「buffer effect」を含む例文一覧(188)
＜前へ 1 2 3 4- Further, since the position of the reinforcing member can be fixed by the effect of the partial flange, the groove of the wood is formed previously more largely, and a stress buffer layer buffering the stress concentration can be easily manufactured simultaneously the bonding work by filling the part with an adhesive, rubber, etc.
また、部分フランジの効果により補強部材の位置が固定できるので、木材の溝をあらかじめ大きめに作成しておき、その部分に接着剤やゴムなどを充填することで、応力集中を緩和する応力緩衝層を接着作業と同時に容易に作製することが可能である。 - 特許庁 - Especially, by using the boron doped diamond microelectrode as the acting electrode, the measurement of pH can be performed without being affected by the buffering capacity of a buffer solution and, by performing the measurement of pH in a saturated potassium chloride system, measurement can be performed without considering the effect of coexisting ions.
特に、作用極にホウ素ドープダイヤモンドマイクロ電極を用いることにより、緩衝液の緩衝能の影響を受けずにｐＨの測定が可能になり、さらに、飽和の塩化カリウムの系で行うことにより、共存イオンの影響を考慮することなく測定が可能となる。 - 特許庁 - In a substrate 1 with electrooptic effect, a Mach-Zehnder type 1st optical waveguide is formed and after a buffer layer 36 is formed on the substrate 1, a signal electrode 4 and ground electrodes 5-1 and 5-2 are formed to constitute the optical modulation part 10.
電気光学効果を有する基板１内にマッハツエンダー型の第１の光導波路２を形成し、さらに基板１上にバッファ層３６を形成した後、信号電極４並びに接地電極５−１及び５−２を形成することによって、光変調部１０を構成する。 - 特許庁 - The optical modulation part 2 is constituted by forming a Mach- Zehnder type 1st optical waveguide 5 in a substrate 4 having electrooptic effect and forming a 1st signal electrode 6 and a 1st ground electrode 7 after forming a buffer layer 22 on the substrate 4.
電気光学効果を有する基板４内にマッハツエンダー型の第１の光導波路５を形成し、さらに基板４上にバッファ層２２を形成した後、第１の信号電極６及び第１の接地電極７を形成することによって、光変調部２を構成する。 - 特許庁 - To obtain a compound semiconductor thin film having excellent carrier transportation characteristics and a field effect transistor having excellent high frequency operation characteristics by enhancing the planarity of an InAlAs buffer layer formed on a GaAs substrate while utilizing the characteristics of InGaAs having high electron mobility.
高い電子移動度を有するＩｎＧａＡｓの特質を活かしつつ、ＧａＡｓ基板上に形成されるＩｎＡｌＡｓバッファ層の表面の平坦度を高めて、キャリア輸送特性にすぐれた化合物半導体薄膜及び高周波動作特性にすぐれた電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁 - To miniaturize a hard-disc cartridge where the effect of cushion materials which absorb and buffer an external shocking force applied to it are exhibited preferably without making its case main body larger, and consequently, its reliability is improved while suppressing the damage of a disc-drive device.
ハードディスクカートリッジにおいて、ケース本体を大型化することなく、クッション材の外部衝撃力の吸収緩和作用が良好に発揮され、したがって、ディスクドライブ装置の破損を抑えてハードディスクカートリッジの信頼性の向上を図りながら、その小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁 - In the impedance measuring circuit 7, the clamp current to flow through a diode D1 by receiving the effect due to AC noise such as high-frequency noise or the like is prevented from flowing through the sensor current detecting resistor Rm, by an operational amplifier OP7 for a buffer, when the sensor current is detected.
インピーダンス測定回路７においては、センサ電流を検出する際に、バッファ用オペアンプＯＰ７により、高周波ノイズ等の交流ノイズによる影響を受けてダイオードＤ１に流れるクランプ電流がセンサ電流検出用抵抗Ｒｍへ流れ込むことを防止する。 - 特許庁 - Herein, suction is carried out from nozzles 45 of the delivering head 14 to contract the capacity of the buffer section 61 by a maintenance unit 25, and by virtue of an effect of delivering of air in the pressure chamber 240 via a communication port 51, occurring when the contracted capacity is recovered, the ink filling ability of the pressure chamber 240 is enhanced.
