「c layer」を含む例文一覧(5405)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 108 109 次へ＞
  • The B layer has 30 to 100 mm in thickness, the C layer has 2 to 20 mm in thickness, the D layer has 5 to 50 mm in thickness, a thickness ratio of C layer/(C layer + D layer) is 0.1 to 0.7, and a thickness ratio of (A layer + B layer)/(C layer + D layer) is 1 to 3.
    Ｂ層が３０〜１００mm、Ｃ層が２〜２０mm、Ｄ層が５〜５０mmの厚みで、Ｃ層／（Ｃ層＋Ｄ層）の厚み比が０．１〜０．７、（Ａ層＋Ｂ層）／（Ｃ層＋Ｄ層）の厚み比が１〜３にする。 - 特許庁
  • (c) N2 is added to the recording layer.
    （ハ）記録層にＮ_2を添加する。 - 特許庁
  • The polyamide laminated biaxially oriented film comprises the following (a) layer, and (b) layer and/or (c) layer.
    下記（ａ）層と、（ｂ）層及び／又は（ｃ）層からなる。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING (Cu-C) SEED LAYER
    （Ｃｕ−Ｃ）シード層の形成法 - 特許庁
  • The process (c) buffs a bump projected from the insulated layer.
    (c) 絶縁層から突出したバンプをバフ研磨する。 - 特許庁
  • The collector (C) has a collector layer 18.
    コレクタ(Ｃ)は、コレクタ層１８を有する。 - 特許庁
  • (c) General knowledge of upper layer weather
    ハ　上層気象に関する一般知識 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • A physical layer LSI 50 is connected to the ports A, B, and a physical layer LSI 51 is connected to the port C respectively.
    ポートAとBは物理層LSI50と、ポートCは物理層LSI51 とそれぞれ接続される。 - 特許庁
  • The layer (A) and the layer (B) may be laminated directly or via other layer (C).
    層（Ａ）と層（Ｂ）は、直接又は他の層（Ｃ）を介して積層されてよい。 - 特許庁
  • METHOD FOR REMOVING PART OF LAYER B PLACED BETWEEN LAYER A AND LAYER C, MARKING, AND DEVICE FOR REMOVING PART OF LAYER B PLACED BETWEEN LAYER A AND LAYER C
    Ａ層とＣ層との間に挟まれたＢ層の一部除去方法、マーキング、及びＡ層とＣ層との間に挟まれたＢ層の一部除去装置 - 特許庁
  • The adhesive layer A includes a recess C.
    接着剤層Ａは、凹部Ｃを備えている。 - 特許庁
  • The diamond-like carbon film F consists of a metal layer M on the inner side and a carbon layer C on the outer side.
    ダイヤモンドライクカーボン膜Fは内側の金属層Mと外側のカーボン層Cとからなる。 - 特許庁
  • (C-1)/(C-2) (weight ratio) of the surface layer (C) is preferably 5-20/100, and the hardness of the surface layer (C) is preferably 70-90.
    （Ｃ）表面層の（Ｃ−１）／（Ｃ−２）（重量比）は、５〜２０／１００が好ましく、（Ｃ）表面層の硬度は、７０〜９０がより好ましい。 - 特許庁
  • The density of the crack of the plating layer is preferably at least 400 (c/cm).
    メッキ層の割れの密度は４００［c/cm］以上であることが好ましい。 - 特許庁
  • (1) The substrate layer (A) VST > the first intermediate layer (B) VST > the second intermediate layer (C) VST, and (2) the substrate layer (A) VST > the HS layer (D) VST > the second intermediate layer (C) VST.
    （１）基体層（Ａ）ＶＳＴ＞第一中間層（Ｂ）ＶＳＴ＞第二中間層（Ｃ）ＶＳＴ、（２）基体層（Ａ）ＶＳＴ＞ＨＳ層（Ｄ）ＶＳＴ＞第二中間層（Ｃ）ＶＳＴ。 - 特許庁
  • An intermediate layer C is provided between the polypropylene base layer A and the matte resin layer B.
    ポリプロピレン基材Ａと艶消し樹脂層Ｂとの間に、中間層Ｃが設けられている。 - 特許庁
  • A support 2 includes an amorphous carbon (a-C) layer 23.
