記非晶化シリカ原料を粉砕して非晶化シリカ粉末とする粉砕工程と、前記非晶化シリカ粉末を熔融球状化して球状化シリカ粉末とする球状化工程とを有することにある。 - 特許庁 - The surface layer of the metallic material after forming is amorphized by cold working such as shot peening, and the resultant amorphized metallic material is subjected to low-temperature heat treatment to precipitate nanocrystals in the surface layer.
成形加工後の金属材料の表面層をショットピーニングなどの冷間加工により、アモルファス化し、その後アモルファス化した金属材料を低温熱処理して表面層にナノ結晶を析出させる。 - 特許庁 - Since the polysilicon surface layer 20 is amorphized, the thermal oxidization causes planarization upon the oxidization.
ポリシリコンの表層２０はアモルファス化しているので、熱酸化処理によって酸化する際に平坦化される。 - 特許庁 - Next, the thermal treatment step is executed to recrystallize the amorphized area of the defective semiconductor crystal material.
次いで、この欠陥性半導体結晶材料のアモルファス化領域を再結晶させるために熱処理ステップを実施する。 - 特許庁 - By the argon implantation process, the polysilicon film PF1 in the n-channel type MISFET formation region NTR is amorphized.
このアルゴン注入工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１はアモルファス化する。 - 特許庁 - As a region, which has the increased oxygen concentration and is amorphized, in the oxide semiconductor is increased in resistance, a current is prevented from flowing.
酸化物半導体において酸素濃度が高く非晶質化した領域は高抵抗化するので、電流は流れにくくなる。 - 特許庁 - The amorphized hydroxyapatite is produced by reacting a calcium salt with a phosphoric acid salt in an aqueous solution, followed by drying at 10-70°C.
非晶質化ハイドロキシアパタイトは、水溶液中でカルシウム塩とリン酸塩とを反応させ、１０〜７０℃の温度で乾燥して得られる。 - 特許庁 - To provide a medicinal composition which is stable even when it is present in a not-low pH environment, by solubilizing itraconazole or saperconazole which are amorphized (including partially amorphized) triazole antimycotic agents using cyclodextrin or its derivative.
本発明は、非晶質化（部分的な非晶質化も含む）したトリアゾール系抗真菌剤であるイトラコナゾールまたはサペルコナゾールをシクロデキストリンまたはその誘導体を使用して可溶化させることで、ｐＨが低ｐＨに限定されることなく、安定な医薬組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁 - In the amorphization step, a region including the surface area of the defective semiconductor crystal material is partially or completely amorphized.
このアモルファス化ステップでは、欠陥性半導体結晶材料の表面領域を含む領域を部分的にまたは完全にアモルファス化する。 - 特許庁 - Recrystallization is achieved, by re-growing the solid phase crystal from the amorphized area of the defective semiconductor crystal material.
本発明では、再結晶化は、欠陥性半導体結晶材料の非アモルファス化領域から固相結晶を再成長させることによって達成される。 - 特許庁 - Thereafter, by subjecting the amorphized substrate surface to ion supply treatment and activation treatment, extremely shallow impurities can be introduced onto the substrate surface.
その後、非晶質化された基板表面にイオン供給処理、活性化処理を施すことにより、基板表面に極めて浅い不純物を導入することができる。 - 特許庁 - Itraconazole or saperconazole is solubilized with cyclodextrin or its derivative without adding an alcoholic cosolvent causing solvent smell and bitter taste or lowering the pH with a strong acid by using an amorphized (including partially amorphized) compound obtained by heating and melting the antimycotic agent at or above its melting point.
シクロデキストリンまたはその誘導体によりイトラコナゾールまたはサペルコナゾールを可溶化するにあたり、該抗真菌剤をその融点以上に加熱し、溶融させて得た非晶質（部分的な非晶質化も含む）化合物を使用することで、溶媒臭や苦みの元となっているアルコール系共溶媒を添加せず、かつ、強酸により低ｐＨとしなくても可溶化させることができる。 - 特許庁 - The amorphized silica is classified to the third group (not classifiable regarding carcinogenicity to human) by IARC classification and the easiness in handling is incomparable with the crystallized silica.
非晶化シリカは、ＩＡＲＣの分類によると、グループ３（人に対する発がん性については分類できない）に分類されており、その取り扱いにおいて、結晶化シリカとは比較にならない。 - 特許庁 - The influence due to the spheroidized silica is reduced by converting the spheroidized silica to the amorphized silica by melting the silica when a particle size of the crystallized silica (silica stone raw material) is large and its flotation is hardly to be a problem.
結晶化シリカ（ケイ石原料）の粒径が大きくその浮遊が問題となりにくいときに熔融化させることにより、非晶化シリカに変換することにより、結晶化シリカによる影響を低減させている。 - 特許庁 - A silicon substrate 5 as a specimen is mounted on the specimen table 2, and ultraviolet rays emitted from the Xe lamps 4 are radiated to the surface of the silicon substrate 5, thereby destroying a crystalline structure in the vicinity of the surface of the substrate 5 to be amorphized.
試料台２上に、試料としてのシリコン基板５を載置し、Ｘｅランプ４から発せられる紫外線をシリコン基板５の表面に照射すると、シリコン基板５の表面近傍の結晶構造が破壊され、非晶質化する。 - 特許庁 - The recalcification promoting agent for dental enamel and the composition for oral cavity contain an amorphous hydroxyapatite and/or an amorphized hydroxyapatite having two peaks at 2θ=31-35° by X-ray diffraction.
非晶質ハイドロキシアパタイト及び／又はＸ線回折における２θ＝３１〜３５°に２本のピークが示される非晶質化ハイドロキシアパタイトを含有することを特徴とする歯牙エナメル質の再石灰化促進剤及び口腔用組成物である。 - 特許庁 - A low residual resistance value like this is attained by reducing the spacer width of the passive element to be within the range about 10-30nm, or by masking the passive element during pre-amorphizing injection step so that substantially no pre-amorphized implant is present in the passive element.
このような低残留抵抗値は、受動素子のスペーサ幅を約１０ｎｍから約３０ｎｍの範囲に減少するか、又はプレアモルファス化注入ステップ中に受動素子をマスキングして、受動素子に本質的にプレアモルファス化インプラントがないようにすることによって達成できる。 - 特許庁 - To provide a process of manufacturing particles prepared by granulating an oil-based polymerizable monomer in aqueous medium followed by suspension-polymerization or particles prepared by carrying out granulation in an aqueous medium using a solution where an oil-based polycondensate is dissolved into an oil-based solvent, followed by elimination of the solvent portion, wherein the particle obtained can be amorphized.
水系媒体中にて油性重合性単量体を造粒後に懸濁重合してなる粒子又は油性重縮合物を油系溶剤に溶解した溶液を水系媒体中に造粒後、溶剤分を除去して得られる粒子の製造法において、得られる粒子を不定形化させることのできる製造方法を提供する。 - 特許庁 - A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.
絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
