(2) The ashed thermoplastic resin is dispersed homogeneously in a liquid having the weight 1,000 or more times the weight of the ashed glass fibers. (2)灰化後のガラス繊維の重量の1000倍以上の重量の液体中に均一分散させる。 - 特許庁
A resin sample is ashed by a method for adding an oxidizing agent to the resin sample to heat the resin sample, and fluorescence X-ray analysis of the ashed sample is performed. 樹脂試料に酸化剤を加えて加熱する等の方法により樹脂試料を灰化し、灰化した試料の蛍光X線分析を行う。 - 特許庁
The resist is ashed with the plasma of gas that is produced by adding a small quantity of H_2 to N_2. また、N_2にH_2を少量添加したガスのプラズマでレジストのアッシング行う。 - 特許庁
Subsequently, a wiring pattern is formed on the silicon nitride film using a resist mask and the resist is ashed. 次に、レジストマスクでシリコン窒化膜に配線パターンを形成し、レジストをアッシングする。 - 特許庁
(1) The thermoplastic resin including the glass fibers is ashed at the temperature of 500-700°C. (1)ガラス繊維を含有する熱可塑性樹脂を500〜700℃の温度で灰化させる。 - 特許庁
Under the pressure, plasma is generated from the gas in the chamber 102 and the photoresist film is ashed. 該圧力下で処理室102内のガスをプラズマ化し,フォトレジスト膜をアッシング処理する。 - 特許庁
In the method of producing the fertilizer, fish wastes such as fish meal, bones, and internal organs are burnt and ashed by an appropriate combustion means and the ashed material is used as the fertilizer. 魚の肉、骨、内蔵等からなる魚類廃棄物を適宜の燃焼手段で燃焼させて灰化させ、この灰化物を肥料として製造するようにした肥料の製造方法である。 - 特許庁
After completion of ion injection treatment, a resist pattern is subjected to fluorine treatment before the resist pattern is ashed. イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。 - 特許庁
Next, the resist pattern 11 and the first organic film 8 are ashed to expose the first insulation film 7 in the opening. 次に、レジストパターン11および第1の有機膜8をアッシングし、開孔部から第1の絶縁膜7を露出させる。 - 特許庁
To provide a composition and a method for selectively removing residues, for example, an ashed photoresist and/or processing residues. 残留物、例えば灰化されたフォトレジスト及び/又は加工処理残留物などを選択的に除去するための組成物及び方法を提供する。 - 特許庁
The thermal insulating material composition is provided with a mineral fiber and a carbonized material dispersed and mixed in the mineral fiber and having 30-80 wt.% ash when the composition is ashed. 断熱材組成物は、鉱物繊維と、鉱物繊維に分散混合され、灰化したときの灰分が30〜80重量%である炭化材と、を備える。 - 特許庁
The part of the resist altered by injecting the impurity ions is dry-ashed without exposing semiconductor layers 31, 41, 45, and the remaining resist is removed by wet-etching. レジストの不純物イオンの注入により変質した部分を半導体層31,41,45を晒すことなくドライアッシングし、残りのレジストをウェットエッチングで除去する。 - 特許庁
The ashing apparatus is provided with an ashing processing chamber 1 for ashing, and a conveyance chamber 2 connected with the ashing chamber 1 through a gas cutoff mechanism 3, and it is also provided with a substrate cooling mechanism wherein the ashed substrate 6 is cooled at 130°C or lower without being exposed in an atmosphere, while the following substrate to be processed is being ashed. アッシング処理を行うアッシング処理室1とアッシング処理室1にガス遮断機構3を介して連結する搬送室2とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板6を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を130℃以下にする基板冷却機構を備える。 - 特許庁
The ash for ash-spread Wakame seaweed consists of at least a material made as an ashed material obtained from a material selected from the group consisting of the coffee lees and used tea leaves. 本発明の灰わかめ用灰は、コーヒー抽出滓及び茶殻からなる群から選ばれた少なくともひとつの灰化物を主成分とすることを特徴としている。 - 特許庁
A part of dried matter intermediately formed in the drying and carbonizing processing is taken out of the furnace and supplied to the hot air furnace to be used as a secondary fuel to be ashed. また、乾燥炭化処理過程で中間生成した乾燥物の一部を炉外に取り出して熱風炉に供給し二次燃料として使用し灰化する。 - 特許庁
To provide an aqueous-based composition and method comprising the same for removing residues, such as without limitation post-ashed and/or post-etched photoresist, from a substrate. ポストアッシュ及び/又はポストエッチフォトレジストに限定されないが、これらのような残渣を基材から除去するための水系組成物、及びそれを含む方法を提供すること。 - 特許庁
