「atomic phase」を含む例文一覧(68)

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  • PHASE MODULATOR AND RUBIDIUM ATOMIC OSCILLATOR
    位相変調器及びルビジウム原子発振器 - 特許庁
  • To realize the miniaturization of an atomic oscillating device and the improvement of phase noise characteristics.
    原子発振装置の小型化及び位相雑音特性の改善を図る。 - 特許庁
  • After the coating film is formed, the phase-change layer is formed by utilizing the atomic layer deposition method.
    コーティング膜を形成した後、相変化層は、原子層堆積法を利用して形成する。 - 特許庁
  • Then, the catalyst layer 12 carries out solid-phase diffusion ionizing hydrogen gas into atomic hydrogen.
    そして、触媒層１２は水素ガスを原子状の水素に電離して固相拡散させる。 - 特許庁
  • And the crystalline phase change layer (100) smooth at the atomic level created by this method.
    および、この方法によって作られる原子レベルで滑らかな結晶性相変化層(100)。 - 特許庁
  • I calculate the beneficial knowledge we could gain from a phase 5 atomic scan is worth the risk.
    フェーズ5の原子レベルスキャンから 得られる有益な知識は リスクを犯す価値があります - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a data memory medium having the surface of a phase change layer smooth at an atomic level.
    原子レベルで滑らかな相変化層表面を有するデータ記憶媒体を提供すること。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE PHASE CHANGE LAYER OF SMOOTH SURFACE FOR ATOMIC RESOLUTION STORAGE
    アトミックレゾリューション・ストレージ用の滑らかな表面の結晶性相変化層を製造する方法 - 特許庁
  • The phase difference of a phase shift mask is determined by measuring the depth of the step in the shifter part 6 by using a scanning atomic force microscope so as to manufacture the phase shift mask.
    走査型原子間力顕微鏡によりシフター部６の段差深さを測定することにより位相シフトマスクの位相差を測定し、位相シフトマスクを製造する。 - 特許庁
  • The atomic concentration of the non-soluble phase in the first magnetic layer 16 is set higher than the atomic concentration of the non-soluble phase in the second magnetic layer 17.
    第１磁性層１６および第２磁性層１７は磁性粒子と非磁性の非固溶相からなり、第１磁性層１６を第２磁性層１７よりも非固溶相の原子濃度を高く設定する。 - 特許庁
  • The method of forming the crystalline phase change layer (100) leaving the surface smooth at the atomic level on the surface.
    表面に原子レベルで滑らかな表面を残す結晶性相変化層(100)を形成する方法。 - 特許庁
  • Electron-microscope specimens thinner than 10 nm and of low atomic number behave as weak-phase objects.
    10nmより薄く低い原子番号から成る電子顕微鏡の試料は、弱位相物体として振る舞う。 - 科学技術論文動詞集
  • When analyzing and processing the polymer, polymer phase-data is obtained by using a non-contact mode of an atomic force microscope.
    ポリマーの解析処理を行うとき、原子間力顕微鏡の非接触モードを用いてポリマーの位相データを取得する。 - 特許庁
  • Though the mechanism is not defined, the regular phase can be formed by the above composition even when the atomic ratio Zr/Ce is ≥1.
    理由は不明であるが、この組成とすることで原子比Zr／Ceが１以上の範囲でも規則相が形成される。 - 特許庁
  • Further, even if a flooding state occurs due to the product water, the atomic hydrogen can well be moved by the solid-phase diffusion.
    また、生成水によりフラッディング状態が発生しても、固相拡散によって原子状の水素を良好に移動できる。 - 特許庁
  • To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.
    レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In this method, a micro phase separation structure film is irradiated with normal-pressure plasma, and the film is etched up to a part allowing confirmation of the micro phase separation structure, and then the surface is observed by an atomic force microscope (AFM), to thereby confirm the micro phase separation structure.
    ミクロ相分離構造膜に、常圧プラズマを照射し、ミクロ相分離構造が確認可能な部分まで膜をエッチングした後、表面を原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することによりミクロ相分離構造を確認する方法である。 - 特許庁
  • The X-ray diffraction intensity is subjected to Fourier transformation to calculate a function that represents atomic position in the oxide causing a molten component, a molten phase and a crystalline phase of the oxide causing the molten component are discriminated from a peak value of the function that represents the atomic position, and the structure of the oxide is evaluated by simultaneously evaluating the structures of the molten phase and the crystalline phase.