    支持体２は非晶質炭素層２３を含む。 - 特許庁
  • The recording layer comprises an (a) layer containing SiC and O (oxygen), a (b) layer laminating an SiO_2 layer and an SiC layer to this order, a (c) layer laminating the SiC layer and the SiO_2 layer to this order.
    （ａ）ＳｉＣとＯ（酸素）とを含有する層、（ｂ）ＳｉＯ_２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層、（ｃ）ＳｉＣ層とＳｉＯ_２層とをこの順に積層した層 - 特許庁
  • An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.
    6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
  • That is, a layer thickness A of the adhesive layer 17 on the circuit 13 may be smaller than the layer thickness C, but the layer thickness C is formed to be smaller than the layer thickness B.
    すなわち、回路１３上の接着剤層１７の層厚さＡは層厚さＣより薄くてもよいが、層厚さＣは層厚さＢよりも薄くなるように形成される。 - 特許庁
  • The glaze layer 4 has the thermal expansion coefficient of 2.0×10^-6/°C to 5.0×10^-6/°C.
    釉薬層４は、熱膨張係数が２．０×１０^-6／℃〜５．０×１０^-6／℃である。 - 特許庁
  • C: the laminate thickness ratio of the porous layers and the particle layer is 2:1:2 to 15:1:15 (porous layer: particle layer: porous layer).
    Ｃ：多孔層と粒子層との積層厚み比が２：１：２〜１５：１：１５（多孔層：粒子層：多孔層）である。 - 特許庁
  • In the p-type cladding layer 34, C is doped.
    ｐ型クラッド層３４には、Ｃがドーピングされている。 - 特許庁
  • The main surface of the p-GaN layer 1 is a c-face.
    ｐ−ＧａＮ層１の主面はｃ面である。 - 特許庁
  • (c) Then, the insulating layer 12 is made thin into a thin insulating layer 12a.
    次いで、絶縁層１２を薄膜化して薄い絶縁層１２ａとする（ｃ）。 - 特許庁
  • Next, the first base metal layer 7 made of titanium or the like is deposited on the alteration layer C.
    次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。 - 特許庁
  • The A layer, the B layer and the C layer are preferably integrated into one by a water jet method.
    前記Ａ層、Ｂ層及びＣ層を、ウォータージェット法で一体化したものであることが好ましい。 - 特許庁
  • An n-type layer 21 and a p-type layer 22 are formed in sequence on a CrN layer 13 (Fig.1(c)).
    ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。 - 特許庁
  • This recognition layer includes a first recognition layer (Layer-C) in which a predetermined pattern is arranged.
    その認識層は、所定のパターンが配置された第１認識層（Ｌａｙｅｒ−Ｃ）を含む。 - 特許庁
  • To be concrete, the orientation layer is heated at 200°C or more and 1,000°C or less, preferably, at 400°C or more and 600°C or less to give a prescribed thermal history to the orientation layer.
    具体的には、配向層を２００℃以上１０００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下で加熱することにより、配向層に所定の熱履歴を与える。 - 特許庁
  • Further hydrogen is included in the carbon layer C, and a ratio (H/C) of the number of carbon atoms C and the number of hydrogen atoms H in the carbon layer C is 0.2-0.5.
    さらに、カーボン層Ｃには水素が含有され、カーボン層Ｃ中の炭素原子の数Ｃと水素原子の数Ｈとの比Ｈ／Ｃは、０．２以上０．５以下である。 - 特許庁
  • The film laminate includes a polyethylene film layer (layer A), a resin film layer (layer B) having an inorganic compound vapor deposition layer, and a resin film layer (layer C) having a metal vapor deposition layer, wherein the polyethylene film layer (layer A) is set as a surface layer.
    ポリエチレンフィルム層（Ａ層）と、無機化合物蒸着層を有する樹脂フィルム層（Ｂ層）と、金属蒸着層を有する樹脂フィルム層（Ｃ層）とを含み、かつ該ポリエチレンフィルム層（Ａ層）を表層とするフィルム積層体である。 - 特許庁
  • The fuel electrode layer is fabricated at temperatures of 1,100 to 1,400°C.
    燃料極層を１１００〜１４００℃で作製する。 - 特許庁
  • A boundary corner part C is included in the first layer 17.
