To provide a method for reducing the time for etching a debonding buffer layer when manufacturing a substrate of a crystalline body of Group III nitride. III族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a mounting method of a support to a new real space control bit using an existing translation lookaside buffer mechanism in a microprocessor system. マイクロプロセッサ・システムにおいて既存変換索引緩衝機構を用いる新しい実空間制御ビットに対するサポートの実装方法を提供する。 - 特許庁
To provide a test method and a test circuit of a differential buffer for simplifying a constitution, and evaluating an offset voltage and a differential voltage of a differential signal. 簡単な構成で差動信号のオフセット電圧と差動電圧の評価を行うことができる差動バッファのテスト方法およびテスト回路を提供する。 - 特許庁
The method also comprises: a step of forming a device layer 108 on the buffer layer and a step of manufacturing a semiconductor device by using the device layer. 本方法は、更に、該バッファ上に装置層108を形成し、且つ該装置層を使用して半導体装置を製造することを包含している。 - 特許庁
To provide a buffer circuit and control method therefor, with which malfunctions can be prevented by keeping, at a specified value, the potential difference between a ground potential and a power line. 接地電位と電源ラインとの電位差を規定値に保ち、誤動作を防止することができるバッファ回路及びその制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and circuit for controlling an output buffer to a bus signal line in a package circuit so as to reduce production of ground noise and to decrease the power consumption. パッケージ回路におけるバス信号線への出力バッファ制御方法及び回路に関し、グランドノイズの発生を低減し、また、低消費電力化を図る。 - 特許庁
To provide a buffermethod and system of a comparator base, capable of enhancing a drive capacity of a high-gain amplifier with a load of a switch capacitor. スイッチトキャパシタの負荷を有する高利得増幅器の駆動容量を高めるコンパレータベースのバッファ方法及びシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a new and improved reproduction apparatus, reproduction method, and program capable of stable streaming reproduction even when the capacity of a buffer is small. バッファの容量が小さくても安定したストリーミング再生が可能な、新規かつ改良された再生装置、再生方法、及びプログラムを提供することにある。 - 特許庁
To provide an image generation system and an information storage medium capable of solving the errors of implicit surface elimination in a Z buffermethod with small processing burdens. Zバッファ法における陰面消去の誤りの問題を少ない処理負担で解決できる画像生成システム及び情報記憶媒体を提供すること。 - 特許庁
To provide a large capacity switching device and a switching method where wavelength multiplexing can effectively be used for optical fiber delay lines used for an optical buffer. 光バッファに用いる光ファイバ遅延線において波長多重を有効利用することにより大容量のスイッチ装置及びスイッチング方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a receiver device and method for FEC decoding for remarkably reducing a waiting time of FEC decoding and a packet buffer size. FEC復号化の待ち時間およびパケット・バッファのサイズが著しく低減する、FEC復号化のための受信機および方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a game system and an information storage medium capable of solving problems of a negative image deleting error in a Z-buffer method by means of a simple technique. Zバッファ法における陰面消去の誤りの問題を簡素な手法で解決できるゲームシステム及び情報記憶媒体を提供すること。 - 特許庁
This method, proceeding to step S108 after focusing in step S106, sets up the latest input focusing evaluation value Eva in the buffer Evo. S106の合焦動作の終了後にS108に進み、入力された最新の合焦判定用評価値EvaをバッファEvoに設定する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus of handling a timer for triggering a buffer status report (BSR) so as to avoid the waste of network resources. 本発明はネットワークリソースの浪費を減少するために、BSR(バッファ状態報告)をトリガーするタイマーを処理する方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a recording device and a recording control method capable of recording corresponding to various recording instructions, while using a print buffer having a small capacity. 小さな容量のプリントバッファを用いながらも多様な記録指示に対応した記録が可能な記録装置及び記録制御方法を提供することである。 - 特許庁
The manufacturing method can improve surface flatness of the buffer layers exposed in such a manner and prevent light-emitting ability from being deteriorated. 本発明は、このようにして露出したバッファ層の表面平坦度を向上させELディスプレイの発光能力が劣化しないようにすることができる。 - 特許庁
The header extracting and retrieving method judging part 611 creates a retrieval key from internal header information extracted from the packet buffer 100 in response to the extraction instruction. ヘッダ抽出・検索法判定部611は抽出指示に応答してパケットバッファ100から抽出した内部ヘッダ情報から検索キーを生成する。 - 特許庁