メンテナンスユニット２５により、吐出ヘッド１４のノズル４５から吸引を行ってバッファ部６１の容量を縮小させ、縮小した容量が回復するときに連通口５１から圧力室２４０の空気が排出する効果により、圧力室２４０のインク充填性を高める。 - 特許庁 - It is practicable to intensify the ability to squeeze the passing fluid through utilization of the flange 54 without thickening the whole wall construction 50, generate the same effect that a junction chamber 57 or pressure buffer space is provided on the way of fluid passing, and enhance the pressure controllability and uniformity.
可動壁体５０の全体を厚くしなくても鍔部５４を利用して通過流体を絞る能力を強化できるとともに、流体の通過途中に中継室５７や圧力バッファ空間を付加したのと同様の効果が得られて、圧力制御性および均一性も向上する。 - 特許庁 - A control signal generating means 20 controls each of control signals D1, D2, D3, and D4 so that the output of a buffer means 5 OUT is a sine wave, and this provides a accurate sine wave without the effect of temperature and therefore without the delay of phase.
バッファ手段５の出力ＯＵＴが、正弦波となるように，制御信号生成手段２０が各制御信号Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３およびＤ４を制御することにより、温度変化の影響を受けることなく位相遅れのない精度の高い正弦波出力が得ることができる。 - 特許庁 - Examination is performed for providing a deodorization filter for efficiently absorbing the basic gas and keeping the deodorization effect, and as the result, it is found that, by treating a filter in a honeycomb shape comprising active carbon mixed paper with a phosphoric acid buffer solution, the deodorization filter which remarkably keeps the deodorization effect of the basic gas is provided easily at a low cost.
本発明は、塩基性ガスを効率よく吸着し、消臭効果の持続する消臭フィルターを提供すべく鋭意検討を行なった結果、活性炭混抄紙で構成したハニカム形状のフィルターを、リン酸緩衝溶液で処理することによって、塩基性ガスの消臭効果が飛躍的に持続する消臭フィルターを、安価に簡単に提供できることを見出し、本発明に至ったものである。 - 特許庁 - To provide a wireless base station device and wireless communication method which can effectively obtain a diversity effect and an encoding gain, can reduce a buffer memory amount for a primary storage required, and simplifies a support for QoS, when a wireless communication is performed from a plurality of wireless terminal devices to a wireless base station device in an SDMA system.
複数の無線端末装置から無線基地局装置にＳＤＭＡ方式で無線通信を行う場合、ダイバーシチ効果及び符号化利得を有効に得ることができ、必要となる一次保管用のバッファメモリ量を低減し、ＱｏＳへの対応を容易にした無線基地局装置及び無線通信方法を提供する。 - 特許庁 - The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.
面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁 - A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.
ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁 - In the field-effect transistor memory element having the ferroelectric material, a ferroelectric layer is composed of a first ferroelectric layer stacked between a buffer layer and an electrode layer, and a second ferroelectric layer stacked to cover a gate stack.
強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子において、強誘電体層が、バッファ層と電極層の間に積層される第一の強誘電体層と、ゲートスタックを被包するように積層される第二の強誘電体層からなることを特徴とする強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子を提供する。 - 特許庁 - A CPU 101 adjusts the phases of modulation signals read from an effect waveform memory 11 with respect to the rising timing of music waveform data inputted from an input section 104 and modulates the data employing the phase adjusted modulation signals and stores the modulated data in an output buffer 105.
ＣＰＵ１０１は、入力部１０４から入力された楽音波形データの立ち上がりタイミングに対して、エフェクト波形メモリ１１から読み出した変調信号の位相を合わせるように調整して、楽音波形データを位相調整した変調信号で変調して出力バッファ１０５にストアする。 - 特許庁 - When the writing section B is informed to this effect, a connection shape/end shape writing means E does not perform writing of the end shape with final one of a series of line information delivered from the buffer C for storing line information but performs writing of the connection shape with line information being delivered next.
