「cap layer」を含む例文一覧(888)
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保護層を有するキャップライナー - 特許庁 - HIGH-PERFORMANCE METALLIZATION CAP LAYER
ハイパフォーマンスメタライゼーションキャップ層 - 特許庁 - The cap layer 32, the cap layer 34, and the surface layer 36 are composed of crosslinking rubber.
ベース層３２、キャップ層３４及び表面層３６は、架橋ゴムからなる。 - 特許庁 - The cap layer 112 also functions as an etch stopping layer.
キャップ層１１２は、エッチ停止層としても機能する。 - 特許庁 - A tread rubber is formed by a cap rubber layer and a base rubber layer.
トレッドゴムをキャップゴム層とベースゴム層とで形成する。 - 特許庁 - A cap layer to be formed is for example, is a CeO_2 layer.
形成するキャップ層は、例えばＣｅＯ_２層である。 - 特許庁 - The hardness of the base layer 32 is higher than that of the cap layer 34.
ベース層３２は、キャップ層３４よりも高硬度である。 - 特許庁 - The tread 4 has a base layer 21 and a cap layer 22.
トレッド４は、ベース層２１とキャップ層２２とを備えている。 - 特許庁 - The tread 4 comprises a base layer 46 and a cap layer 48.
トレッド４は、ベース層４６とキャップ層４８とからなる。 - 特許庁 - The surface layer 36 is lower in hardness than the cap layer 36.
表面層３６は、キャップ層３４よりも低硬度である。 - 特許庁 - The cap layer 622 covers the quantum dot 621.
キャップ層６２２は、量子ドット６２１を覆う。 - 特許庁 - The cap layer 48 does not include the short fiber.
キャップ層４８は、短繊維を含んでいない。 - 特許庁 - The cap layer 612 covers the quantum dot 611.
キャップ層６１２は、量子ドット６１１を覆う。 - 特許庁 - The distal end cap 29 includes a distal end cap body 41 and a coating layer 42.
先端キャップ２９は、先端キャップ本体４１と、被覆層４２からなる。 - 特許庁 - A collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer, and a cap layer 9 are laminated in order on a substrate 1.
基板１上に、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層およびキャップ層９を順次積層する。 - 特許庁 - The tread rubber layer 16 has a two-layer structure consisting of a base layer 23 and a cap layer 24.
トレッドゴム層１６は、ベース層２３及びキャップ層２４を有する二層構造となっている。 - 特許庁 - DAMASCENE CAP LAYER METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT WIRING
集積回路配線のためのダマシーンキャップ層法 - 特許庁 - The first dielectric cap layer 2 contains scandium.
第１誘電体キャップ層２は、スカンジウムを含む。 - 特許庁 - The intermediate layer and the cap layer are oxides and the metal cap layer is formed from Pd or Pt.
そして中間層とキャップ層は酸化物であり、金属キャップ層はＰｄもしくはＰｔで構成されているものとする。 - 特許庁 - A perpendicular magnetic recording media with a partially-oxidized cap layer combines a second oxide layer with a first cap layer to form a singular, partially-oxidized cap.
部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。 - 特許庁 - The tunnel junction (10) includes a data layer (11), a barrier layer (13) formed on the data layer, a cap layer (15) formed on the barrier layer, and a soft reference layer (17) formed on the cap layer.
トンネル接合(10)は、データ層(11)、データ層上に形成された障壁層(13)、障壁層上に形成されたキャップ層(15)、及びキャップ層上に形成された軟らかいリファレンス層(17)を含む。 - 特許庁 - A gate electrode 8 is formed on the cap layer 5.
キャップ層５上にゲート電極８を形成する。 - 特許庁 - A tread 4 of this tire comprises a base layer 32, a cap layer 32, and a surface layer 36.
タイヤのトレッド４は、ベース層３２と、キャップ層３４と、表面層３６とからなる。 - 特許庁 - A photocatalyst layer 4 is formed as a base layer or a cap layer of the semiconductor film.
半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。 - 特許庁 - Any of the under layer 30, the base layer 32 and the cap layer 34 comprises cross-linked rubber.
アンダー層３０、ベース層３２及びキャップ層３４は、いずれも架橋ゴムからなる。 - 特許庁 - The UV resin layer 16 is covered with a cap layer 22, the open storage chamber 18 is sealed by the cap layer 22, and the cap layer 22 is stuck onto the cutoff layer 14 by heating the UV resin layer 16.
ＵＶ樹脂層１６の上にキャップ層２２を被せ、キャップ層２２によって開放的な収容室１８を封じ、ＵＶ樹脂層１６を加熱することによりキャップ層２２を遮断層１４の上に固着する。 - 特許庁 - Furthermore, the contact resistance of the InGaP layer with the cap layer can be reduced.
さらに、ＩｎＧａＰ層とキャップ層とのコンタクト抵抗を低減できる。 - 特許庁 - The insulation layer 19 has an interconnection recess 20 above the cap layer 16.
絶縁層１９は、キャップ層１６上に配線溝２０を有する。 - 特許庁 - Tread rubber 2G is formed with a base rubber layer 21 and a cap rubber layer 22.
トレッドゴム２Ｇをベースゴム層２１とキャップゴム層２２とで形成する。 - 特許庁 - A cap metal nitride layer 35 is provided on a cap metal 34 comprising CoWP.
ＣｏＷＰからなるキャップメタル３４の上部に、キャップメタル窒化層３５を設ける。 - 特許庁 - A tread part 10 is formed by a cap tread layer 15 and an under tread layer 16 having hardness lower than that of the cap tread layer 15.
