To provide a liquid crystal display element capable of sufficiently securing an aperture ratio and increasing a capacitance value of compensation capacitance. 開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
As the input pen 13, the one of capacitance type is used. 入力ペン13としては、静電容量式のものを用いる。 - 特許庁
To provide a technology which can realize a semiconductor device that includes a metal fringe capacitance, in which the variations in the capacitance value are small. 容量値のばらつきが小さいメタルフリンジ容量を備える半導体装置を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING INFINITESIMAL CAPACITANCE AND INFINITESIMAL CAPACITY MEASURING CIRCUIT 微少容量測定方法及び微少容量測定回路 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a large laminated capacitance structure is formed without increasing the number of steps of capacitance formation. 容量形成工程数を増やすことなく、大きな積層容量構造体が形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁
Moreover, the motor electric power factor PF is deteriorated by adjusting the electrostatic capacitance of the electrostatic capacitance variable circuits 28a-28c. そして、静電容量調整回路28a〜28cの静電容量の調整によってモータ電力力率PFを悪化させる。 - 特許庁
To integrate capacitor elements with large capacitance and stable capacitance values on a semiconductor substrate using a multilayer wiring structure. 多層配線構造を使って、キャパシタンスが大きく、かつキャパシタンス値が安定なキャパシタ素子を半導体基板上に集積化する。 - 特許庁
Then the capacitance element is heat-treated in an oxygen atmosphere. その後、容量素子に酸素雰囲気中で熱処理を施す。 - 特許庁
OXIDATION-REDUCTION ULTRAHIGH-CAPACITANCE CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD 酸化還元型超高容量キャパシタ及びその製造方法 - 特許庁
VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT, MATCHING CIRCUIT ELEMENT, AND MOBILE TERMINAL APPARATUS 可変容量素子、整合回路素子、および携帯端末装置 - 特許庁
An upper electrode 28 is formed on this capacitance film 26 so as to oppose the lower electrode 25 across the capacitance film 26. この容量膜26上には、容量膜26を挟んで下部電極25と対向する上部電極28が設けられている。 - 特許庁
To provide a solid-state electrolytic capacitor whose capacitance is large. 静電容量の大きな固体電解コンデンサを提供すること。 - 特許庁
To provide a lithium ion capacitor which has a high electrostatic capacitance maintenance factor. 静電容量維持率の高いリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁
After an auxiliary capacitance semiconductor layer 37 and then a resist mask are formed, impurity ions are injected into the auxiliary capacitance semiconductor layer 37. 補助容量半導体層37を形成し、レジストを形成した後、補助容量半導体層37に不純物イオンを注入する。 - 特許庁
To provide a semiconductor apparatus capable of reducing a feedback capacitance. 帰還容量を低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
If an output cannot follow variations in an input, an operation of the capacitance multiplier 15 is stopped and the capacitance value is turned to the original state. 入力変化に出力が追随できない場合は、キャパシタンスマルチプライヤ15の動作を停止して元の容量値に戻す。 - 特許庁
CAPACITANCE TYPE ENVIRONMENTAL HARMFUL GAS SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 静電容量型環境有害ガスセンサ及びその製造方法 - 特許庁
To provide a variable capacitance element wherein parasitic resistance among variable capacitance elements formed on a silicon IC is reduced. シリコンIC上に構成されたそれぞれの可変容量素子間の寄生抵抗を小さくした可変容量素子を提供する。 - 特許庁
The storage capacitance has a transistor structure, and a TFT 14 for the storage capacitance is formed of a p-channel transistor. 蓄積容量はトランジスタ構造となっており、その蓄積容量用TFT14がpチャネルトランジスタで構成されている。 - 特許庁
To provide a test structure for a capacitance of an MOS and a method for measuring a capacitance curve as a function of voltage. MOS容量テスト構造と、それに関連した、電圧の関数として容量曲線を測定する方法を提供する。 - 特許庁
Thus, the semiconductor device of the low capacitance between the wirings 1, for which the variations of the capacitance is suppressed, is formed. それにより、配線1間の容量が低く、また、容量のばらつきが抑えられた半導体装置が形成可能になる。 - 特許庁
VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT AND INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING THE SAME 可変容量素子および可変容量素子内蔵集積回路 - 特許庁
To increase the capacitance of a variable capacitance element for use in a frequency variable oscillator while suppressing an increase in a mounting area. 実装面積の増大を抑制しつつ、周波数可変発振器に用いられる可変容量素子の大容量化を図る。 - 特許庁
To reduce capacitance with an adjacent cell, and to improve a coupling ratio. 隣接セルとの容量を低減し、カップリング比を向上させる。 - 特許庁
