「atomic layer」を含む例文一覧(606)
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原子層堆積プロセス - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE
原子層堆積装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS
原子層堆積装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER FILM DEPOSITION DEVICE
原子層成膜装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER GROWTH APPARATUS
原子層成長装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER GROWTH DEVICE
原子層成長装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS
原子層成長装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS
原子層蒸着装置 - 特許庁 - DEVICE FOR GROWING ATOMIC LAYER
原子層成長装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD
原子層堆積装置及び原子層堆積方法 - 特許庁 - The interface consists of a silicon atomic layer, a nitrogen atomic layer and a metal atomic layer in the form of an MSiN2.
インタフェースは、MSiN_2の形で、シリコン，窒素および金属の原子層からなる。 - 特許庁 - ATOMIC LAYER GROWTH APPARATUS AND METHOD OF GROWING ATOMIC LAYER
原子層成長装置および原子層成長方法 - 特許庁 - CHEMICAL FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, AND ATOMIC LAYER THIN FILM DEPOSITION METHOD
原子層堆積法用薬剤及び原子層薄膜堆積法 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND PROCESS
原子層堆積装置及び方法 - 特許庁 - ATOMIC LAYER GROWTH METHOD FOR DEPOSITING LAYER
層を堆積させるための原子層成長法 - 特許庁 - APPARATUS FOR FORMING ATOMIC LAYER DEPOSITION FILM
原子層堆積膜の形成装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD
原子層成長装置および方法 - 特許庁 - METHOD FOR DEPOSITING ATOMIC LAYER AND APPARATUS THEREFOR
原子層堆積方法及び装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE AND METHOD THEREFOR
原子層成長装置および方法 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS FOR TUNGSTEN MATERIAL
タングステン材料の原子層堆積法 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION CHAMBER AND COMPONENT
原子層堆積チャンバ及び構成部品 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING ATOMIC LAYER CONTROL THIN FILM
原子層制御薄膜の形成方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
原子層堆積のための方法と装置。 - 特許庁 - The apparatus 200 for forming atomic layer deposition film forms an atomic layer deposition film on a base body according to an atomic layer deposition method.
原子層堆積法によって基体上に原子層堆積膜を形成する原子層堆積膜の形成装置２００である。 - 特許庁 - In this medium, a composition of atoms for forming the recording layer has a specific atomic ratio represented by formula (I) AgaInbSbcTexGey, (II) AgaGebSbyTez, (III) AgaGebSbyMATez, (IV) AgaGebSbyMATez or (V) AgaGebSbyZnATez.
ＡｇａＩｎｂＳｂｃＴｅｘＧｅｙ （Ｉ） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＴｅｚ （II） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＭＡＴｅｚ （III） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＭＡＴｅｚ （IV） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＺｎＡＴｅｚ （Ｖ） - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION USING METAL AMIDINATE
金属アミジナートを用いる原子層の析出 - 特許庁 - PROCESSING CHAMBER FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS
原子層成長プロセスのための処理チャンバ - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS OF GROWING PLASMA ATOMIC LAYER
プラズマ原子層成長方法及び装置 - 特許庁 - The seed layer can be formed by an atomic layer deposition technique.
シード層は、原子層堆積法によって形成され得る。 - 特許庁 - ROTARY DRUM IN FILM DEPOSITION APPARATUS FOR ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND FILM DEPOSITION APPARATUS FOR ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
原子層堆積法成膜装置における回転ドラムおよび原子層堆積法成膜装置 - 特許庁 - THIN FILM FORMING METHOD USING ATOMIC LAYER DEPOSITION
原子層蒸着を用いた薄膜形成方法 - 特許庁 - In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).
埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF FORMING THIN FILM
原子層堆積装置及び薄膜形成方法 - 特許庁 - ATOMIC-LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR FORMING THIN FILM
原子層堆積装置及び薄膜形成方法 - 特許庁 - ATOMIC LAYER GROWING APPARATUS AND THIN FILM FORMING METHOD
原子層成長装置および薄膜形成方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR HIGH SPEED ATOMIC LAYER DEPOSITION
高速原子層めっきのための方法及び装置 - 特許庁 - ATOMIC LAYER VAPOR DEPOSITION APPARATUS UTILIZING NEUTRAL BEAM AND ATOMIC LAYER VAPOR DEPOSITION METHOD UTILIZING THE APPARATUS
中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法 - 特許庁 - THIN FILM DEPOSITION METHOD USING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD
原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING FILM BY ATOMIC LAYER EPITAXIAL GROWING METHOD
原子層エピタキシャル成長法による成膜方法 - 特許庁 - THIN FILM FORMING METHOD USING ATOMIC LAYER EVAPORATION METHOD
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法 - 特許庁 - THIN FILM FORMING METHOD USING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法 - 特許庁 - The silicon nitride layer 39 is formed in an atomic layer deposition method.
また、窒化シリコン層３９は、原子層堆積法により形成されている。 - 特許庁 - The multilayered barrier layer 200 has a structure constructed by successively laminating a barrier layer 201 composed of AlN9 atomic layer, a well layer 206 composed of a GaN2 atomic layer, and another barrier layer 202 composed of an AlN9 atomic layer upon another in this order.
また、多重障壁層２００は、ＡｌＮ９原子層からなる障壁層２０１、ＧａＮ２原子層からなる井戸層２０６、及びＡｌＮ９原子層からなる障壁層２０２が順に積層された構造を有する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING THIN FILM USING ATOMIC-LAYER VACUUM DEPOSITION
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR FORMING MATERIAL LAYER FROM ATOMIC GAS
原子ガスから材料層を形成する方法と装置 - 特許庁 - VARIABLE TEMPERATURE AND DOSE ATOMIC LAYER DEPOSITION
温度および投与量が調節可能な原子層堆積 - 特許庁 - ATOMIC LAYER DEPOSITION OF Ta2O5 AND HIGH-k DIELECTRIC
Ｔａ２Ｏ５および高ｋ誘電体の原子層堆積 - 特許庁 - To provide a high-k silicate atomic layer deposition method in ALD.
高-ｋケイ酸塩原子層堆積法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF DEPOSITING SILICON DIOXIDE LAYER ON SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD
原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法 - 特許庁 - The seed layer can be formed by an atomic layer deposition (ALD) method (102).
シード層は原子層堆積法によって形成されることが出来る（１０２）。 - 特許庁
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