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３個のピエゾアクチュエータのそれぞれに隣接して変位量を検出するための静電容量センサ３７〜３９が設置され、センサの出力は対応するアンプにフィードバックされ、該アンプは、対応する変換部の出力とフィードバック入力との差に応じて対応するピエゾアクチュエータを駆動する。 - 特許庁 - To provide active carbon for the electrode of an electric double layered capacitor, which is high in volume capacitance and capable of restraining the electrode from increasing in volume when it is used as active carbon for the electrode of an electric double layered capacitor by controlling the crystal structure of carbide material and activating it under an optimal condition.
原料炭化物の結晶構造を制御し、それを最適な条件で賦活することにより、体積容量が高く、電気二重層コンデンサーの電極用活性炭として使用した場合、該電極の体積膨張を抑えることができる電気二重層コンデンサーの電極用活性炭を提供すること。 - 特許庁 - Between the buffer layer and the emitter electrode, a buffer resistor 14 is inserted, and its resistance value is set smaller than that, which increases the voltage between the gate and emitter by the negative capacitance of the gate during a period of charging between the gate and collector by the voltage applied between the gate and emitter, when turning on the device.
バッファ層とエミッタ電極との間にバッファ抵抗１４が挿入され、その抵抗値は、装置のターンオンの際に、ゲート・エミッタ間印加電圧によりゲート・コレクタ間を充電する期間において、ゲートの負性容量によりゲート・エミッタ間電圧の上昇を生じさせる抵抗値よりも小さくなるように設定される。 - 特許庁 - According to the constitution, since the interposing member is interposed between a pair of mutual conductive wires arranged in the double helix structure, a spacing can be installed between the pair of conductive wires, and generation of electrostatic induction noises caused by floating capacitance and electromagnetic noises caused by leakage flux can be prevented suitably.
上記の構成によれば、２重らせん構造に配置された一対の導線同士の間に介在部材が介在しているから、一対の導線同士の間に間隔を設けることができて、浮遊容量による静電誘導ノイズ及びリーケージフラックスによる電磁誘導ノイズの発生を好適に防止することができる。 - 特許庁 - Thereby, the baked resistor 14 and dielectric 15 can be prevented from softening/melting when baking the later-laminated substrate, and the precision of a resistance value/a capacitance value highly precisely adjusted by trimming before baking the later-laminated substrate (before laminating the later-laminated green sheet 21) can be maintained exactly after baking.
これにより、後積層基板の焼成時に、焼結済みの抵抗体１４・誘電体１５が軟化・溶融することを防止でき、後積層基板の焼成前（後積層グリーンシート２１の積層前）にトリミングにより高精度に調整した抵抗値・容量値の精度を焼成後もそのまま維持することができる。 - 特許庁 - To provide a probe device and a signal measuring device using the same which receives no restriction of continuous operation time or extends the continuous operation time, while securing safety due to high insulation properties between the probe device and a measuring section and low ground capacitance for securing an in-phase signal rejection ratio over a wide range of frequency bands.
プローブ装置−測定部間の高い絶縁性による安全性と、広い周波数帯域に渡って同相信号除去比を確保するための低い対接地容量を確保しつつ、連続動作時間の制約を受けない、または連続動作時間を延ばしたプローブ装置およびこれを用いた信号測定装置を実現する。 - 特許庁 - To reduce the influence of a strong electric field by constituting a water level sensor by utilizing a capacitance change between electrodes, to improve noise resistance, to make a washing machine inexpensive and to improve reliability by simplifying a constitution by composing the sensor itself of one element in the washing machine provided with the water level sensor for detecting the level of water in a spinning tub.
洗濯槽内の水位を検知する水位センサを備えた洗濯機において、電極間容量変化を利用して水位センサを構成して強電界の影響を少なくし、また耐ノイズ性を強くし、センサ自体の構成を１素子として構成を簡単にすることにより安価にし、信頼性を向上する。 - 特許庁 - Prior to removing a communication equipment 219 with a capacitor 221 of a large capacitance mounted thereon, an electronic circuit board having a voltage stabilizing circuit is loaded to an idle slot 217 to which a power supply voltage (Vin) terminal 12 and a ground (G) terminal 11 in a communication 206 in operation are connected and then the communication equipment 219 is removed.