A treated matter obtained by the pyrolysis due to a pyrolytic means 20 is introduced into a carbide combustion furnace 36 using feed means 34 and 35 and burnt to be ashed. 熱分解手段20で熱分解して得た処理物を搬送手段34、35を用いて炭化物燃焼炉36に導入され、ここで処理物を燃焼させて灰化する。 - 特許庁
A thermally decomposed matter from a thermal decomposition means 20 is introduced by carrying means 34 and 35 into a carbide combustion furnace 36 where the thermally decomposed matter is combusted and ashed. 熱分解手段20で熱分解して得た処理物を搬送手段34、35を用いて炭化物燃焼炉36に導入して処理物を燃焼させて灰化する。 - 特許庁
Successively, a stopper film 3a exposed to the opening 9 with the resist film 8 left behind is etched to form a via hole 10 and then the resist film 8 is ashed for its removal. 続いて、レジスト膜8を残した状態で開孔部9に露出しているストッパー膜3aをエッチングしてビアホール10を形成した後、レジスト膜8をアッシングして除去する。 - 特許庁
Oxygen-based gas is introduced into the 2nd chamber 2 to generate plasma, and resist provided to the base material and a part of reaction products produced through an etching process are ashed off with the above plasma. 第2チャンバ2内に酸素系ガスを導入してプラズマを生成し、基材に設けてあるレジスト及びエッチング処理にて生成された反応生成物の一部を前記プラズマによってアッシング除去する。 - 特許庁
To provide a fireproof sheet-like molding which has excellent moldability, forms an expanded or foamed carbonized layer and/or ashed layer with excellent fire resistance and heat insulation when heated, and exhibits excellent flexibility and workability. 成形加工性に優れ、加熱により膨張、発泡した耐火・断熱性に優れた炭化層及び、又は灰化層を形成し、柔軟性、施工性に優れた防火性シート状成形体を提供する。 - 特許庁
To provide a method of removing a resist film in which the resist film is successfully ashed without using a gas, such as CF_4, CHF_3, and C_2F_6, being a cause of global warming, and a method of manufacturing a display device using the same. CF_4、CHF_3、C_2F_6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The compound recycling apparatus EQU is composed so that the same type of macromolecular compound containing a metal constituent is thrown to generate a flammable gas, and carbide, ashed products, the metal constituent, and the like can be recycled. 金属成分を含有する同一種類の高分子化合物を投入して、可燃ガスを生成すると共に、炭化物、灰化物、前記金属成分等を回収可能に構成された複合リサイクル装置EQUである。 - 特許庁
To provide a detergent for cleaning and removing residues with which an incompletely ashed photoresist or photoresist ashing residue such as deposits on side walls can be well removed and which has low corrosive property for an insulating film or conductive film on a substrate wafer. フォトレジストの不完全灰化物や側壁堆積膜等のフォトレジストアッシング残滓を良好に除去でき、基板ウェハ上の絶縁膜や導電性膜の腐食性も低い残滓洗浄除去剤を開発すること。 - 特許庁
When a popping phenomenon occurs in the resist by heating the substrate W, the surface hardened layer suffers cracks by the impact of popping in an unhardened layer inside (in an underlay side) the surface hardened layer and the unhardened layer is ashed. 基板Wの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側(下層側)に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。 - 特許庁
To provide a composition for surface-hydrophobizing use for restoring the damage of etched/ashed siloxane-based electrical insulation layer used in electronic devices such as semiconductor devices, to provide a surface-hydrophobizing method, and to provide such semiconductor devices and a method for producing the same. 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング/アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁
When a photoresist 13 used as an etching mask is removed by ashing, a susceptor 9 for supporting a substrate 11 is ashed with plasma- excited oxygen, by using a modified magnetron type plasma treatment device grounded via a high-frequency matching circuit 10. エッチングマスクとして用いたフォトレジスト13をアッシングにて除去する際、基板11を支持するサセプタ9を高周波整合器10を介して接地した変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いて、プラズマ励起した酸素によりアッシングを行う。 - 特許庁