To provide a controller and a method for controlling an interface with a data link that can reduce the size and the cost, without needing a separate data buffer circuit for each data slot. データ・スロット毎に別個のデータ・バッファ回路を必要とせず、サイズとコストを削減した、データ・リンクとのインターフェースを制御するコントローラと方法を提供する。 - 特許庁
In this method for producing the polygalacturonic acid, pectinase is dissolved or dispersed in water or a buffer solution and the dispersion or the solution is added to the starting pectin to enzymatically hydrolyze the starting pectin. ペクチン分解酵素(ペクチナーゼ)を、水または緩衝液に分散または溶解し、原料となるペクチンを加えて酵素分解反応を行う。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a polymetal gate electrode that is provided with a barrier film formed from a TiN film and a buffer layer, and to provide its manufacturing method. TiN膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
This invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescent element 1 equipped with a first electrode 11, a buffer layer 30, a light emitting layer 40, and a second electrode 50. 第1電極11と、バッファ層30と、発光層40と、第2電極50とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子1を製造する方法に関する。 - 特許庁
To provide a current prediction method which predicts the current that flows in a circuit readily and in a short period of time when each buffer is actuated by changing the switch timing. スイッチタイミングをずらして各バッファを動作させた際に回路に流れる電流を、簡易的かつ短時間で予測する電流予測方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for buffer layer of photoelectric conversion element, capable of effectively removing adhering colloid-like solid on a deposition film surface by chemical bath deposition process. 光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for an integrated circuit by metal silicate or silicate-germanate dielectrics which are opposed to SiGe and Si planes with no buffer layer. 本発明は、バッファ層のないSiGe及びSi面に対する金属シリケートまたはシリケート−ゲルマネート(silicate-germanate)誘電体による集積回路の製造を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing method of water holding laminated object, a tensile force buffer part is used when threads are supplied to a water holding laminated object manufacturing process. 糸条を保水性積層物製造工程に供給するに際し、張力緩衝部を使用することを特徴とする保水性積層物の製造方法。 - 特許庁
Thereafter, when the network is restored, downloading is performed using the first carrying method so that caches are stored in the buffer, while reproduction is being carried out. その後、ネットワークが復旧したときには、第1の搬送方法を用いてダウンロードを行うことによって、再生を行いながらバッファにキャッシュを蓄積する。 - 特許庁
To provide a display device suppressing a temperature abnormality that chiefly occurs in an output buffer to a target value or lower, and also to provide a method for driving a display device. 主として出力バッファにて発生する温度異常を目標値以下に抑え得る表示装置、及び表示装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide an ion-trap type reference frequency generator that is resistive to pressure of buffer gas, and also to provide a method of stabilizing output frequency. バッファガスの圧力に影響され難いイオントラップ型周波数標準器及び出力周波数安定化方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a punched through type IGBT (conductivity modulated MOSFET) having a buffer layer which enables cost reduction and high performance simultaneously. 低コスト化と高性能を両立可能なバッファ層を有するパンチスルー型IGBT(伝導度変調型MOSFET)の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a clock layout system and method capable of designing layout while evaluating the level of congestion due to buffer insertion, so that flip-flops are evenly placed. バッファ挿入による混雑度を評価したレイアウトが設計でき、F/Fが均等に配置されるクロックレイアウトシステム及びクロックレイアウト方法を提供する。 - 特許庁
SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK, POWER MODULE WITH HEAT SINK, SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH BUFFER LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、緩衝層付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 - 特許庁
To provide a recording apparatus and its control method, computer readable memory whereby a memory capacity of a print buffer can be reduced and null data can be generated easily. プリントバッファの記憶容量を削減でき、ヌルデータを容易に生成できる記録装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁
To effectively uses restricted communication band by allowing new request to give priority by a simple method using a ring buffer in a communication navigation. 通信型のナビゲーションにおいて、リングバッファを用いる簡素な手法で新しい要求ほど優先することにより、限られた通信帯域を有効活用する。 - 特許庁