    そして、そのＸ線回折強度をフーリエ変換して、溶融成分を生じさせた酸化物中の原子配置を表す関数を求め、当該原子配置を表す関数のピーク値から、前記溶融成分を生じさせた酸化物の溶融相及び結晶性の相を判別し、該溶融相および該結晶性の相の構造を同時に評価することにより、酸化物の構造を評価する。 - 特許庁
  • When analyzing the composite material by using the atomic force microscope, data of the phase delay of the composite material acquired by using a noncontact mode of the atomic force microscope are acquired under the condition of at least two set temperatures.
    複合材料を原子間力顕微鏡を用いて解析するとき、少なくとも２つの設定温度の条件下、原子間力顕微鏡の非接触モードを用いて得られる複合材料の位相遅れのデータを取得する。 - 特許庁
  • Atomic hydrogen is generated by the catalytic cracking reaction between a heated high fusing point catalyst and exfoliating gas including molecules having hydrogen atoms, and the generated atomic hydrogen and the resist are brought into contact with each other to exfoliate the resist in a gaseous phase manner.
    加熱された高融点触媒体と水素原子を有する分子を含む剥離ガスとの接触分解反応により原子状水素を生成し、生成した原子状水素とレジストとを接触させて、気相的にレジストを剥離する。 - 特許庁
  • A self-selecting storage device is formed by depositing a zinc oxide (ZnO) over a phase-change material through the use of atomic layer deposition (ALD).
    原子層堆積法（ＡＬＤ）を使用して、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）を層変化材料の上に堆積させることで、自己選択型記憶デバイスが形成される。 - 特許庁
  • To provide a method and a structure for feeding a vaporized reactant to a vapor phase deposition reactor such as an atomic layer deposition (ALD) reactor from a liquid source.
    液体ソースから原子層堆積（ＡＬＤ）反応炉などの気相堆積反応炉に気化反応物を供給する方法および構造を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask by which no correction scum of a residual defect is left when the residual defect of a halftone phase shift mask is removed by using an AFM (atomic force microscope) correcting device.
    ハーフトーン型位相シフトマスクの残留欠陥をＡＦＭ型修正機を用いて除去する際、残留欠陥の修正カスを残さないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • This autosampler which is provided in the atomic absorption photometer and used for introducing a metal into an atomization part of the atomic absorption photometer, includes on a tip part, a solid phase extraction agent 10 on which a metal in a liquid sample is adsorbed.
    本発明のオートサンプラは、原子吸光光度計に設けられているものであり、原子吸光光度計の原子化部へ金属を導入するオートサンプラであって、液体試料中の金属が吸着する固相抽出剤１０を先端部に備えている。 - 特許庁
  • The solvent (melt) composition forming the solution phase is made to be a BaO-CuO-BaF_2 system, and the atomic ratio of Ba to Cu is adjusted to be in the range of 42:58 to 20:80.
    溶液相における溶媒（溶融体）組成を、ＢａＯ−ＣｕＯ−ＢａＦ_2 系とするとともに、Ｂａ／Ｃｕ原子比を約４２／５８〜２０／８０の範囲とする。 - 特許庁
  • In the sintered Cr alloy target material comprising, as additional elements, B of 1 to 20 atomic%, Ti and/or Mo of 5 to 30 atomic%, and the balance substantially Cr, a β-B phase is not substantially present in the structure.
    添加元素として、Ｂを１〜２０原子％、Ｔｉおよび／またはＭｏを５〜３０原子％含有する残部実質的にＣｒからなる焼結Ｃｒ合金ターゲット材であって、該ターゲット材の組織中に実質的にβ−Ｂ相が存在しないＣｒ合金ターゲット材である。 - 特許庁
  • The computing unit 106 (406) also computationally determines an effective atomic number of the object of examination from ρ_et determined from the quantity of the X-ray phase and μt determined from the X-ray transmittance.
    また、演算手段１０６（４０６）は、Ｘ線位相量から求めたρ_ｅｔと、Ｘ線透過率から求めたμｔから被検知物の実効原子番号を演算する。 - 特許庁
  • The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.