大容量コンデンサ２２１が搭載された通信装置２１９を撤去する前に、電圧安定化回路を有する電子回路基板を、稼動中の通信装置２０６内の電源電圧（Ｖｉｎ）端子１２とグラウンド（Ｇ）端子１１を引き込んでいる空きスロット２１７に搭載し、その後、通信装置２１９を撤去する。 - 特許庁 - In the capacitor element, the capacitance of the capacitor per unit area of the capacitor element is increased and the area of the capacitor element is reduced by setting a polycrystalline silicon film 2 of a gate electrode of a peripheral transistor to be an intermediate electrode and setting a gate insulating film 1 and a block insulating film 10 of a memory cell transistor to be capacitor insulating films.
キャパシタ素子において、周辺トランジスタのゲート電極の多結晶シリコン膜２を中間電極とし、ゲート絶縁膜１とメモリセルトランジスタのブロック絶縁膜１０の両方をキャパシタ絶縁膜とすることにより、キャパシタ素子の単位面積当たりのキャパシタ容量を増加させキャパシタ素子の面積を低減している。 - 特許庁 - A lower electrode S1b formed of a first polysilicon layer is formed on an element isolation insulating film 2b, a dielectric film 6 is formed on the lower electrode S1b, an upper electrode S2b formed of a second polysilicon layer, whose sheet resistance is higher than that of the first polysilicon layer, is formed on the dielectric film 6 and a capacitance Y1 is formed.
素子分離用絶縁膜２ｂの上に第１のポリシリコン層からなる下部電極Ｓ１ｂが形成され、下部電極Ｓ１ｂの上に誘電膜６が形成され、誘電膜６の上に第１のポリシリコン層よりシート抵抗の高い第２のポリシリコン層からなる上部電極Ｓ２ｂが形成され、容量Ｙ１が形成される。 - 特許庁 - In a static-capacitance-type encoder with a scale member 1 and sensor head 2 opposed to the scale member 1 in such a way as to be relatively moved, sliding films 24 worked into a predetermined pattern are arranged at a plurality of locations in a flat surface avoiding the transmitting electrode part 21 and receiving electrode parts 22 of the sensor head 2.
スケール部材１と、このスケール部材１に対向して相対移動可能に配置されたセンサヘッド２とを有する静電容量式エンコーダにおいて、センサヘッド２の送信電極部２１及び受信電極部２２を避けた平坦面に、所定パターンに加工された摺動膜２４を複数箇所に配置した。 - 特許庁 - Then, a conductive film 14 is formed on the semiconductor substrate 1, on which the capacitance insulating film 12a is formed and by processing the conductive film 14, a second conductor pattern 14b arranged on an upper electrode 14a and the first conductor pattern 11b of the memory cell capacitor is formed.
そして、当該容量絶縁膜１２ａが形成された半導体基板１上に導電膜１４が形成され、導電膜１４を加工することにより、メモリセルキャパタの上部電極１４ａおよび第１の導電体パターン１１ｂ上に配置された第２の導電体パターン１４ｂが形成される。 - 特許庁 - The rectifier circuit converts AC power input from an AC power supply into DC power for output and is formed by inserting, in series, a variable capacitor the capacitance of which is changed by a voltage applied to both ends of a power line guided to the rectifier circuit from the AC power supply.
交流電源から入力された交流電力を直流電力に変換して出力する整流回路において交流電源から該整流回路に導かれる電源ラインにその両端に加わる電圧によってその静電容量が変化する可変容量コンデンサを直列に介挿した整流回路とする。 - 特許庁 - A sub-pixel electrode 43a directly (not via capacitance connection) connected to a source electrode 42 of a TFT is disposed in the sub-pixel region A1 and a sub-pixel electrode 43b capacitively connected to a control electrode 42a connected to the source electrode 42 is disposed in the sub-pixel region A2.
副画素領域Ａ１にはＴＦＴのソース電極４２ａに直接（容量結合を介すことなく）接続された副画素電極４３ａが配置され、副画素領域Ａ２にはソース電極４２ａと接続した制御電極４２ａに容量結合した副画素電極４３ｂが配置されている。 - 特許庁 - The image forming apparatus is equipped with an auxiliary power supply unit using a capacitor with large capacitance, and is set to deliver power with the auxiliary power supply unit of another image forming apparatus, and communicates information concerning the delivery of the power and receives power supply from another auxiliary power supply unit as necessary.