そして、前記描画処理部Ｂがその通知を受けたとき、接続形状／終端形状描画手段Ｅは、ライン情報格納用バッファＣから渡される一連のライン情報の最後のライン情報で終端形状の描画処理を行わず、次に渡されるライン情報とによって接続形状の描画処理を行う。 - 特許庁 - The wireless communication apparatus includes: a battery state monitoring section 111 for monitoring a battery state of the battery; and a communication traffic control section 108 for determining a data time interval capable of obtaining a charge recovery effect on the basis of the battery state and controlling extraction of data from the transmission buffer at the data time interval.
無線通信装置は、バッテリのバッテリ状態を監視するバッテリ状態監視部１１１と、バッテリ状態に基づいて、チャージリカバリ効果が得られるデータ時間間隔を決定し、そのデータ時間間隔で送信バッファからデータを取り出すように制御する通信トラヒック制御部１０８とを有する。 - 特許庁 - On receiving designation to the effect that a channel for transmitting a certain sound element data is determined from a presentation control means 91, the channel management means 92 determines a reproduction channel for transmitting sound element data on the basis of channel information about each channel stored in the channel information buffer memory 94b.
チャンネル管理手段９２は、あるサウンド要素データを送出するためのチャンネルを決定する旨の指示を演出制御手段９１から受けたときに、チャンネル情報バッファメモリ９４ｂに記憶されている各チャンネルについてのチャンネル情報に基づいて当該サウンド要素データを送出するための再生チャンネルを決定する。 - 特許庁 - A vehicle body 4 is rotated around a shaft 15 of a base 1 together with a turntable 2 common use for traveling or the vehicle body 4 is made to travel along the top of guide rails 3 of the turntable 2 common use for traveling and is bought into collision against an impact buffer device 5, by which the crew is made to experience the wearing effect of the seat belt.
基台１のシャフト１５を軸に、車体本体４を走行兼回転台２と共に回転させたり、車体本体４を走行兼回転台２のガイドレール３上に沿って走行させ、衝撃緩衝装置５に衝突させたりすることによって、乗員にシートベルトの着用効果を体験させる。 - 特許庁 - To prevent a window from being canceled by the effect of the offset of the operational amplifier circuit of a liquid crystal driving power supply device, which employs a window comparator made up from operational amplifier circuits, and through-put currents to flow in P and N channel MOS transistors constituting of an output buffer.
オペアンプ回路１、２から成るウインドウコンパレータを用いた液晶駆動電源装置に於いて、オペアンプ回路が持つオフセットの影響でウインドウがキャンセルされ、出力バッファ５を構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１００とＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ２００に貫通電流が流れることを防止する。 - 特許庁 - The meeting was followed by a press release as reported in the news. The new minimum standard is 8 percent of total equity capital. Tier 1 capital such as common shares and the ratio of Tier 1 capital on the whole shall be increased. Separately to the minimum standard, a buffer to equity capital that can be used in the event of economic downturn may be accumulated. Furthermore, an agreement was reached on the timing of transition, transitional measures and other matters such as the new rules being phased in from 2013 and the capital requirements on the whole including the capital conservation buffer taking full effect in 2019.
会合終了後、報道されていますようにプレスリリースがございまして、最低基準については総資本の水準を8％とする。普通株等のTier1やTier1全体の比率を高めるということ、それから最低基準とは別に景気悪化時に取り崩し可能な資本のバッファーの積み増しを認めること。それから、新規則の実施時期、2013年から資本保全バッファーも含めた規制水準の全体実施を2019年とするなど、様々な移行時期、経過措置などで合意したところでございます。 - 金融庁 - In this optical waveguide element constituted by forming a branch interference type optical waveguide and a modulating electrode positioned near the branch interference type optical waveguide on a crystal substrate having electro-optic effect, a buffer layer formed between the crystal substrate and the modulating electrode is an optical waveguide element comprising a highly dielectric material layer.
