「boron diffusion」を含む例文一覧(106)
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ホウ素拡散用塗布液 - 特許庁 - The diaphragm 10 is constituted of a boron diffusion layer, and a supersaturation region S is formed to part of the boron diffusion layer.
振動板１０がボロン拡散層からなり、このボロン拡散層の一部に過飽和領域Ｓを形成した。 - 特許庁 - The method also has the process of flattening the boron diffusion layer 12a after forming the boron diffusion layer 12a and the process of forming the insulating film 16 in the boron diffusion layer 12a.
また、ボロン拡散層１２ａを形成した後、ボロン拡散層１２ａを平滑化する工程と、ボロン拡散層１２ａに絶縁膜１６を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - When boron doping apparatus is operated using a high-temperature process that typically accelerates boron diffusion, a silicon nitride film inhibits the boron diffusion in the apparatus.
窒化ケイ素膜は、ホウ素拡散を通例促進する高温処理作業を使用してホウ素ドープ装置を処理するとき、そのような装置におけるホウ素拡散を抑制する。 - 特許庁 - (3) The selected area is coated with the diffusion agent containing a boron nitride having high diffusion ability.
（３）拡散能の高い窒化ホウ素を含有する前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。 - 特許庁 - (1) At least two kinds of diffusion agent having different boron nitride concentration are used as the diffusion agent, and the selected area is coated with the diffusion agent having a higher boron nitride concentration.
（１）前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。 - 特許庁 - BORON PASTE FOR DIFFUSION, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL USING THE SAME
拡散用ボロンペースト及びそれを用いた太陽電池の製造方法 - 特許庁 - Furthermore, boron diffusion is applied to a surface wherein the recess 15 is formed, and a boron-doped layer 45 serving as the diaphragm is formed.
さらに、その凹部１５形成面にボロン拡散を施し、振動板となるボロンドープ層４５を形成する。 - 特許庁 - External diffusion of the boron 6, which is additive impurity from an isolation region, is restrained.
分離領域からの添加不純物であるボロン６の外方拡散を抑制する。 - 特許庁 - The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain at least one kind of boron compound selected from a boron nitride and a boron carbide, and a dispersion medium.
ｐ型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも１種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。 - 特許庁 - Further, the single-crystal silicon layer 30 has diffusion regions 31 doped with boron.
そして、単結晶シリコン層３０は、ホウ素のドーピングされた拡散領域３１を有している。 - 特許庁 - A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).
単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁 - To provide a coating liquid for boron diffusion capable of diffusing boron at high concentration even using a propylene glycol-based solvent having inferior solubility in a boron compound.
本発明の課題は、ホウ素化合物の溶解性に劣るプロピレングリコール系溶剤を用いながら、高濃度にホウ素を拡散させることができるホウ素拡散用塗布液を提供することである。 - 特許庁 - Thereafter, a boron (B) application diffusion source is applied by spin coating to the surface of the silicon substrate 20.
次に、ボロン（Ｂ）の塗付拡散源をシリコン基板２０の表面にスピンコートにより塗布する。 - 特許庁 - P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.
Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁 - The coating liquid for boron diffusion contains: (a) a boron compound; (b) a polyvinyl alcohol based resin having a sodium content of ≤10 ppm; and (c) water.
（ａ）ホウ素化合物、（ｂ）ナトリウム含有量が１０ｐｐｍ以下のポリビニルアルコール系樹脂、および（ｃ）水を含有することを特徴とするホウ素拡散用塗布液。 - 特許庁 - The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.
Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁 - In the coating liquid for boron diffusion; (A) a boron compound, (B) a water-soluble polymer compound, and (C) water are contained, and viscosity at 20°C is ranged to 100,000 mPa s from 500 mPa s.
（Ａ）ホウ素化合物、（Ｂ）水溶性高分子化合物、（Ｃ）水を含み、２０℃での粘度が５００〜１０００００ｍＰａ・ｓであることを特徴とするホウ素拡散用塗布液。 - 特許庁 - A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.
エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁 - To provide an electrodeionization apparatus which suppresses concentration diffusion of boron from a concentrating chamber so that product water having an extremely low boron concentration can be obtained, and to provide an operating method therefor.
濃縮室からのホウ素の濃度拡散を抑制し、これにより極低ホウ素濃度の生産水を得ることができる電気脱イオン装置とその運転方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a coating liquid for boron diffusion for diffusing boron in higher concentration to a large size wafer larger than 4 inches without fluctuation of resistance value of a semiconductor device.
４インチ以上の大型ウェーハに半導体デバイスの抵抗値のばらつきなく、高濃度にホウ素を拡散させることができるホウ素拡散用塗布液を提供する。 - 特許庁 - To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.
縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁 - To prevent the inversion of a conductive type of an n type channel formation region due to B(boron) diffusion.
Ｂ（ボロン）の拡散によってｎ型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。 - 特許庁 - By heating the semiconductor substrate 11 to reactivate boron, borons in the two diffusion layers are relocated.
半導体基板１１を加熱して、ボロンを再活性化させることにより、２つの拡散層のボロンを再配置させる。 - 特許庁 - By the removal of the oxide film, boron atoms trapped in the oxide film is removed prior to the antimony diffusion.
この酸化膜の除去によって、酸化膜中に捕獲されていたボロンがアンチモン拡散の前に除去される。 - 特許庁 - To economically provide a ferrous sintered material excellent in machinability in which diffusion of carbon is suppressed and graphite is dispersed, without adding an expensive boron oxide powder or boron nitride powder containing boron oxide.
炭素の拡散を抑制して黒鉛を分散させた被削性に優れる鉄系焼結材料を、高価な酸化硼素粉末または酸化硼素を含有する窒化硼素粉末を添加することなく、経済的に提供できるようにする。 - 特許庁 - After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown.