大容量コンデンサを用いた補助電源ユニットを備えた画像形成装置であって、他の画像形成装置の補助電源ユニットとの間で電力の受け渡し、および、電力の受け渡しに関する情報を通信し、必要に応じて、他の補助電源ユニットから電力の供給を受けるようにした。 - 特許庁 - For the liquid crystal 4, such a liquid crystal as to have positive or negative dielectric anisotropy is selected for stabilizing the orientation with an electric field applied between the electrodes 6 and 7, disturbance in the orientation of the liquid crystal 4 caused by pressing to the substrate 2 is detected as a change in electrostatic capacitance, and pressing to the substrate 2 is detected.
液晶４は、電極６、７間に印加された電場により配向を安定化するよう、正または負の誘電異方性を有する液晶が選択されたものであり、基板２への押圧によって生じる液晶４の配向の乱れを静電容量の変化として検知し、基板２への押圧を検出する。 - 特許庁 - To provide a flat capacitor, and a chip size package using it, suitable for use in high frequency range in which a capacitance required for a multilayer ceramic capacitor for use in an electronic circuit is ensured while reducing ESL by shortening the connection path between the capacitor and an LSI.
コンデンサとＬＳＩとの間の接続経路をより短くすることによってＥＳＬをさらに低減しつつ、電子回路に用いられる積層セラミックコンデンサに求められている静電容量を確保すると共に、高周波領域における使用に適した板状コンデンサおよびこのコンデンサを用いたチップサイズパッケージを提供すること。 - 特許庁 - By branching the top end of the antenna element 13, electrostatic capacitance is generated between each of branched conductors and a ground conductor around them.
誘電体セラミック材料からなる絶縁性の平板状基板１１ｂの表面に帯状導電体１３ａ〜１３ｊからなるアンテナエレメント１３を設け、アンテナエレメントの１３後端を給電用外部端子１２ａに接続し、アンテナエレメント１３の先端部を分岐した誘電体アンテナ１０を構成することにより、誘電体アンテナの小型を図った。 - 特許庁 - A pair of electrodes 20 and 21 constituted by covering electrode materials 10 and 11 with a protective film 12 are arranged on a substrate (a silicon substrate 1 and an insulating film 2) so as to be exposed to the atmosphere and a change in the capacitance between a pair of the electrodes 20 and 21 accompanied by the adhesion of water is detected.
基板（シリコン基板１、絶縁膜２）の上において、電極材１０，１１を保護膜１２により被覆して構成した一対の電極２０，２１が、当該電極２０，２１が大気に晒される状態で配置され、被水による水の付着に伴う一対の電極２０，２１間の容量の変化を検出する。 - 特許庁 - A driver IC has an electric characteristic measuring part for measuring the sum total value of capacitance between the inspection terminals 59a-59d and the common electrode 134, and a release determination part for determining the number of the inspection terminals 59a-59d is released from the inspection land 137 based on the measuring result of the electric characteristic measuring part.
ドライバＩＣが、検査端子５９ａ〜５９ｄと共通電極１３４との間の静電容量の合計値を計測する電気特性計測部と、電気特性計測部の計測結果に基づいて検査ランド１３７から剥離した検査端子５９ａ〜５９ｄの数を判断する剥離判断部とを有している。 - 特許庁 - To provide a non-contact IC card system and a reader-writer which do not need capacitor capacitance adjustment to set the resonance frequency of an antenna circuit consisting of a coil and a capacitor in the manufacture of a non-contact IC card, have receiving sensitivity enough to obtain a sufficient communication distance and adopt a technique capable of maintaining a practical operation state.
非接触ＩＣカードの製造でコイルとコンデンサからなるアンテナ回路の共振周波数設定の為のコンデンサ容量調整が必要無く、十分な交信距離が得られる受信感度を有し、実用的な動作状態を維持できる技術の非接触ＩＣカードシステムや読み書き装置を提供する。 - 特許庁 - Thus, if the source-drain distance is reduced, the source and drain electrodes 14b, 14a are distant from the gate electrode 12 by at least the thickness of the active layer 13, the gate- drain and gate-source fringe capacitances are reduced and the off-capacitance can be reduced.
