「atomic-scale」を含む例文一覧(37)

  • ATOMIC GYROSCOPE OF CHIP SCALE
    チップスケールの原子ジャイロスコープ - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR SMOOTHING SURFACE ON ATOMIC SCALE
    原子スケールの表面平滑化方法および装置 - 特許庁
  • ..., in which about 250 atomic clocks are kept, and computes the atomic time scale "Temps Atomique International" (TAI).
    ...、そこには約250の原子時計が保管され、原子時間尺度「国際原子時」(TAI)が計算されている。 - コンピューター用語辞典
  • To maintain a stability of a chip scale atomic clock over temperature.
    温度にわたってチップスケール原子時計の安定性を維持する。 - 特許庁
  • To provide a new method for forming atomically complete atomic-scale metal wires and atomic-scale metal clusters on a silicon substrate.
    原子的に完全な原子スケール金属ワイヤ及び原子スケール金属クラスタをシリコン基板上に形成する新規な方法を提供する。 - 特許庁
  • FORMATION OF FLAT FACE ON ATOMIC SCALE IN SURFACE OF METALLIC SUBSTRATE
    金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法 - 特許庁
  • that the unit interval of the International Atomic Time scale must be the second realized according to its atomic definition, ...
    国際原子時尺度の単位間隔はその原子による定義に従って実現される秒でなければならず、... - コンピューター用語辞典
  • To provide a method and an apparatus for smoothing surfaces on an atomic scale.
    原子スケールで表面を平滑化する方法および装置を提供する。 - 特許庁
  • ATOMIC SCALE METAL WIRE OR METAL NANOCLUSTER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法 - 特許庁
  • Some novel nanostructured materials were characterized at the atomic scale.
    いくつかの新規なナノ構造材料の特徴が、原子スケールで明らかにされた。 - 科学技術論文動詞集
  • To remove existence of a pollutant in an optical passage of a chip scale atomic clock (CSAC).
    チップスケール原子時計(CSAC)の光学通路の汚染物の存在を取り除く。 - 特許庁
  • To provide a method for constructing a chip scale atomic clock in which the clock frequency is stable.
    クロック周波数が安定したチップスケールの原子時計を構築する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of processing graphene, the method forming and controlling an end structure on an atomic scale.
    端構造を原子スケールで形成・制御可能なグラフェンの加工方法を提供する。 - 特許庁
  • the sum of the atomic masses of all atoms in a molecule, based on a scale in which the atomic masses of hydrogen, carbon, nitrogen, and oxygen are 1, 12, 14, and 16, respectively.
    水素、炭素、窒素、酸素の原子量がそれぞれ1、12、14、16である尺度に基づき、1つの分子を構成する全ての原子の原子量の和。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • To provide a method of forming a strip-like single-layer graphite thin film having an edge structure set in good order in an atomic scale.
    原子スケールで整った端構造を持つ短冊状の単層グラファイト薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an atomic gyroscope of a chip scale, and a method for detecting and measuring mechanical rotation of an object.
    チップスケールの原子ジャイロスコープと、物体の機械的な回転を検知及び測定する方法とを開示する。 - 特許庁
  • Further, an optical device or an electronic device element of the nitride semiconductor device is fabricated by using a linear step of the atomic scale.
    さらに、原子スケールの線状ステップを利用して窒化半導体素子の光デバイス又は電子デバイス素子を作製する。 - 特許庁
  • To provide a design and a method for thermally stabilizing a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) in a chip-scale atomic clock.
    チップスケール原子時計内の垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)を熱的に安定化させる設計および方法を提供する。 - 特許庁
  • A chip scale atomic clock includes a physical package 102 and a laser die 110 arranged in a first thermal zone 118 of the physical package 102.
    チップスケール原子時計は、物理パッケージ102と、この物理パッケージ102の第1熱領域118に配置されるレーザーダイ110と、を有する。 - 特許庁
  • The hetero structure is manufactured by the bonding which controls atomic attraction force of a nano scale substance, different from a conventional manufacturing method using etching.
    従来行われてきたエッチングによる作製法と異なり、ナノスケール物質の原子的引力を制御した接着によりヘテロ構造を作製する。 - 特許庁
  • The ability to quantify chemical information at a near-atomic scale (including light elements such as C, O and N) makes EFTEM an important tool for materials characterization.
    原子に近いスケールで化学的情報を定量化する能力(C、O、Nなどの軽い元素を含む)は、EFTEMを材料評価のための重要な道具(手法)にする。 - 科学技術論文動詞集
  • To provide a rubidium atomic oscillator which is made small in circuit scale for sweep voltage generation and can automatically perform frequency acquiring operation in an unlocked state.
    スイープ電圧発生のための回路規模を小型化し、且つ非ロック時における周波数引き込み動作を自動的に行なうことが可能なルビジウム原子発振器を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a flat face on an atomic scale in the surface of a metallic substrate by an electrochemical method capable of flattening on an electronic level having a practically requred width.
    実用上必要な広さを有する電子レベルでの平坦化が可能な電気化学的方法による金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • Using a sapphire slightly-tilted substrate having an off-angle of 0.5° or less, a plurality of nitride semiconductor films having flatness in an atomic scale are fabricated by a molecular beam epitaxy method to manufacture a nitride semiconductor device.
    オフ角が0.5度以下であるサファイヤ微傾斜基板を用い、分子線エピタキシー法により複数の窒化半導体膜を原子スケールで平坦な膜を作製して窒化物半導体素子を製造する。 - 特許庁
  • To provide a method for preparing bis(pentamethylcyclopentadienyl)strontium on a large scale which is a suitable raw material for forming a membrane comprising strontium oxide by a chemical vapor deposition method or by an atomic layer deposition method.
