ASHINGMETHOD AND ASHING DEVICE アッシング方法及びアッシング装置 - 特許庁
ASHING DEVICE AND ASHINGMETHOD アッシング装置及びアッシング方法 - 特許庁
ASHINGMETHOD アッシング処理方法 - 特許庁
PLASMA ASHINGMETHOD プラズマアッシング方法 - 特許庁
ASHINGMETHOD AND ASHING DEVICE アッシング方法およびアッシング装置 - 特許庁
METHOD OF PLASMA ASHING プラズマアッシング方法 - 特許庁
METHOD FOR ASHING RESIST レジストのアッシング方法 - 特許庁
ASHING DEVICE AND ASHINGMETHOD アッシング処理装置およびアッシング処理方法 - 特許庁
ASHING PROCESSING METHOD AND ASHING TREATMENT APPARATUS アッシング処理方法およびアッシング処理装置 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR ASHING アッシング方法および装置 - 特許庁
CLEANING METHOD FOR ASHING RESIDUAL アッシング残渣の洗浄方法 - 特許庁
RESIST ASHINGMETHOD AND DEVICE レジスト灰化方法及び装置 - 特許庁
ASHINGMETHOD AND EQUIPMENT THEREFOR アッシング方法及びその装置 - 特許庁
ASHINGMETHOD, ASHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE アッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR ASHING アッシング方法及びアッシング装置 - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR ASHING アッシング装置およびアッシング方法 - 特許庁
ASHING PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD アッシング処理方法及び基板処理方法 - 特許庁
PLASMA TREATMENT APPARATUS AND ASHINGMETHOD プラズマ処理装置及びアッシング方法 - 特許庁
DRY ASHINGMETHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING TiN層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁
METHOD FOR ASHING RESIST FILM, ITS ASHING CONDITION CALCULATING SYSTEM AND DEVICE FOR ASHING THE RESIST FILM レジスト膜のアッシング方法及びそのアッシング条件算出システム、並びに、レジスト膜のアッシング装置 - 特許庁
ASHING TREATMENT EQUIPMENT AND TREATING METHOD アッシング処理装置および処理方法 - 特許庁
To provide an ashingmethod capable of suppressing the occurrence of resist remainder after ashing. アッシング後のレジスト残りの発生を抑制できるアッシング方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
ASHING TREATMENT APPARATUS AND ASSEMBLING METHOD OF PART IN APPARATUS アッシング処理装置及び該処理装置用部品の製作方法 - 特許庁
TREATING SOLUTION COMPOSITION AFTER ASHING AND TREATMENT METHOD USING SAME アッシング後の処理液組成物およびこれを用いた処理方法 - 特許庁
METHOD OF WASHING DECK GLASS WITH SPACER AND BARREL TYPE ASHING DEVICE スペーサ付カバーガラスの洗浄方法及びバレル型アッシング装置 - 特許庁
To provide an ashingmethod wherein, even if Ru is used for the electrode material of a semiconductor device, Ru is not adversely affected during ashing, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device using the ashingmethod. 半導体装置の電極材料にRuを用いても、アッシングの際にRuが悪影響を受けないアッシング方法とそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
METHOD OF DECIDING ENDING POINT OF OXYGEN-FREE PLASMA TREATMENT AND ASHINGMETHOD 無酸素プラズマ処理における終了点の決定方法およびアッシング方法 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE OF INFORMATION RECORDING DISK AND METHOD FOR PLASMA ASHING 情報記録ディスク製造装置及び製造方法並びにプラズマアッシング方法 - 特許庁
To provide an ashingmethod capable of suppressing a popping phenomenon, to provide an ashing apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device. ポッピング現象を抑制することができるアッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for plasma ashing which can improve the efficiency of a plasma ashing process. プラズマアッシング処理の効率を向上させることのできるプラズマアッシング方法及びそのプラズマアッシング装置を提供する。 - 特許庁
GAS FEED SYSTEM, ITS PRODUCING METHOD, ASHING SYSTEM, AND ITS OPERATING METHOD ガス導入装置及びその生産方法、並びに、アッシング装置及びその運転方法 - 特許庁
The resist residue is removed by a chemical method such as a UV ashingmethod, an RIE method or the like. レジスト残渣の除去をUVアッシング法やRIE法などの化学的方法により行う。 - 特許庁
METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY OF ASH RATE IN PHOTORESIST-ASHING PROCESS DEVICE ホトレジスト灰化処理装置での灰レート均一性を改良する方法 - 特許庁
METHOD FOR ASHING ORGANOSILICON FILM AND PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE シリコン有機膜のアッシング処理方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a plasma ashingmethod and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist. イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁
To provide the new ashing device and method of a semiconductor wafer for surely suppressing the residual peeling of a resist film, and for economically carrying out ashing processing. レジスト膜の剥離残りを確実に抑制し、かつ経済的にアッシング処理を行える新規な半導体ウェハのアッシング装置及びアッシング方法の提供。 - 特許庁