The photodiode is formed on the substrate, and has the annular laminated structure of an i-GaAs layer 307 and a p-GaAs ayer 308 surrounding the laser element through the region 322. フォトダイオードは、基板上に形成され、素子分離領域を介してレーザ素子を取り巻くi−GaAs層307及びp−GaAs層308の環状積層構造を備える。 - 特許庁