    酸化ストロンチウムを含有する膜を化学気相成長法や原子層堆積法により形成するための好適な原料であるビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ストロンチウムを量産することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Devices with these improvements have numerous applications, including molecular force measurements, atomic force microscopy and manipulation technology, lithographic manufacturing, nanometer scale surface profiling and other aspects of nanotechnology.
    これらの改良点を伴う装置は、分子力測定、原子間力顕微鏡、および操作技術、リソグラフィ製造、ナノメータースケールの表面形状測定、およびナノテクノロジーの他の局面を含め、多くの用途を有する。 - 特許庁
  • To efficiently reproduce a structural change of a material having a complicated composition consisting of mixed multiple elements, involving the re-combination of covalent bonds, in large-scale molecular dynamics simulations using at least a few thousands of atomic groups or more.
    数千個以上の原子集団を扱う大規模系の分子動力学シミュレーションにおいて、多元素が混在する複雑な組成を有する物質の、共有結合の組み換えを伴う構造変化を、効率的に再現する。 - 特許庁
  • A gas-phase cell 200 for the chip scale atomic clock (CSAC) includes a silicon wafer 205, and a first chamber 210, a second chamber 220 and a route 215 for connecting the first chamber 210 to the second chamber 220 are included in the silicon wafer 205.
    チップスケール原子時計(CSAC)のための気相セル200は、シリコンウェハ205を有し、シリコンウェハ205内に、第1チャンバ210、第2チャンバ220、および第1チャンバ210を第2チャンバ220へ接続する経路215を有する。 - 特許庁
  • To at least three elements which are brought into eutectic reaction, an element inducing nanocrystallization on a scale of a nanometer order in the alloy composed of at least three elements is added in a range where the compositional percentage thereof reaches 0.01 to 20 atomic%.
    共晶反応を起こす少なくとも3つの元素に、この少なくとも3つの元素からなる合金においてナノメートル・オーダのスケールでのナノ結晶化を誘発する元素を、その組成比率が0.01〜20原子%となる範囲で添加する。 - 特許庁
  • To reduce a circuit scale, a manufacturing period and a manufacturing cost by generating a high frequency signal whose lower frequency multiplication coincides with an atomic resonance frequency from an output frequency signal of a reference oscillator.
    低次の周波数逓倍が原子共鳴周波数に一致する高周波信号を基準発振器の出力周波数信号から生成できるようにすることで、回路規模の縮小,製造期間の短縮及び製造コスト削減を図れるようにする。 - 特許庁
  • The invention utilizes combinations of relatively low particle energy (e.g., below the sputter threshold of the material) and near normal incidence angles, which achieve improved smoothing of a surface on an atomic scale with substantially no etching of the surface.
    本発明は、比較的低い粒子エネルギー(例えば素材のスパッタ閾値を下回る)および垂直に近い入射角を組み合わせて利用するものであり、原子スケールの表面平滑化を改善することができ、表面が実質上エッチングされなくなる。 - 特許庁
  • In the case an alkali metal is deposited on a carrier of a TiO2-Al2O3 compounded oxide in which Ti is highly dispersed in atomic scale, the Ti/Al mole ratio is controlled to be within (1/12)-(1/18) and in the case an alkaline earth metal is deposited, the Ti/Al mole ratio is controlled to be within (1/4)-(1/6).
    Tiが原子レベルで高分散したTiO_2-Al_2O_3の複合酸化物からなる担体に、アルカリ金属を担持した場合は担体のTi/Alモル比を1/12〜1/18の範囲とし、アルカリ土類金属を担持した場合は担体のTi/Alモル比を1/4〜1/6とした。 - 特許庁
  • In this case, when the voltage applied between the surface 1a of the substrate 1 and the needle-shaped member 2 is changed by a variable power source 3, the wavelength zone of the light L emitted from the atomic-scale structure formed on the surface 1a of the substrate 1 is changed.
    ここで、可変電源3により基材1の表面1aと針状部材2との間に印加される電圧を変化させると、基材1の表面1aに形成された原子スケールの構造物から放出される光Lの波長域が変化する。 - 特許庁
  • To form layers of graphene in which the number of layers is precisely controlled in atomic layer unit, under growth conditions with a high degree of freedom, in dimensions suitable for microfabrication for large-scale integration and practical dimensions of a single crystalline region, with high quality including few defects.
    自由度の高い成長条件で、大規模集積化のための微細加工に適した大きさで、かつ単一結晶領域が実用的な大きさであり、欠陥が少ない高品質で、層数を原子層単位で精密に制御したグラフェンの層が形成できるようにする。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed.
    半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a construction work support system, which can easily grasp information about a position and a variety of items concerning the position in a large-scale closed space such as in an atomic power plant under construction, by means of IC tags set at respective points in the construction field, to thereby efficiently carry out the construction work and monitoring thereof.
    原子力プラント建設等の大規模閉空間内での位置及びその位置に関連する各種情報を、建設現場の各ポイントに設置したICタグにより、簡単に把握できるようにし、効率よく建設作業や作業管理等を行えるようにした建設作業支援システムを提案することを目的とする。 - 特許庁
  • Since, based on the means of stepwise controlling the vapor in a molecular or atomic state, a film is formed according to the mechanism of surface-nucleation, condensation and growth, a film having superior evenness, nano-scale adjustability, specialized structure and function that can not be achieved by the films from conventional spray coating and ink jet means can be obtained.
    蒸気を原子或いは分子状態で段階的制御を行う手段に基づき、蒸着対象基材の表面にて核生成、凝結、及び核生成、成長させるメカニズムにより薄膜を形成するため、伝統的な塗布及びインクジェット技術では得られなかった均等性、ナノサイズのコントロール特性等を備える特殊構造及び機能性を有する薄膜を獲得できる。 - 特許庁

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