To reduce parasitic capacitance of a wiring section of an ESD protection circuit. ESD保護回路の配線部の寄生容量を低減する。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR MEASURING TRANSMISSION LINE CAPACITANCE OF PACKET SWITCHING NETWORK パケット交換網の伝送路容量測定方法および装置 - 特許庁
A panel for the capacitance type touch pad has a numeral pattern. 静電容量式タッチパッドのパネルには、数字パターンを有する。 - 特許庁
DETECTION CIRCUIT AND DETECTION METHOD OF CAPACITANCE TOUCH PANEL 静電容量式タッチパネルの検出回路及び検出方法 - 特許庁
To increase the capacitance of the deep trench capacitor of a memory device. メモリデバイスにおける深トレンチキャパシタのキャパシタンスを増大させる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITANCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 容量素子を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
VARIABLE CAPACITANCE CIRCUIT AND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATION CIRCUIT USING THE SAME 可変容量回路とこれを用いた電圧制御発振回路 - 特許庁
INPUT BUFFER CAPABLE OF REDUCING INPUT CAPACITANCE OF INPUT SIGNAL 入力信号の入力キャパシタンスを減らせる入力バッファ - 特許庁
To provide a capacitance touch sensor using a capacitance touch electrode; and to provide a room monitoring system using the sensor. 静電容量タッチ電極を用いた静電容量タッチセンサーおよびこのセンサーを利用した離床看視システムを提供する。 - 特許庁
To provide an aluminum cathode foil for an electrolytic capacitor capable of obtaining a higher capacitance and a smaller secular change in the capacitance. 高い静電容量が得られ、静電容量の経時変化の少ない、電解コンデンサ用アルミニウム陰極箔を提供する。 - 特許庁
To provide an RF device having a selectable capacitance. 選択可能なキャパシタンスを有するRFデバイス提供すること。 - 特許庁
COLLECTIVE MANUFACTURE OF PRESSURE CAPACITANCE TRANSDUCER MADE OF GLASS ガラス製圧力静電容量トランスデユーサの一括製造方法 - 特許庁
INSULATION RESISTANCE MEASURING INSTRUMENT OF DC CIRCUIT, ELECTROSTATIC CAPACITANCE MEASURING INSTRUMENT, INSULATION RESISTANCE MEASURING METHOD AND ELECTROSTATIC CAPACITANCE MEASURING METHOD 直流回路の絶縁抵抗測定器、静電容量測定器、絶縁抵抗測定方法および静電容量測定方法 - 特許庁
Optimum values of capacitance absolute values are determine in consideration of parasitic capacitance of pixels, wavelength dispersion of a liquid crystal, etc. また、容量絶対値については、画素の寄生容量及び液晶の波長分散等を考慮して最適値が決定される。 - 特許庁
CAPACITANCE-TYPE SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR AND ITS TEST METHOD 静電容量式半導体圧力センサ及びその試験方法 - 特許庁
To provide a capacitance change type human body detection sensor capable of constituting a capacitance sensor having sufficiently high sensitivity. 感度が十分に高い静電容量センサを構成することができる静電容量変化型人体検知センサを提供する。 - 特許庁
A METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-CAPACITANCE STORAGE NODE STRUCTURE IN SUBSTRATE, AND A SUBSTRATE HAVING THE HIGH-CAPACITANCE STORAGE NODE 基板内に高静電容量の記憶ノード構造を製造するための方法、及び高静電容量の記憶ノードを有する基板 - 特許庁
CAPACITANCE TYPE PROXIMITY SENSOR AND ITS OUTPUT CALIBRATION METHOD 静電容量式近接センサ及びその出力較正方法 - 特許庁
ELECTROSTATIC CAPACITANCE MEASURING INSTRUMENT AND SINE WAVE AMPLITUDE DETECTING DEVICE 静電容量測定装置及び正弦波振幅検出装置 - 特許庁
To provide an electric double layer capacitor of large electrostatic capacitance. 静電容量が大きい電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁
ELECTRODE SUBSTRATE, AND CAPACITANCE TYPE ACCELERATION SENSOR USING IT 電極基板及びこれを用いた静電容量型加速度センサ - 特許庁
To manufacture a semiconductor device whose capacitance of a capacitor is large, which can suppress the occurrence of defects in the interface of a lower metal electrode and a capacitance insulating film and in the film of the capacitance insulating film in the process to form the capacitance insulating film. 容量絶縁膜を形成する過程で、下部金属電極と容量絶縁膜との界面および容量絶縁膜の膜中における欠陥が生じるのを抑えることができ、キャパシタ容量の大きな半導体装置を製造することを目的とする。 - 特許庁
The capacitance measuring circuit includes an external capacitance applied pad inside a feedback loop to be less affected with the noise applied through the pad by sequentially increasing and decreasing the capacitance value, it can measure correct capacitance values. 本発明のキャパシタンス測定回路は、外部からキャパシタンスを印加したパッドがフィードバックループの内部に配置され、キャパシタンス値を順次に増減することによりパッドを介して印加されるノイズによる影響を少なく受けるので、正確なキャパシタンス値を測定することができる。 - 特許庁
To provide a variable-capacitance diode in which variation in capacitance caused against variation in a reverse voltage becomes linear, and further the amount of variation in the capacitance of the variable-capacitance diode against the variation in the reverse voltage in the entire operational range is secured. 逆方向電圧の変化に対して生ずる容量の変化が直線的になるとともに、動作範囲全体における逆方向電圧の変化に対する可変容量ダイオードの容量の変化量を確保することができる可変容量ダイオードを提供する。 - 特許庁