「block layer」を含む例文一覧(1213)

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  • DOUBLE LAYER GLASS AND GLASS BLOCK
    複層ガラス及びガラスブロック - 特許庁
  • BLOCK BONDING SURFACE LAYER PIECE
    表層片を付着したブロック - 特許庁
  • CURBSTONE BLOCK HAVING PERMEABLE LAYER
    透水層を有する縁石ブロック - 特許庁
  • When the TiO2 hole block layer is produced, the TiO2 hole block layer is made amorphous, by drying the TiO2 hole block layer in the air.
    TiO2ホールブロック層作製の際、大気中で乾燥させることにより、TiO2ホールブロック層をアモルファス化する。 - 特許庁
  • INSTALLATION METHOD FOR IMPERVIOUS LAYER AND IMPERVIOUS LAYER FORMING BLOCK
    遮水層の設置方法および遮水層形成ブロック - 特許庁
  • PATTERN FORMING METHOD FOR LAYER INCLUDING BLOCK COPOLYMER
    ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 - 特許庁
  • The image data block in the base layer is different from the corresponding block (B_BL).
    前記基本層の画像データ・ブロックは、対応するブロック（B_BL）とは別である。 - 特許庁
  • The current block layer 8 is slightly etched at this time, but the block layer 8 is thick enough, so that the residual part of the block layer 8 is still thick enough.
    このとき同時に電流ブロック層８もわずかにエッチングされるが、電流ブロック層８は十分厚いため、十分な厚さが残る。 - 特許庁
  • This greening block includes an upper layer 10 and a lower layer 20.
    本発明の緑化ブロックは上層１０と下層２０とからなる。 - 特許庁
  • The block layer 14 is made of silicon dioxide.
    ブロック層１４は二酸化珪素で形成される。 - 特許庁
  • The side face part current block layer 8 has a larger refractive index than the flat part current block layer 9.
    側面部電流ブロック層８の屈折率は、平坦部電流ブロック層９の屈折率よりも大きい。 - 特許庁
  • In this case, the upper-layer block 4 is supported rotatably by one edge 15 of the link arm to the lower-layer block.
    上層のブロック４を下層のブロックに対してリンクアームの一端部１５で回転自在に支持した。 - 特許庁
  • Furthermore, between a PCBM:P3HT layer and the TiO2 hole block layer, an inclined concentration layer of PCBM/P3HT may be provided, which has a high concentration of PCBM, near the TiO2 hole block layer.
    また、PCBM:P3HT層とTiO2ホールブロック層の間に、TiO2ホールブロック層の近くにおいてPCBMの濃度を高めたPCBM/P3HTの傾斜濃度層を設けるようにしてもよい。 - 特許庁
  • An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.
    ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁
  • Secondly, the layer 11 is mounted on the external layer block and pressed by a press machine to be filled in the external layer block and transcribed on the external layer block.
    次に、外層ブロック上に、低透磁率セラミックパターン層１１を載せ、プレス機で圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１１を外層ブロックに埋め込み、外層ブロック上に転写する。 - 特許庁
  • The circuit block 2 is disposed on a surface layer.
    回路ブロック２は、表面層上に配置されている。 - 特許庁
  • A carrier block layer 2 is in contact with a half-insulating semiconductor substrate 1, and the sub-collector layer 3 is formed between the carrier block layer 2 and a collector layer 4.
    キャリアブロック層２は半絶縁性半導体基板１に接しており、サブコレクタ層３はキャリアブロック層２とコレクタ層４の間に形成されている。 - 特許庁
  • When a conductive layer is deposited, the current block layer prevents a contact layer from coming direct into contact with a buffer layer.
    導電層が堆積されると、電流ブロック層は、コンタクト層がバッファ層と直接接触することを阻止する。 - 特許庁
  • A second cladding layer and a contact layer are formed sequentially on the active layer and the current block section.
    活性層及び電流ブロック部上に第２クラッド層及びコンタクト層を順に形成する。 - 特許庁
  • The side of mesa is filled up with an n-InP contact layer 30, a p-current block layer 32 and an n-current block layer 34, and a current block structure is formed.