As a result, if a resist is ashed or plasma-etched, charges resulting from these processes are removed through the TiN film 15 to reduce the plasma damage during etching and improve the characteristics of FeRAM memory cells. その結果、この後、レジストのアッシングやプラズマエッチングが行われたとしても、これらの処理の際に生じるチャージをTiN膜15を介して除去することができ、エッチング時のプラズマダメージを低減させ、FeRAMのメモリセルの特性を向上させることができる。 - 特許庁
In the method of manufacturing semiconductor device, an organic film formed on a semiconductor substrate 20 arranged within a chamber 20 is ashed using plasma consisting of the gas including oxygen, and a carbon-containing film 26a consisting of the material including carbon is formed to the internal wall of the chamber 20. 半導体装置の製造方法は、チャンバー20内に配置された半導体基板20上に形成されている有機膜に対して、酸素を含むガスよりなるプラズマを用いてアッシングを行なうと共に、チャンバー20の内壁に炭素を含む材料よりなる炭素含有膜26aを形成する。 - 特許庁
A substrate provided with a resist mask formed through an insulation film is held inside the chamber of an ashing device, gas containing oxygen atoms introduced into the chamber is activated by applying RF power, and the resist mask is ashed by applying the RF power to the substrate side. 絶縁膜を介して形成されたレジストマスクを有する基板をアッシング装置のチャンバ内に保持し、RF電力を印加してチャンバー内に導入した酸素原子を含有するガスを活性化させるとともに、前記基板側にRF電力を印加して前記レジストマスクのアッシングを行うアッシング方法。 - 特許庁
The newsprint paper which has 6-12 wt.% ash content ashed at 525°C combustion temperature based on JIS-P8128, and which is occupied with 1-10 wt.% clay is obtained by adding the clay to the inside so that the weight average particle diameter of the ash component particles may be within the range of 4-15 μm. JIS−P8128に準拠し、燃焼温度525度で灰化した新聞用紙の灰分が6〜12重量%であり、クレーが1〜10重量%を占める新聞用紙であって、この灰分粒子の重量平均粒径が4〜15μmの範囲に入る様にクレーが内添されている。 - 特許庁
In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable. 半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをRIEアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁
The analysis method of the trace constituent in the polymer material includes a step of heating and ashing the polymer material in the presence of oxygen; and a step of irradiating an electron beam to the ashed sample, and performing elemental analysis by a generated characteristic X-ray. 高分子材料中の微量成分の分析法であって、前記高分子材料を酸素存在下、加熱して灰化する工程、及び前記灰化後の試料に電子線を照射し、発生する特性X線による元素分析をする工程、を有することを特徴とする高分子材料中の微量成分の分析法。 - 特許庁
The method of producing the fertilizer includes: mixing a combustion accelerator such as woods to be burnt, paper sheets, oils or the like with the fish wastes and burning the mixture; taking out the ashed material comprising the fish wastes and combustion accelerator and the inevitable residues from the residue of the combustion and mixing them; and stirring them to produce the fertilizer. この肥料の製造方法は、魚類廃棄物に燃し木、紙類、油類等の燃焼促進物を混合して燃焼させ、燃焼後の残渣から魚類廃棄物と燃焼促進物とからなる灰化物と不可避残渣物とを取出し、これらを混合し、かつ攪拌して肥料を製造するようにした。 - 特許庁
When a contact hole CH is formed, a CF group polymer 25 formed in an upper layer of an etching stopper film 23 can be ashed with a gas using hydrogen to remove, and in particular, as it is possible to defend a progress of etching of the etching stopper film 23 with fluorine, it is possible to etch the etching stopper film stably and with superior controllability. コンタクトホールCHを形成する際に、エッチングストッパ膜23の上層に形成されたCF系ポリマー25を水素を用いたガスでアッシングすることにより除去することができ、特にフッ素によるエッチングストッパ膜23のエッチングの進行をふせぐことができるため、安定かつ制御性よくエッチングストッパ膜のエッチングをすることができる。 - 特許庁
The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask. 本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第1マスクでゲート電極を形成する段階と、第2マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第3マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