電気光学効果を有する結晶基板上に、分岐干渉型光導波路およびこの分岐干渉型光導波路の近傍に位置する変調電極を形成して構成される光導波路素子において、前記結晶基板と変調電極との間に形成されるバッファ層は高誘電体層からなる光導波路素子とする。 - 特許庁 - By having a dummy cell array 201 arranged in a memory cell array 101, and an intermediate buffer 300 arranged between the dummy cell array and the input-output circuits 400, control signal of the input-output circuit 400 can be operated at a high speed and at a high frequency in the memory of a large bit width, while the effect of increasing area to the absolute minimum is suppressed.
ダミーセルアレイ２０１をメモリセルアレイ１０１内に配置し、中間バッファ３００を入出力回路４００の間に配置することにより、ビット幅の大きなメモリにおいても面積増大効果を最小限に抑えつつ、入出力回路４００の制御信号を高速かつ高周波で動作させることを可能にする。 - 特許庁 - Even if the respective canes 1 in the rear surface 10b absorb humidity (moisture) and are extended under a high humidity environment, the grooves 5 formed crossing with their length direction play a part as a buffer zone absorbing the extension amount of the canes 1, so that this floor mat 10 scarcely shows the effect of the extension to prevent "warp" of the whole floor mate 10.
このようにすると、その敷物１０は、湿度の高い環境下で裏面１０ｂの各ビラ１が湿気（水分）を吸収して伸びても、その長さ方向に交差して形成された前記溝５が、ビラ１の伸びた分を吸収する緩衝地帯の役割を果たすので、伸びの影響が殆ど現れず、敷物１０全体として「反り」を生ずることがない。 - 特許庁 - This device comprises an error determination means 8 determining, in the event of an error in recording of data in the buffer memory 7 and the storage medium 14, this error, and an announcement means 15 recording, based on the determination of the error by the error determination means 8, this effect in the storage medium 14 to announce the occurrence of error at the time of reproduction.
バッファメモリ７及び記録媒体１４においてデータを記録することにエラーが生じる際にそのエラーを判定するエラー判定手段８と、エラー判定手段８がエラーの生じた旨を判定したことに基づいて、その旨を記録媒体１４に記録して再生時にエラーがあったことを報知するための報知手段１５を備えて構成した。 - 特許庁 - To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer, when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer; and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.
半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁 - To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer, and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.
半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁 - The element for optical modulation has a metal thin film or metal microstructure exciting a surface plasmon, a dielectric thin film which selects an optical frequency coupled to the surface plasmon, and a micropulse light source having a frequency spread in a region where near field light leaks, and is characterized in using buffer effect of the surface plasmon on the interface between metal and a dielectric.
本光変調素子は、表面プラズモンを励起する金属薄膜または金属微細構造体と、表面プラズモンと結合する光周波数を選択する誘電体薄膜と、周波数広がりをもった微小パルス光源を近接場光のしみ出す領域に有し、金属と誘電体の界面における表面プラズモンの緩衝効果を利用することを特徴としている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor epitaxial wafer for realizing improved characteristics by preventing a highly conductive part (conductive layer) from being formed in a buffer layer due to the mixture of conductive impurities in the epitaxial layer, when manufacturing an electronic device, such as a field effect transistor and a hetero junction bipolar transistor including a high electron mobility transistor, on the semiconductor epitaxial wafer.
半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁 - More specifically, the buffer layer having the stress relaxation effect is suitably formed by making a second AlN layer using gas mixed with TMA and TMG at 600°C or less to the extent that the mixing ratio of TMA and TMG is 3/17 or more and 6/17 or less if the surface layer of the template substrate comprises the first AlN layer.
特に、テンプレート基板の表面層が第１のＡｌＮ層からなる場合であれば、６００℃以下の形成温度でＴＭＡとＴＭＧの混合ガスを、ＴＭＡに対するＴＭＧの混合比を３／１７以上６／１７以下の範囲で供給して第２のＡｌＮ層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor epitaxial wafer used suitably in case of preventing a part (conductive layer) from being formed in high conductivity into a buffer layer by mixing a conductive dopant into an epitaxial layer, and, as a result, realizing to produce, a field effect transistor with high property (FET, HEMT, etc.).