その後、外方拡散処理を施して拡散層（１２）の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層（１１）をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - To restrain fluctuation of a threshold voltage of a PMOS semiconductor element by obstructing diffusion of boron atoms to a silicon semiconductor substrate.
ボロン原子のシリコン半導体基板への拡散を阻止して、ＰＭＯＳ半導体素子の閾値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁 - After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides.
ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。 - 特許庁 - Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.
次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁 - To provide a relatively inexpensive coating liquid for boron diffusion that prevents variations in the resistance value of a semiconductor device in which boron has been diffused, can diffuse boron with high concentration, and can further avoid the contamination of the semiconductor device by sodium.
ホウ素を拡散させた半導体デバイスの抵抗値にバラツキを発生させず、高濃度にホウ素を拡散させることができ、さらにはナトリウムによる半導体デバイスの汚染を回避することができる、比較的安価なホウ素拡散用塗布液を提供する。 - 特許庁 - To provide a dual-gate semiconductor device capable of solving a problem associated with boron diffusion, and a method of manufacturing the same.
本発明は、ホウ素拡散に伴う問題点を解決可能なデュアルゲート半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.
更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the diffusion region of boron can be formed in a predetermined region.
所定の領域にボロンの拡散領域を形成することを可能とする半導体素子とその製造方法を実現すること。 - 特許庁 - A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere.
非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板（基板１）内に熱拡散させる第１の熱拡散工程を行う。 - 特許庁 - The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain a boron nitride having a hexagonal crystal form, and a dispersion medium.
ｐ型拡散層形成組成物を、結晶形が六方晶である窒化ホウ素と、分散媒と、を含有して構成する。 - 特許庁 - In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source.
縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁 - The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain boron nitride particles which contain a boron nitride and an oxide derived therefrom where the oxygen content is 15 mass% or lower, and a dispersion medium.
ｐ型拡散層形成組成物を、窒化ホウ素及び窒化ホウ素に由来する酸化物を含み、酸素含有率が１５質量％以下である窒化ホウ素粒子と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁 - The gate dielectric 13 is constituted of an oxide film (SiO_2) and a diffusion prevention film (BN) containing at least a boron atom and a nitrogen atom.
ゲート絶縁膜１３は、酸化膜（ＳｉＯ_２）と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（ＢＮ）とから構成される。 - 特許庁 - Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film.
半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁 - Then, the second thermal diffusion process is executed for more deeply thermally diffusing boron, which is thermally diffused inside the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, inside the monocrystalline silicon wafer 1.
次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１内に熱拡散されたボロンを該シリコン単結晶基板１内により深く熱拡散させる第２の熱拡散工程を行う。 - 特許庁 - Thus, carbon of a concentration required for suppressing a diffusion of boron is added to a film, and further a concentration of carbon is equal to or higher than a concentration of boron in any depth area, so that an offset is not caused in entrapping of carbon and boron into the silicon/germanium mixed crystal film.
これにより、膜中にボロンの拡散を抑制するのに必要な濃度の炭素を添加させるとともに、任意の深さ領域で炭素の濃度をボロンの濃度と同等若しくは高くして、炭素とボロンとのシリコン−ゲルマニウム混晶膜中への取り込みにずれが生じないようにする。 - 特許庁 - In this detector suitable for a scanning electron microscope or the like, which is a PIN photodiode having a thin layer of pure boron connected to the p^+-diffusion layer, the boron layer is connected to an electrode having an aluminum grid to form a path of low electrical resistance on each position between the boron layer and the electrode.
走査型電子顕微鏡等に適した検出器は、p^＋‐拡散層に接続された純ホウ素の薄い層をもつPINフォトダイオードで、そのホウ素層は、アルミニウム・グリッドをもつ電極に接続され、そのホウ素層と電極との間の各々の位置において低い電気抵抗の経路を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.
ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Boron is diffused on one surface of a Si substrate 2 and the Si substrate 2 is etched on the other side to expose an impurity diffusion layer 12.
Ｓｉ基板２の一方表面にボロンを拡散し、他方表面からＳｉ基板２をエッチングし、不純物拡散層１２を露出させる。 - 特許庁 - The gate electrode 16 comprising a tungsten film is formed on the silicon oxide film 14 through a diffusion layer 15 in which boron is doped in silicon.
シリコン酸化膜１４上に、シリコンにボロンがドープされた拡散層１５を介して、タングステン膜からなるゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁 - Boron is diffused inward on a polished wafer (14) by supplying a diborane (B_2H_6) gas onto the polished wafer (14) to form a diffusion layer (12).
ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを供給して該ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にボロンを内方拡散させて拡散層（１２）を形成する。 - 特許庁 - To inexpensively provide brazing filler material which fits specific requirements under heat exchanger environments while eliminating diffusion of boron.
ホウ素の拡散を排除し、低コストを実現しながら、熱交換器の環境における特定の要求に適合するろう付けフィラー材料を提供する。 - 特許庁 - The protective element is preferably gallium or aluminum when phosphorous is used as a diffusion source; and is preferably tantalum, niobium, arsenic, or antimony in case when boron is used.
保護元素は、拡散源としてリンを用いた場合、ガリウム又はアルミニウムが好ましく、ホウ素を用いた場合は、タンタル、ニオブ、ヒ素又はアンチモンであることが好ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR PREVENTING DIFFUSION OF BORON IN SEMICONDUCTOR COMPONENT ELEMENT BY FORMING NITROGEN BARRIER, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT ELEMENT
窒素のバリアを形成することにより、半導体構成要素中へのホウ素の拡散を防止する方法、およびそのようにして得られた半導体構成要素 - 特許庁
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