これにより、ソース・ドレイン間の距離を小さくした際でも、ゲート電極１２と、ソース電極１４ｂ及びドレイン電極１４ａとの間の距離を少なくとも活性層１３の厚さ分だけ離し、ゲート・ドレイン間及びゲート・ソース間におけるフリンジング容量を低減し、オフ容量を低減することができる。 - 特許庁 - At least one element among a plurality of antenna elements 1 to 5 using the same feeding points E1 and E2 is indirectly grounded through capacitance between the body of a vehicle V and the ground by connecting the points E1 and E2 to the ground 6 of a diversity system circuit Ds and arranging them almost parallel to the car body.
給電点E_1，E_2を同じくする複数のアンテナエレメント１〜５のうち少なくとも１本のエレメントを、その給電点E_1，E_2側をダイバシティーシステム回路Dsのアース側６に接続し、かつ、自動車Ｖの車体と略平行に配置することにより、当該車体と大地間の静電容量を介して間接的に接地させた。 - 特許庁 - The capacitance type electromechanical conversion device has an element 101 including at least one cell structure 102 formed of a silicon substrate 1, a vibration film 7 and a vibration film support 17 for supporting the vibration film 7 so as to form a gap 3 between one surface of the silicon substrate 1 and the vibration film 7.
静電容量型電気機械変換装置は、シリコン基板１と、振動膜７と、シリコン基板１の一方の表面と振動膜７との間に間隙３が形成されるように振動膜７を支持する振動膜支持部１７と、で形成されるセル構造１０２を、少なくとも一つ以上含む素子１０１を有する。 - 特許庁 - A resistance element 1 to be determined from a wiring resistance 5 to a smoothing capacitance C1 of a booster circuit 2 and a desired ripple value at the feeding point of a booster voltage is arranged between a booster circuit output (A point) and a booster voltage feeding point (B point), so that ripple components included in the booster voltage can be pressure-divided and attenuated.
昇圧回路２の平滑容量Ｃ１までの配線抵抗５と昇圧電圧の供給点での所望のリップル値とから決定される抵抗素子１を昇圧回路出力（Ａ点）と昇圧電圧供給点（Ｂ点）との間に入れることで、昇圧電圧に含まれるリップル成分を分圧して減衰させる。 - 特許庁 - Subsequently, hydrogen and oxygen are introduced at a flow rate of about 10 L/m (standard state) and a flow rate ratio of 9:1 directly into a chamber having a temperature of about 850°C-1100°C and a pressure of about 8 mTorr thus forming the capacitance insulating film 15a and the gate insulating film 15b simultaneously in a steam atmosphere under reduced pressure.
その後、温度が約８５０℃〜約１１００℃で、圧力が約８ｍＴｏｒｒのチャンバ内に、流量比が９：１の水素と酸素とを約１０Ｌ／ｍ（標準状態）の流量で直接に導入し、減圧状態の水蒸気雰囲気で容量絶縁膜１５ａとゲート絶縁膜１５ｂとを同時に形成する。 - 特許庁 - The capacitance type electromechanical conversion device includes a first electrode 102 and a second electrode 105 arranged on a surface of a first substrate 106 facing the first electrode with a gap, and at least performs receiving operation of receiving the elastic waves by the vibrations of the first electrode 102 receiving the elastic waves.
静電容量型電気機械変換装置は、第１の電極１０２と、第１の電極と間隙を介して対向して第１の基板１０６の面に配置された第２の電極１０５と、を有し、弾性波を受けて第１の電極１０２が振動することにより弾性波を受信する受信動作を少なくとも行う。 - 特許庁 - Furthermore, in order to eliminate the influence of resonance frequency characteristic variation caused by a difference in electromagnetic field distribution between the noise filters adjacent to each other, the noise filters 3b, 3c to which other noise filters are adjacent at both sides, are set so as to enlarge capacitance of the capacitors 12b, 14b in comparison with the other noise filters 3a, 3d.