トレッド部１０を、キャップトレッド層１５と、キャップトレッド層１５よりも硬度が低いアンダートレッド層１６とにより形成する。 - 特許庁 - This magnetic memory cell is provided with a pinning layer 11, a pinned layer 12, a transition layer 13, a free layer 130, and a cap layer 16.
この磁気メモリセルは、ピンニング層１１、ピンド層１２、遷移層１３、フリー層１３０およびキャップ層１６を備える。 - 特許庁 - The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an SiGe cap layer 23, an Si cap layer 24 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 24 and the SiGe cap layer 23 with phosphorous.
エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、ＳｉＧｅキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２４と、Ｓｉキャップ層２４及びＳｉＧｅキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁 - This FET 1 is provided with a substrate 2, a buffer layer 3, a first doped layer 4, an undoped layer 5, a second doped layer 6, an undoped layer 7, a cap layer 8, and a surface layer 9.
ＦＥＴ１は、基板２、バッファ層３、第１ドープ層４、アンドープ層５、第２ドープ層６、アンドープ層７、キャップ層８、および表面層９を有する。 - 特許庁 - When that method is used in order to form a cap layer, the cap layer is required to be oxidized partially.
キャップ層を形成するためにその方法が使用される時、キャップ層は部分的にしか酸化されなくてもよい。 - 特許庁 - In another embodiment, the device comprises a cap layer disposed over the dielectric layer and a metal mechanism disposed over the cap layer.
他の実施形態は、誘電体層にわたって配置されたキャップ層およびキャップ層にわたって配置された金属機構を導入する。 - 特許庁 - Alternately, the cap layer 54 is formed in a three-layered structure composed of the NiFeX layer, the Ta layer, and the Ru layer.
あるいは、キャップ層５４を、ＮｉＦｅＸ層、Ｔａ層およびＲｕ層からなる３層構造とする。 - 特許庁 - The quantum dot layer 61 is comprised of a quantum dot 611 and a cap layer 612.
量子ドット層６１は、量子ドット６１１とキャップ層６１２とからなる。 - 特許庁 - An n-type clad layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer, a p-type clad layer, a ZnSSe cap layer, a ZnSe cap layer 19, a graded composition superlattice layer 20 and a low defect contact layer 21 are laminated sequentially on an n-type substrate.
ｎ型基板の上にｎ型クラッド層，第１のガイド層，活性層，第２のガイド層，ｐ型クラッド層，ＺｎＳＳｅキャップ層，ＺｎＳｅキャップ層１９，組成傾斜超格子層２０および低欠陥コンタクト層２１を順次積層する。 - 特許庁 - The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.
ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁 - In this method, a doped cap layer of Ga_xIn_1-xAs 16 is disposed under a source electrode 12 and a drain electrode 14 so as to provide a cap layer opening 38.
ソース電極12とドレイン電極14の下にGa_xIn_1-xAsのドープキャップ層16を配置し、キャップ層開口部38を提供する。 - 特許庁 - When the GaAs cap layer 13 is grown at a growth temperature of 300 to 500°C through an MBE method, the cap layer 13 substantially having no projection can be formed.
MBE法を用い、成長温度300℃〜500℃で成長させると、実質的に突起のないGaAs系キャップ層１３が形成できる。 - 特許庁 - Then, the cap layer 50 of the semiconductor mesa part 2B is removed.
次に、半導体メサ部２Ｂのキャップ層５０を除去する。 - 特許庁 - SOLAR BATTERY STRUCTURE HAVING LOCALIZED DOPING OF CAP LAYER
キャップ層の局在化ドーピングを有する太陽電池構造体 - 特許庁 - This method includes forming the phase change layer (80) on a substrate (60), forming a thick cap layer (90) on the phase change layer (80), changing the phase change layer (80) from an amorphous to crystalline state, removing the thick cap layer (90) and forming the thin cap layer (110) on the phase change layer (100).
本方法は、相変化層(80)を基板(60)上に形成し、厚いキャップ層(90)を相変化層(80)上に形成し、相変化層(80)を非晶質から結晶状態へ変化させ、該厚いキャップ層(90)を除去し、薄いキャップ層(110)を相変化層(100)上に形成することを含む。 - 特許庁 - A first cap layer 51 made from NiFeHf and a second cap layer 52 made from Ta/Ru are sequentially formed on the free layer 50.
フリー層５０の上にＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１と、Ｔａ／Ｒｕからなる第２のキャップ層５２とを順次形成する。 - 特許庁 - An insulation layer 15 covers the MTJ element MTJ and the cap layer 16, and its top face is flush with that of the cap layer 16.
絶縁層１５は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ及びキャップ層１６を覆い、その上面は、キャップ層１６の上面と同じレベルに存在する。 - 特許庁 - This device 2 is provided with a contact layer 5 composed of p-BeTe, a cap layer 4 on the contact layer 5 which layer 4 is composed of p-ZnSe, and an electrode 3 on the cap layer 4.
この装置２は、ｐ−ＢｅＴｅからなるコンタクト層５と、コンタクト層５上のｐ−ＺｎＳｅからなるキャップ層４と、キャップ層４上の電極３とを備えている。 - 特許庁 - A TMR sensor 1 is constructed by sequentially stacking a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a spacer layer 17, a free layer 18, and a cap layer 19.
ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。 - 特許庁 - This results in having no need for the cap layer to be a certain thickness so that the cap layer is kept to be in the wafer condition for preventing a crack to be caused if the cap layer becomes a thin film from the outset.
これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。 - 特許庁
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