    第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁
  • The TiC-based cermet body contains TiC and WC such that the atomic ratio Ti/W is 2 to 5, and additionally contains cobalt as the binder phase in an amount of 5 to 25 vol%.
    本発明は、ＴｉＣ及びＷＣを含み、原子比Ｔｉ／Ｗが２〜５であり、バインダー相としてのコバルトを５〜２５ｖｏｌ％の量でさらに含むＴｉＣ系サーメット本体に関する。 - 特許庁
  • The cross section of chemically treated hair, which is obtained by twice treating hair with a commercial high bleaching agent, and that of treated hair obtained by treating hair with a 2% amino acid aqueous solution are respectively measured by an atomic force microscope to obtain an amplitude image shown in Fig.1 and a phase image shown in Fig.2.
    毛髪を市販のハイブリーチ剤で２回ブリーチ処理を行った化学処理毛と、更に２％アミノ酸水溶液で処理したトリートメント処理毛との断面を、それぞれ、原子間力顕微鏡で測定し、図１に示すamplitude像と、図２に示すphase像とを得た。 - 特許庁
  • The phase shift film 2 comprises a film, having a ratio of atomic percentages of the metal to silicon larger than metal:silicon=1:2 and is a dense film with ≤2 nm for root-mean-square (RMS) roughness.
    位相シフト膜２に含まれる金属と珪素との原子％の比率が、金属：珪素＝１：２より大きい膜で構成され、かつ自乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で２ｎｍ以下となる緻密な膜である。 - 特許庁
  • To detect the information of a phase delay even if a plurality of kinds of polymers are in rubber states, when analyzing a composite material including the plurality of kinds of polymers by using an atomic force microscope.
    複数種類のポリマーを含む複合材料を、原子間力顕微鏡を用いて解析する際、複数種類のポリマーがゴム状態にある場合でも位相遅れの情報を検出する。 - 特許庁
  • A phase comparator 42a of a PLL circuit 42 in a rubidium atomic oscillator receives the output of a VCXO 4 as a reference frequency source and the output of the lamp excitor 19 via a frequency division circuit 42c.
    ＰＬＬ回路４２の位相比較器４２ａに、基準の周波数源としての前記ＶＣＸＯ４０の出力と、分周回路４２ｃを介してランプ励振器１９の出力とが入力する。 - 特許庁
  • In this optical recording medium equipped with the information layer including the recording membrane, the recording membrane is made of a phase-change material containing mainly 79-95 atomic percentage of Sb and 5-21 atomic percentage of Ge and does not containing group 16 elements.
    記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって、形成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁
  • The method of evaluating the vapor deposition film measures a phase change by scanning vibratingly a probe of an atomic force microscope on a vapor deposition film surface of an optical member having the vapor deposition film on a base material, and evaluates the vapor deposition film, based on the measured phase change.
    基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 - 特許庁
  • 3) The phase transition type optical information recording medium in which a recording layer consists of GeGaSbTe and the composition ratios α, β, γ, and δ, (atomic %) of the respective elements are 0.1≤α≤7, 1≤β≤9, 61≤γ≤75 and 22≤δ≤30.
    ３）記録層がＧｅＧａＳｂＴｅからなり、各元素の組成比α、β、γ、δ（原子％）が、０．１≦α≦７、１≦β≦９、６１≦γ≦７５、２２≦δ≦３０である相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁
  • A signal generating part 21 outputs a signal having a frequency whose rate to the atomic resonance frequency is an integer by using the oscillation signal as an input clock, and outputs a modulation signal obtained by phase-modulating the signal.
    信号発生部２１は、発振信号を入力クロックとして、原子共鳴周波数の整数比となる周波数を持つ信号を出力し、信号に位相変調をかけた変調信号を出力する。 - 特許庁
  • The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.
    原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁
  • In the Co alloy target material for a magnetic recording medium, in a Co alloy target material contains 25 to 90 atomic percent of one or more kinds of elements selected from Nb, Ta, Mo, W and Ti, and the balance substantially Co, an αCo phase or an εCo phase remains in the structure.
    （Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ）から選択される１種以上の元素を２５〜９０原子％含有し、残部実質的にＣｏとからなるＣｏ合金ターゲット材において、ターゲット材の組織中にαＣｏ相あるいはεＣｏ相が残存している磁気記録媒体用Ｃｏ合金ターゲット材である。 - 特許庁
  • (1)In the phase change type optical recording media recording information by generating phase change in a recording layer by irradiating a light beam, the recording layer includes Sb as a main component and elements whose atomic radius is smaller than that of Sb (hereinafter element M), the concentration of the element M is different in a direction within a face.