    メサの側面は、ｎ−ＩｎＰコンタクト層３０、ｐ−電流ブロック層３２及びｎ−電流ブロック層３４で埋め込まれ、電流ブロック構造が形成されている。 - 特許庁
  • The VLC18 removes a static block from a slice layer.
    ＶＬＣ１８は、静止ブロックをスライス層から除外する。 - 特許庁
  • An image data macro block (MB_EL) belongs to an enhancement layer and an image data block (B_BL) in a base layer corresponds to the image data macro block (MB_EL).
    画像データ・マクロブロック（MB_EL）は向上層に属しており、前記画像データ・マクロブロック（MB_EL）には基本層において画像データ・ブロック（B_BL）が対応している。 - 特許庁
  • The block lower layer 100, the tuning capacitor insulation layer 1, and the block upper layer 101 before the baking are made of kneaded clay (paste) including ceramic.
    焼成前のブロック下層１００、同調コンデンサ用絶縁層１及びブロック上層１０１は、セラミックを含む煉土（ペースト）である。 - 特許庁
  • The block copolymer layer is heated to the temperature of a glass transition point or more of the block copolymer.
    前記ブロックコポリマー層をブロックコポリマーのガラス転移点以上の温度に加熱する。 - 特許庁
  • ASPHALT MATERIAL, ASPHALT BLOCK, AND FORMING METHOD OF SOLIDIFIED ASPHALT LAYER AND SOLIDIFIED ASPHALT LAYER
    アスファルト材、アスファルトブロック、アスファルト固化層形成工法及びアスファルト固化層 - 特許庁
  • The upper insulating layer 6 is a laminated structure consisting of a transmission insulating layer 6a, a charge trapping layer 6b and a block layer 6c.
    そして、上部絶縁層６は、透過絶縁層６aと電荷捕獲層６ｂとブロック層６ｃの積層構造である。 - 特許庁
  • In the retardation plate, a laminated plate formed by laminating a layer made of resin (layer 1) and a layer made of a block copolymer (layer 2) is used.
    樹脂からなる層（層１）とブロック共重合体よりなる層（層２）を重ね合わせる積層板を用いる。 - 特許庁
  • A block 1 is provided with a body 2 and a film layer 3.
    積み木１は、本体２と皮膜層３とを備えている。 - 特許庁
  • PROTECTION SYSTEM, LAYER 2 FUNCTION BLOCK, NODE AND RING NETWORK
    プロテクション方式、レイヤ２機能ブロック、ノードおよびリングネットワーク - 特許庁
  • In a laminated wiring board 1, a conductor layer which is different from a conductor layer used as a ground layer in a certain block is used as a ground layer in another block.
    積層配線板１では，あるブロックでグランド層として用いられている導体層と異なる導体層が，他のあるブロックでグランド層として用いられている。 - 特許庁
  • In other words, a conductor layer 11 which is different from a conductor layer 12 used as a ground layer 12A in a block A is used as a ground layer 11B in a block B.
    例えば，ブロックＡでグランド層１２Ａとして用いられている導体層１２と異なる導体層１１が，ブロックＢでグランド層１１Ｂとして用いられている。 - 特許庁
  • The ASIC 10 includes a substrate layer 30, at least one metal layer 32, and an operational block 14.
    ASIC(10)は、基板層(30)と、少なくとも一つのメタル層(32)と、オペレーショナルブロック(14)とを含む。 - 特許庁
  • An n-SLS layer 20, an active layer 22, a p-block layer 24, and a p-SLS layer 26 are sequentially laminated on a substrate 10.
    基板１０上に順次ｎ−ＳＬＳ層２０、活性層２２、ｐ−ブロック層２４、ｐ−ＳＬＳ層２６を積層する。 - 特許庁
  • Furthermore, the MAC layer data block is transferred to a lower layer through the second channel.
    また、ＭＡＣ階層データブロックは、前記第２チャネルを通じて下位階層に伝送される。 - 特許庁
  • The low carrier concentration layer 9 has carrier concentration lower than the N-current block layer 10.
    低キャリア濃度層９はｎ−電流ブロック層１０よりも低いキャリア濃度を有する。 - 特許庁
  • The block insulating layer 34a is formed continuously to the source side gate insulating layer 46B.