また、互いに隣接するノイズフィルタどうしの電磁界分布の差異に起因した共振周波数の特性ばらつきの影響を無くすために、両側に他のノイズフィルタが隣接しているノイズフィルタ３ｂ，３ｃは、他のノイズフィルタ３ａ，３ｄに比べてコンデンサ１２ｂ，１４ｂのキャパシタンスが大きくなるように設定する。 - 特許庁 - Since the transistor 102 is turned ON, a potential at the source of the transistor 102 is increased but a potential between the gate and the source is held by capacitance between the gate and the source of the transistor 102 and since the gate of the transistor 102 is floating, a potential at the gate of the transistor 102 is also increased by a capacitive coupling effect.
トランジスタ１０２がオン状態にあるため、トランジスタ１０２のソースの電位は上昇するが、トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量によって、ゲート・ソース間の電位が保持されており、かつトランジスタ１０２のゲートはフローティングとなっているため、容量結合効果によってトランジスタ１０２のゲートの電位も上昇する。 - 特許庁 - At this point, the current It flows in a closed loop R1 formed by the discharging rod 2, the opposing electrode 5, and a secondary wiring of a step-up transformer 72, and the current Ic flows in a closed loop formed by the parasitic capacitance 77, a shielding member for current reflow 81 and a secondary wiring 82B of a step-up transformer 82.
このとき、電流Ｉｔは放電針２と、対向電極５と、昇圧トランス７２の二次巻線とで形成される閉ループＲ１内を流れ、電流Ｉｃは寄生容量７７と電流還流用シールド部材８１と昇圧トランス８２の二次巻線８２Ｂとで形成される閉ループＲ２内を流れる。 - 特許庁 - The high speed output circuit, the high speed input circuit, and the method for changing swing width according to the present invention can increase and decrease the voltage swing width of the output signal and the input signal, and can reduce values of parasitic capacitance in an output node and an input node.
本発明に係る高速出力回路、高速入力回路及び入出力信号のスイング幅の変更方法は、出力信号及び入力信号の電圧スイング幅を増加または減少させることができ、出力ノード及び入力ノードでの寄生キャパシタンスの値を減らし得るという長所がある。 - 特許庁 - Thus, since a current that may transiently flow to a load can be enlarged, even if the capacitance of a load capacitor CL is great or a frequency is high, an output voltage can follow up a change in an input voltage at high speed, thereby suppressing the distortion of an output voltage waveform.
これにより、負荷に過渡的に流すことが可能な電流を大きくすることができるため、負荷キャパシタＣＬの容量が大きい場合や、周波数が高い場合でも、入力電圧の変化に出力電圧を高速に追従させることが可能になり、出力電圧波形の歪みを抑えることができる。 - 特許庁 - In the device, the inductance of the resonance coil and the capacitance of the resonance capacitor are adjusted so that a current whose frequency is approximately synchronized with the frequency of damped waves generated from a charging power supply to charge the lead storage battery flows in a circuit constituted by the series resonance circuit and the lead storage battery.
本装置は、共振用コイルのインダクタンスと共振用コンデンサのキャパシタンスとが、鉛蓄電池を充電するための充電用電源から発生する減衰波の周波数と概ね同調する周波数の電流が直列共振回路と鉛蓄電池とによって構成される回路の内部に流れるように調整されたことを特徴とする。 - 特許庁 - When video signals are written by pseudo line sequential driving, switches SW1 to SWn of a horizontal switch circuit 33 are driven by using horizontal switch pulses HCK1 to HCK 4 having a gradually varying waveform during rising (or falling) so as to suppress influences of coupling by a parasitic capacitance between adjacent signal lines.
疑似線順次駆動にて映像信号を書き込む際に、立ち上がり（または、立ち下がり）が徐々に変化する波形の水平スイッチパルスＨＣＫ１〜ＨＣＫ４を用いて水平スイッチ回路３３の各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎを駆動することで、隣接する信号線間の寄生容量によるカップリングの影響を抑えるようにする。 - 特許庁 - To provide a logic circuit having no defects like in a conventional decoder circuit such as the large capacitance of an input in the conventional decoder circuit, rounded input waveform, large area required for an element separating area, full amplitude of an output caused by a PN configuration and a muck time required for reaching the threshold of a driver.
