In a method of manufacturing a semiconductor device 100, a step of forming a trench 3 is performed in a predetermined position of a semiconductor substrate 10, and an adjustment layer 8, to which an impurity of a first conductivity type is introduced at a concentration higher than that of a drift layer 2, is formed on a bottom wall 3b of the trench 3. 半導体装置100の製造方法では、半導体基板10の所定位置にトレンチ3を形成する工程を行い、この形成されたトレンチ3の底壁3bに、第1導電型の不純物がドリフト層2よりも高濃度で導入された調整層8を形成している。 - 特許庁