    境界コーナー部Ｃは、第一層１７に含まれる。 - 特許庁
  • The C content of the SiGeC spacer layer 21 is at most the C content of the SiGeC intrinsic base layer 22.
    ＳｉＧｅＣスペーサ層２１のＣ含有率は、ＳｉＧｅＣ真性ベース層２２のＣ含有率以下である。 - 特許庁
  • The formation temperature of the amorphous layer is set to about 400°C, and the formation temperature of the layer above the p type cladding layer 309 is set to about 1,100°C.
    非結晶層の形成温度を約４００℃、ｐ型クラッド層３０９より上部の層の形成温度を１１００℃程度とする。 - 特許庁
  • The sleeper 1 includes an A layer 41 as a first layer and a C layer 43 and a B layer 42 as a second layer.
    本発明のまくら木１は、第１の層であるＡ層４１及びＣ層４３と、第２の層であるＢ層４２が設けられている。 - 特許庁
  • The metal layer 8 is interposed between the faces a-c and the insulating layer 6.
    金属層８は、上記面ａ〜ｃと絶縁層６との間に介在させる。 - 特許庁
  • An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).
    （ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁
  • The metallic layer 8 is positioned between the face a-c and the insulating layer 6.
    金属層８は、上記面ａ〜ｃと絶縁層６との間に介在させる。 - 特許庁
  • The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.
    高抵抗層は、例えば、薄ＣｒＮｉ層、ドーピングＳｉ層、ａ−Ｃ：Ｈ層又はＴｉインプランテーション部である。 - 特許庁
  • An insulation layer is formed on the germanium layer, the germanium layer and the insulation layer are heat treated at 550°C to 1000°C, and the n-type diffusion region is formed in the prescribed region of the germanium layer.
    ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を５５０℃〜１０００℃で熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁
  • The invention also relates to the laminate in which the elastomer layer (C), the fluororesin non-containing resin layer (B), the fluororesin layer (A), the fluororesin non-containing resin layer (B), and the elastomer layer (C) are bonded in this order.
    本発明は、エラストマー層（Ｃ）、フッ素非含有樹脂層（Ｂ）、フッ素樹脂層（Ａ）、フッ素非含有樹脂層（Ｂ）及びエラストマー層（Ｃ）がこの順に接着された積層体にも関する。 - 特許庁
  • The thermoplastic resin layer comprises a layer (A) having a melting peak temperature of 180-230°C and a layer (B) having a glass transition temperature of at least 60°C.
    熱可塑性樹脂層には、融解ピーク温度が１８０〜２３０℃である（Ａ）層と、ガラス転移点温度が６０℃以上である（Ｂ）層とを備える。 - 特許庁
  • A first layer (lower layer) and a second layer (upper layer) are formed respectively so as to become the relation of A<B<C<D<E<F<G<H<I<J<K and the relation of a<b<c<d< e<f<g<h<i<j<k.
    即ち、第１層（下層）はＡ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆ＜Ｇ＜Ｈ＜Ｉ＜Ｊ＜Ｋの関係となるように、第２層（上層）はａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ＜ｅ＜ｆ＜ｇ＜ｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関係となるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁
  • A Y color filter layer 43 and C color filter layer 44 are formed by a one-layered structure of a Y color layer 43Y and a one-layered structure of a C color layer 44C respectively.
    また、Ｙのカラーフィルタ層４３およびＣのカラーフィルタ層４４を、それぞれ、Ｙのカラー層４３Ｙ、Ｃのカラー層４４Ｃの単層構造によって形成する。 - 特許庁
  • The main constitution layer 22 and light emission layer 24 are finally bonded at a temperature of 525°C (d).
    主構成層２２と発光層２４とを５２５℃の温度で本接着する（（ｄ））。 - 特許庁
  • The film thickness of the layer (C) is preferably set to 5-50Å.
    前記層（Ｃ）の膜厚は５〜５０Åが望ましい。 - 特許庁
  • Then, an insulating layer 11b consisting of PVK is formed (c).
    次いでＰＶＫから成る絶縁層１１ｂを形成する（ｃ）。 - 特許庁
  • Next, an insulating layer 11b made of PVK is formed (c).
    次いでＰＶＫから成る絶縁層１１ｂを形成する（ｃ）。 - 特許庁
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 108 109 次へ＞

例文データの著作権について