    （１）光ビームを照射することにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録する光記録媒体において、記録層が、主成分のＳｂと原子半径がＳｂよりも小さい元素（以下、元素Ｍという）を含み、元素Ｍの濃度が面内方向で異なることを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 特許庁
  • The material for the spatial light modulator characterized in that its anisotropy of molecular polarizability is ≥15 atomic units and that the material attains an isotropic phase at a service temperature, the display material and the hologram display device using the display material.
    分子分極率異方性が１５原子単位以上で、かつ使用温度にて等方相をとることを特徴とする空間光変調器用材料、表示材料、および、前記表示材料を用いたホログラム表示装置。 - 特許庁
  • This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).
    このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁
  • The material for the vapor phase growth apparatus consists of Si dispersed vitrous carbon in which that atomic level Si is dispersed and compounded as homogeneous and continuous phases in the vitrous carbon structure at the range of 0.5-15 wt.%.
    ガラス状カーボンの組織中に、０．５〜１５重量％の範囲でＳｉが原子レベルで均一な連続相として分散複合した組織性状を備えるＳｉ分散ガラス状カーボンからなる気相成長装置用部材。 - 特許庁
  • A gas-phase cell 200 for the chip scale atomic clock (CSAC) includes a silicon wafer 205, and a first chamber 210, a second chamber 220 and a route 215 for connecting the first chamber 210 to the second chamber 220 are included in the silicon wafer 205.
    チップスケール原子時計（ＣＳＡＣ）のための気相セル２００は、シリコンウェハ２０５を有し、シリコンウェハ２０５内に、第１チャンバ２１０、第２チャンバ２２０、および第１チャンバ２１０を第２チャンバ２２０へ接続する経路２１５を有する。 - 特許庁
  • The raw material for a chemical vapor phase growth method composed of an alkoxide raw material containing tantalum Ta and alkaline- earth metals in a unimolecule in the atomic ratio of 2:1 and a bismuth layered compound formed by the alkoxide raw material are composed.
    単分子中にタンタルＴａとアルカリ土類金属とを、２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなる化学的気相成長法用原料、及びこのアルコキシド原料より形成したビスマス層状化合物を構成する。 - 特許庁
  • To provide a rubidium atomic oscillator which is hardly affected by ambient noises, superior in a short-term stability and phase noise characteristics, and capable of reducing a deterioration in its frequency stability, in a frequency-unlocked state to an irreducible minimum.
    本発明はルビジウム原子発振器に関し，周囲雑音等の影響を受けず，短期安定度や位相雑音特性の優れた，且つ周波数アンロック状態における周波数安定度の劣化を最小限に抑えることを目的とする。 - 特許庁
  • This method for producing 1,1,1,3,3-pentafluoropropane comprises fluorinating 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene with hydrogen fluoride in a reaction zone containing a catalyst comprising activated carbon carrying the halogenation product of a high atomic valency metal selected from the halogenation products of antimony, tantalum, niobium, molybdenum, tin and titanium in a gaseous phase.
    １−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンをアンチモン、タンタル、ニオブ、モリブデン、スズ、チタンのハロゲン化物から選ばれた高原子価金属ハロゲン化物を担持した活性炭からなる触媒の存在する反応領域においてフッ化水素で気相フッ素化する。 - 特許庁
  • To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.
    記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method and an apparatus for measuring impurities on the surface of a semiconductor wafer capable of more accurately analyzing the impurities in the measurement of the impurities on the surface of the wafer by an atomic absorption spectrometry using a vapor-phase decomposition method.
    気相分解法を用いた原子吸光分析による半導体ウエハ表面の不純物測定において、より正確な不純物分析を行うことができる半導体ウエハ表面の不純物測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • This method relates to the phase change recording film with high electric resistance having a composition wherein Ge:15 to 30%, Sb:15 to 30% and B:0.2 to 12% at atomic % are incorporated and the remainder consists of Te and inevitable impurities, and a sputtering target for forming the film.
    原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％、Ｂ：０．２〜１２を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁
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