The correction advanced bumpmap data MBMh is converted into correction normal bumpmap data MBMn described in a normal vector by partial differential arithmetic processing (S200), and the correction normal bumpmap data is stored (S220). 修正高度バンプマップデータMBMhを偏微分演算処理により法線ベクトルで記述される修正法線バンプマップデータMBMnへ変換し(S200)、修正法線バンプマップデータを保存する(S220)。 - 特許庁
By dealing the bumpmap and the polygon mesh as the shape data, the three-dimensional image is generated. そして、このバンプマップとポリゴンメッシュとを形状データとして扱い、三次元画像を生成する。 - 特許庁
Initial normal bumpmap data BMn described by a normal vector is acquired (S120) and once converted into initial advanced bumpmap data BMh decribed in the format of advanced data by integration arithmetic processing (S140). 法線ベクトルで記述される初期法線バンプマップデータBMnを取得し(S120)、積分演算処理により一旦高度データの形式で記述される初期高度バンプマップデータBMhへと変換する(S140)。 - 特許庁
Deformation advanced data MD in which deformation contents are described in the format of advanced data is generated (S160), the deformation advanced data MD is combined with the initial advanced bumpmap data BMh to generate correction advanced bumpmap data MBMh (S180). 変形の内容を高度データの形式で記述する変形高度データMDを生成し(S160)、この変形高度データMDを、初期高度バンプマップデータBMhへと合成し、修正高度バンプマップデータMBMhを生成する(S180)。 - 特許庁
Data showing surface shape of a real object are obtained, and a bumpmap of the object is generated on the basis of the surface shape data. 実在の対象物の表面形状を表すデータを得て、この表面形状データに基づいて、対象物のバンプマップを生成する。 - 特許庁
In the semiconductor device formed by a MAP system, patterns 6 and 7 for defective identification are formed on the soldered-bump forming surfaces of a printed wiring board. MAP方式によって形成される半導体装置において、プリント配線基板のはんだバンプ形成面には、不良識別用パターン6,7が形成されている。 - 特許庁
A kind of the wafer W is automatically recognized based on X-ray fluoroscopic information of the semiconductor wafer W conveyed on a sample table 3, a map of a position to be inspected such as the each semiconductor bump is automatically prepared based on the same fluoroscopic information, and the sample table 3 is automatically moved based on the map to conduct fluoroscopic inspection. 試料テーブル3上に搬送された半導体ウエハWのX線透過情報から、そのウエハWの種類を自動的に認識し、同じくそのX線透過情報から各半導体バンプなどの検査すべき位置のマップを自動的に作成し、そのマップに基づいて試料テーブル3を自動的に移動させて透視検査を行う。 - 特許庁