    ブロック絶縁層３４ａは、ソース側ゲート絶縁層４６Ｂと連続して形成されている。 - 特許庁
  • A semiconductor device is provided with a function block on a lower layer and a flattening dummy pattern 101 on an upper layer.
    下層の機能ブロックと上層の平坦化用ダミーパターン１０１を備えている。 - 特許庁
  • The pattern of the block copolymer layer is formed between a recessed part of the block copolymer layer formed by pressing the projection part of the mold.
    前記モールドの凸部を押し当てて形成されたブロックコポリマー層の凹部の間に、ブロックコポリマー層のパターンを形成される。 - 特許庁
  • (not in POSIX) Block output from a non-current shell layer.
    (POSIX にはない) 現在のシェル層以外からの出力を抑制する。 - JM
  • A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.
    半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁
  • Both the sides of the mesa structure 28 are buried with a p type InP burial layer 32, an n type InP current block layer 34, a p type InP current block layer 36 and an n type InP burial layer (burial layer) 38.
    メサ構造２８の両側をｐ型ＩｎＰ埋込層３２、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３４、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層３６及びｎ型ＩｎＰ埋込層３８（埋込層）で埋め込む。 - 特許庁
  • A block lower layer 100, a tuning capacitor electrode layer 3, a tuning capacitor insulation layer 1, a loop antenna coil layer 21, and a block upper layer 101 are stacked in this order and the layers are baked.
    ブロック下層１００と、同調コンデンサ用電極層３と、同調コンデンサ用絶縁層１と、ループアンテナ用コイル層２１と、ブロック上層１０１とをこの順に積層し、これらの層を焼成する。 - 特許庁
  • In this block pavement by laying a block support layer 2 arranged on a roadbed 1 and a large number of blocks 3 on this block support layer, the block pavement and the execution method therefor are characterized in that the block support layer 2 has water permeability.
    本発明は路盤１上に配置されたブロック支持層２とこのブロック支持層上に多数個のブロック３を敷設してなるブロック舗装において、前記ブロック支持層２が透水性を有することを特徴とするブロック舗装及びその施工方法を提供する。 - 特許庁
  • A p-InP clad layer 36 and p-cap layer 38 are laminated on the mesa and the n-current block layer 34.
    メサ及びｎ−電流ブロック層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層３６、ｐ−キャップ層３８が積層されている。 - 特許庁
  • Further, the bottom member has at least a paper layer, and a styrene block copolymer layer on the outside of the paper layer.
    さらにまた、底部材が少なくとも、紙層と、紙層の外側にスチレン系ブロックコーポリマー層を有している。 - 特許庁
  • This block pavement comprises a wooden block layer which is laid in such a manner that an interval is provided around the wooden block by arranging a spacer, and a paving material which is infilled into an interval around the wooden block of the wooden block layer.
    スペーサを配置して木製ブロックの周囲に間隔を有するように敷設された木製ブロック層と、この木製ブロック層の木製ブロックの周囲の間隔部に充填された舗装材とでブロック舗装を構成している。 - 特許庁
  • Then, the optical guide layer 51, the active layer 52 and the optical guide layer 53 are worked into mesa shape, and a buried layer 54 and a current block layer 55 are formed.
    次いで、光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３をメサ形に加工した後、埋め込み層５４及び電流ブロック層５５を形成する。 - 特許庁
  • The method of producing the ceramic block comprizes forming the block by stacking the surface layer containing glass aggregate and a sintering binder of the glass powder on the base layer and firing the formed block.
    ガラス骨材とガラス粉末焼結バインダーとを含む表層と、基層とを積層して成形した後、焼成することを特徴とするセラミックブロックの製造方法。 - 特許庁
  • Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.
    次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁
  • This greening concrete block is formed in a double layer structure comprising an ordinary concrete layer 10 and a porous concrete layer 20, and water shielding capability is developed by the ordinary concrete layer 10.
    普通コンクリート層１０及びポーラスコンクリート層２０の二層構造とし、普通コンクリート層１０により遮水性を発揮する。 - 特許庁
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