半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁 - To provide a sprocket 1 formed by integrating a sprocket main body 3 keeping teeth 2 engaging with a chain 10 in the outer periphery thereof and a rubber-made buffer ring 4 for mitigating shock at the engagement of the chain 10, wherein a stable noise reduction effect can be acquired by preventing the chain 10 from coming into contact with a side of the teeth 2 in the sprocket main body 3.
チェーン１０と係合する歯２を外周に有するスプロケット本体３と、このスプロケット本体３に接着され、チェーン１０の係合時の衝撃を緩和するゴム製の緩衝リング４と、を一体に有してなるスプロケット１において、チェーン１０がスプロケット本体３の歯２の側部に当たることがなく、安定した騒音低減効果が得られるスプロケットを提供する。 - 特許庁 - To provide a lubricant composition which can be suitably used for reducing gear noises by buffer particles, sufficiently maintaining effect for reducing noise in a car room and further reducing the steering torque of an electric power steering device than that in the present condition, a decelerator giving small noise and sufficiently reducing the steering torque of the electric power steering device by using the lubricant composition, and the electric power steering device by using the decelerator.
緩衝材粒子による、歯打ち音を減少させて、車室内での騒音を低減する効果を良好に維持しながら、なおかつ、現状よりもさらに、電動パワーステアリング装置の操舵トルクを低減することができる潤滑剤組成物と、前記潤滑剤組成物を用いることによって、騒音が小さい上、電動パワーステアリング装置の操舵トルクを十分に低減することができる減速機と、前記減速機を用いた電動パワーステアリング装置とを提供する。 - 特許庁 - The organic field effect transistor comprises a gate electrode 8 provided on an organic semiconductor film 2 of organic semiconductor material through a gate insulation film 3, a source electrode 6 and a drain electrode 7 provided to abut on the organic semiconductor film through the gate electrode 8 wherein at least one of the source electrode 6 and the drain electrode 7 abuts on the organic semiconductor film 2 through buffer layers 4 and 5 of inorganic substance.
本発明の有機電界効果トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体膜２にゲート絶縁膜３を介して設けられたゲート電極８と、前記ゲート電極８をはさんで前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極６およびドレイン電極７とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極６および前記ドレイン電極７の少なくとも１方が、無機物からなるバッファ層４、５を介して前記有機半導体膜２と当接していることを特徴とする。 - 特許庁 - The organic field effect transistor comprises a gate electrode 8 provided on an organic semiconductor film 2 of organic semiconductor material through a gate insulation film 3, a source electrode 6 and a drain electrode 7 provided to abut on the organic semiconductor film through the gate electrode 8 wherein at least one of the source electrode 6 and the drain electrode 7 abuts on the organic semiconductor film 2 through buffer layers 4 and 5 of inorganic substance.
本発明の有機電界効果トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体膜２にゲート絶縁膜３を介して設けられたゲート電極８と、前記ゲート電極８をはさんで前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極６およびドレイン電極７とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極６および前記ドレイン電極７の少なくとも１方が、無機物からなる電荷注入層４、５を介して前記有機半導体膜２と当接していることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an EUV light exposure mask having no effect on the substantial reflection performance of a multilayer film 2 portion even if it is not stripped and in which the structure and material of a buffer film 4 are specified to have the essential function, i.e., the protective function of the multilayer film 2, and to provide a blank for producing the mask and a patterning method employing that mask.
基板１上に、露光光を反射する領域となる多層膜２を有し、前記多層膜２上に吸収用となるパターニングされた薄膜３、さらに前記多層膜２と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜４を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜２部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜２の保護機能も有するように緩衝膜４の構造、材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an EUV light exposure mask having no effect on the substantial reflection performance of a multilayer film 2 part even if it is not stripped in which the structure and material of a buffer film 4 are specified to have the essential function, i.e. the protective function of the multilayer film 2, and to provide a blank for producing the mask and a patterning method employing that mask.
基板１上に、露光光を反射する領域となる多層膜２を有し、前記多層膜２上に吸収用となるパターニングされた薄膜３、さらに前記多層膜２と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜４を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜２部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜２の保護機能も有するように緩衝膜４の構造、材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