Concerning this buffer limiting method, when the number of signals to be communicated among plural stations is increased, a limit quantity thereof is changed corresponding to the kind of signal. このバッファ制限方法としては、複数の局間を通信する信号の数が多い時、信号の種類によってその制限量を変化させる。 - 特許庁
After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region). Si単結晶基板を270〜320℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりIn緩衝層を形成する(A領域)。 - 特許庁
To provide a signal processor and a method that can effectively make good use of signal processing capability while suppressing an increase in storage capacity of a data buffer. データバッファの記憶容量の増加を抑えながら、信号処理能力を有効に活用することが可能な信号処理装置および方法を提供する。 - 特許庁
This method includes generating messages, encoding the messages in a buffer as blobs of data, and communicating the blobs of data to the rendering device. この方法は、メッセージを生成すること、メッセージをバッファ内でデータのブロブとしてエンコードすること、および、データのブロブを描画装置に通信することを含む。 - 特許庁
This method can provide hydroxyapatite which is firmly connected to the polymer without adding a buffer solution to adjust pH in the solution including hydroxyapatite. この方法は、ヒドロキシアパタイトを含む溶液にpH調整のバッファー液を添加する必要がなく、高分子に強固に結合したヒドロキシアパタイトを得ることができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a biodegradable foam which can maintain buffer properties including strength on a high level under a wide range of environmental changes when used. 使用環境の広範囲な変化にも強度等の緩衝特性を高レベルで維持することができる、生分解性の発泡体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a designing method for semiconductor device provided with a buffer chain which does not change duty ratios of signals even if the processes are fluctuated in the manufacturing process. 製造工程においてプロセスばらつきが発生しても、信号のデューティ比が変化しないバッファチェーンを備える半導体装置の設計方法を提供する。 - 特許庁
To provide a frame synchronizing circuit and a method that output input data of a plurality of systems by frame synchronization with minimum storage capacity of a buffer memory. バッファメモリの記憶容量を最小限で複数の系の入力データをフレーム同期させて出力するフレーム同期回路及び方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus that store sequential data units of a data packet received at an input port in contiguous banks of a buffer in a shared memory. 入力ポートで受け取られたデータ・パケットのシーケンシャル・データ単位を共用メモリのバッファの連続するバンクに保管する方法および装置を開示する。 - 特許庁
Through a HVPE method, a nitride layer 140 comprising GaN etc. is grown on the nitride buffer layer 130 at a low substrate temperature (700-900°C) (b). HVPE法により、窒化物バッファー層130上に、低い基板温度(700〜900℃)でGaN等の窒化物層140を成長させる(b)。 - 特許庁
To provide a packet transfer arrangement and its method capable of surely transferring a unicast packet with no buffer occupied by a multicast packet. マルチキャストパケットにバッファが埋め尽くされることなく、ユニキャストパケットの転送処理を確実に行うことができるパケット転送装置及びその方法を提供すること。 - 特許庁
Then a GaN buffer layer (not shown in the figure) is formed on the SiC layer 1 to have a thickness of about 20 nm at a temperature of 500°C by the metal organic CVD method. 次に、有機金属気相成長法により、このSiC層1上に、温度500℃でGaNバッファ層(図示せず)を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
To provide an operating method of a fuel cell capable of adjusting appropriately the liquid quantity stored in a buffer part and achieving a stable operation. バッファ部で貯蔵している液量を適切に調整することができ、安定した運転を実現可能な燃料電池の運転方法を提供する。 - 特許庁
In the second place, the buffer layer 3 is partially removed by an unreactive dry etching method, and the opening part 8 where the primary face 1A of the substrate 1 is exposed is formed. 次いで、バッファ層3を非反応性ドライエッチングによって部分的に除去し、基板1の主面1Aが露出した開口部8を形成する。 - 特許庁
To provide a graphic data processor by a Z-buffer method with a high through-put through the use of a plurality of Z-buffers or frame buffers without a large capacity. あまり容量の大きくない複数のZバッファやフレームバッファを用いて、処理能力の高いZバッファ法での図形データ処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a buffer circuit that maintains a potential difference between a ground voltage and a power supply voltage at a specified value so as to prevent the occurrence of malfunction, and to provide its control method. 接地電圧と電源電圧の電位差を規定値に保ち、誤動作を防止することができるバッファ回路及びその制御方法を提供する。 - 特許庁
Thereafter, by an MOCVD method, on the buffer layers 5, an N-type clad layer 6, an MQW active layer 7 and a P-type clad layer 8 are formed, in this order. その後、MOCVD法により、バッファ層5上に、N型クラッド層6、MQW活性層7およびP型クラッド層8がこの順に形成される。 - 特許庁