従来のデコーダ回路における入力部のゲート容量が大きいこと，入力波形がなまること，素子分離領域が必要となり面積が大となること，ＰＮ構成のため出力がフル振幅となること，ドライバーのしきい値に達するのに時間がかかる等の従来のデコーダ回路の欠点のない論理回路の提供。 - 特許庁 - The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate.
半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。 - 特許庁 - To realize an image display device permitting to be increased in a screen size and image quality with low power consumption by eliminating an influence of parasitic capacitance produced in thin film display elements as mach as possible, and to realize a method for driving an image display device and thin film display elements, hardly influenced by noise and can display favorably with a relatively small driving signal.
薄膜表示素子に生じる寄生容量の影響を極力取り除き、低消費電力で大画面、かつ高画質とすることの可能な画像表示装置を実現し、ノイズの影響を受け難く、比較的小さな駆動信号でも良好な表示を行うことな可能な画像表示装置および薄膜表示素子の駆動方法を実現する。 - 特許庁 - The variable capacitance element includes a signal line 1 arranged on a substrate 10, movable electrodes 3a, 3b, 3c arranged to cross over the signal line 1 and with both ends fixed on the substrate 10, and fixed capacitances 4a, 4b, 4c arranged between at least one end of both ends of the movable electrodes 3a, 3b, 3c and the substrate 10.
可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。 - 特許庁 - In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.
この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁 - The impressed voltage of the test object is measured simultaneously with measurement of the charge current thereof; the measurement value of the impressed voltage is used for calculating the leak current in charging the test object, and the leak current in charging is used for calculating a capacitance value of the test object based on the fact that leak current in charging the test object is proportional to the impressed voltage.
被測定対象の充電時のリーク電流が印加電圧に比例することから、被測定対象の充電電流の測定と同時に印加電圧の測定を行って、この印加電圧の値を被測定対象の充電時のリーク電流値の算出に利用し、この充電時のリーク電流値を被測定対象の容量値の算出に利用する。 - 特許庁 - The antenna device 1 has: an antenna conductor which is stored in the housing of mobile electronic equipment and receives a transmitted radio wave; a coil which is arranged near the antenna conductor and generates an induced electromotive force with the transmitted radio wave; and a capacitance portion which is electrically connected to the coil and extracts an electric signal of a desired frequency from the induced electromotive force.
アンテナ装置１は、携帯電子機器の筐体の内部に収納され、送信電波を受信するアンテナ導体と、このアンテナ導体の近傍に配設され、送信電波により誘導起電力を誘起されるコイル部と、コイル部に電気的に接続され誘導起電力から所望の周波数の電気信号を抽出する容量部とを有している。 - 特許庁 - To provide a structure of a discharge electrode in a plasma chemical vapor deposition system, in which the uniform plasma generation condition is attained even in large surface area film deposition by preventing the ununiform plasma generation condition caused by the ununiformity of standing wave, sheath capacitance, the gas flow of NF_3 for self cleaning or the like in the plasma chemical vapor deposition using very high frequency wave(VHF).
高高周波（ＶＨＦ）を利用するプラズマ化学蒸着装置において、定在波、シースキャパシタンス、セルフクリーニング用ＮＦ_３ガス流れの不均一などで生じるプラズマ発生状況の不均一を防止し、大面積でプラズマ発生状況が均一となるようなプラズマ化学蒸着装置における放電電極の構造の提供。 - 特許庁 - A bit line contact plug 13 is formed in the first interlayer insulating film 7, and the upper ends of the lower electrode 8, capacitance insulating film 9, and upper electrode 10 formed on the side of the capacitor opening are located below the surface of the first interlayer insulating film 7 at least at the side where the bit line contact plug 13 is formed.
第１の層間絶縁膜７内に、ビット線コンタクトプラグ１３が形成され、キャパシタ開口部の側面上に形成された下部電極８、容量絶縁膜９、及び上部電極１０の上端部は、少なくともビット線コンタクトプラグ１３が形成された部位側において、第１の層間絶縁膜７の表面から下方に位置している。 - 特許庁 - In this device including a frame body 121 for holding the displaceable weights 122 (122a-122e), and the detection electrodes 111a-111d provided on a first substrate 111 opposite to the weights 122a-122e, capacitance change between the weights 122a-122d and the detection electrodes 111a-111d is detected.
変位可能な重錘体１２２（１２２ａ乃至１２２ｅ）を保持する枠体１２１と、重錘体１２２ａ乃至１２２ｅに対向するように、第１基板１１１上に設けられた検出電極１１１ａ乃至１１１ｄとを備え、重錘体１２２ａ乃至１２２ｄと検出電極１１１ａ乃至１１１ｄ間の静電容量の変化を検出する。 - 特許庁 - To provide a printed circuit board comprising passive elements in the structure that moisture absorption of passive elements can be prevented, change in the capacitance value of passive elements resulting from moisture absorption can be controlled, and moisture absorbed by the comprised passive elements can be removed easily; and also to provide a method of manufacturing the same printed circuit board.
本発明は受動素子を内蔵したプリント配線板において、受動素子の吸湿を防止し、吸湿に起因する受動素子の容量値の変化を抑え、また内蔵された受動素子が一旦吸収した湿気を容易に取り除くことができる構造の受動素子内蔵プリント配線板及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The actuating power of the information processor can be limited depending on the charging/discharging cycle frequency in consideration of the cycle characteristics of the secondary battery to suppress not only a reduction in discharging capacitance due to a vicious cycle of a current increase and a voltage drop but also a resultant increase in the charging/discharging cycle frequency, so that the acceleration of deterioration of the battery can be prevented.
これにより、二次電池が有するサイクル特性を考慮し、放充電サイクル回数に応じて、情報処理装置の動作電力を制限することで、電流の増大と電圧低下の悪循環による放電容量の減少を抑え、結果的に放充電サイクル数の増加も抑えることで、電池の劣化加速を防止することが出来る。 - 特許庁 - The radiation conductor 18 is formed as a square or a square in terms of electrical length, and capacitance loading conductors 21, 22, 23, 24 whose shapes differ from each other in one diagonal line direction and the other diagonal line direction between the ground conductor 19 and the radiation conductor 18 of the base 11 in the direction extending the two diagonal lines of the radiation conductor 18.
放射導体１８は正方形または電気的な正方形の形状に作り、また、基体１１には、接地導体１９と放射導体１８の間に、放射導体１８の２つの対角線の延長方向に、一方の対角線方向と他方の対角線方向において互いに形状の異なる容量装荷導体２１，２２，２３，２４を設ける。 - 特許庁 - A battery CEL is attached to bring a first surface C1 side close to the circumference, and an electrode 14 is made to face a second surface C2 thereof, whereby the electrode 14 is capacitively coupled to an armoring body C, and thereby, when considering the electrode 14 and an electrode 17 to be a single electrode, capacitance between the electrode and the body of a user can be set relatively large.
電池ＣＥＬは第１面Ｃ１の方が周囲に近くなるように取り付けられ、電極１４を第２面Ｃ２に対向させたことで、電極１４と外装体Ｃとが容量結合し、これにより、電極１４と電極１７を１つの電極と考えると、電極とユーザの人体の間の静電容量を比較的大きくすることができる。 - 特許庁 - For this reason, a depletion layer formed in the junction of a P type well layer 102 and a P+ type semiconductor region 103a, and the fourth region 118 can be extended in the direction of the photoelectric transfer section 307, so that the parasitic capacitance can be reduced, electric potential fluctuation by signal charges can be magnified, and the output conversion efficiency can be enhanced.
このため、Ｐ型ウエル層１０２及びＰ+型半導体領域１０３ａと、第４領域１１８との接合部に形成される空乏層を光電変換部３０７の方向に延ばすことができるため、寄生容量を低減することができ、信号電荷による電位変動を大きくすることができ、出力変換効率を向上させることができる。 - 特許庁 - Since a capacitance sensor 54 measures position information on an upper face of a floating object 48 floating by an amount corresponding to moving speed of the wafer from the surface (upper face) of a wafer by dynamic pressure of air flow generated by movement of the wafer W, face information of the wafer surface can indirectly be measured without directly measuring the wafer surface.
静電容量センサ５４により、ウエハＷの移動により発生する気流の動圧により、ウエハの表面（上面）からウエハの移動速度に応じた量だけ浮上する浮上体４８の上面の位置情報が、計測されるので、ウエハ表面を直接的に計測することなく、間接的にウエハ表面の面情報を計測することができる。 - 特許庁
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