「capacitance」を含む例文一覧(9962)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 199 200 次へ＞- When the inclination of the transition in a node nd is Δnd and the inclination of the transition in the node nnd is -Δnnd, an output load capacitance of the load driving amplifier becomes (1+Δnnd/Δnd) times capacitance value of the capacitance element 104.
ノードｎｄの遷移の傾きがΔｎｄ、ノードｎｎｄでの遷移の傾きが−Δｎｎｄであった場合に負荷駆動アンプの出力負荷容量は容量素子１０４の容量値の（１＋Δｎｎｄ／Δｎｄ）倍となる。 - 特許庁 - To solve the problem that a detection output is influenced by an irregularity in a parasitic capacitance Cp due to a production irregularity, because the parasitic capacitance Cp inherent in the detection electrode of a sensor cell contains the junction capacitance of a semiconductor so as to be dependent on a bias.
センサーセルの検出電極に付く寄生容量Ｃｐは半導体のジャンクション容量も含んでおり、バイアス依存性を持っているために、検出出力に製造バラツキによる寄生容量Ｃｐのバラツキの影響が出る。 - 特許庁 - Thereby, a large level difference is not generated on the element substrate 20 even in such a state that a thick insulating layer 72 for capacitance is formed on the surface of the lower electrode 62 for capacitance, since the film thickness of the lower electrode 62 for capacitance is thin.
従って、容量用下電極６２の表面に厚い容量用絶縁層７２が形成された状態においても、容量用下電極６２の膜厚が薄いので、素子基板２０上に大きな段差が発生しない。 - 特許庁 - The capacitance type liquid level sensor 10 includes a first and a second sensor elements 12 and 13 which each have a capacitance which changes according to a liquid level and of which a capacitance ratio also changes according to a liquid level.
静電容量式液面レベルセンサ１０は、各々が液面レベルに対応して変化する静電容量を有し、静電容量の比も液面レベルに対応して変化する第１および第２のセンサ素子１２，１３を備えている。 - 特許庁 - To provide a capacitance type acceleration sensor with capacitance at a fixed electrode facing a movable electrode, which exhibits no change in the capacitance for the acceleration applied in the direction perpendicular to a detection axis.
可動電極に対向する固定電極の容量において、検出軸に垂直な方向に加速度がかかった際に、容量変化を起こさない電極配置パターン構造を有する静電容量型加速度センサを提供すること。 - 特許庁 - Thereby the capacitance coupling effect between the pixel electrode and the data line becomes identical with the capacitance-coupling effect of the source electrode 20c and the data line 22, and the capacitance coupling effect between the source electrode 20c and the data line 22 is maintained.
これにより、画素電極とデータラインとの間のキャパシタンスカップリング効果は、ソース電極２０ｃとデータライン２２のキャパシタンスカップリング効果と同じとなり、ソース電極２０ｃとデータライン２２間のキャパシタンスカップリング効果は維持される。 - 特許庁 - Consequently, the capacitance detection device has only the detection electrode 100 for detecting capacitance without specially having a noise detection part and can detect the capacitance and whether there is noise only by the detection electrode 100.
これにより、別途、ノイズ検出部を設けることなく、静電容量を検出するための検出電極１００のみを有し、この検出電極１００において静電容量の検出とノイズの有無の検出が可能となる。 - 特許庁 - No signal current flows in the capacitance Cx1 and the resultant capacitance Cv1, Cv2, Cp formed around the insulating tank 3, thereby changes of the peripheral electrostatic capacitance have no relation with the measurement of the liquid level.
その結果、絶縁槽３の周囲に形成される静電容量Ｃｘ１や合成静電容量Ｃｖ１、Ｃｖ２、Ｃｐには信号電流が流れず、これによりそれら周辺静電容量変化は液位計測と無関係となる。 - 特許庁 - To provide a capacitance circuit which includes a capacitance adjusting function capable of adjusting a capacitance value of a transistor from the outside, is capable of appropriately adjusting the response property of a signal to be processed, and is capable of matching the property of a molded waveform.
外部からトランジスタの容量値を調整できる容量調整機能を有し、処理する信号の応答特性を適宜調整可能とし、成形波形の特性を一致させることが可能なキャパシタンス回路を提供する。 - 特許庁 - The capacitance of the capacitor C1 and inductance of the coil L1 are determined based on the variable range of resultant capacitance of a series circuit of the capacitor C2 and the variable capacitance diode D1 and the frequency of a signal to be received by a tuning circuit.
コンデンサＣ２と可変容量ダイオードＤ１による直列回路の合成容量の変化範囲と同調回路が受信すべき信号の周波数とから、コンデンサＣ１の容量とコイルＬ１のインダクタンス値を定める。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit, which is improved in such a way that the input capacitance and the output capacitance of an IC can be reduced, to correspond to a reduction in the capacitance of a board interconnection due to the high speed of a system.
システムの高速化によるボード配線の容量低減に対応して、ＩＣの入力容量、出力容量の低減が可能になるように改良された半導体集積回路を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - To reduce a stray capacitance between a conductor 102 having a large diameter including the maximum diameter and external electrodes 105 and 106, a stray capacitance between lead electrodes 103 and 104 led out from the conductor 102 and the external electrodes 105 and 106, a stray capacitance between inner winding turns 222 and 223, and a stray capacitance between lead electrodes led out respectively from outermost winding turns 221 and 225 and external electrodes 204 and 204.
特許文献１に記載の技術では、最大径を含む径の大きな導体１０２と外部電極１０５、１０６と間の浮遊容量や、導体１０２から引き出された引き出し電極１０３、１０４と外部電極１０５、１０６との間の浮遊容量を低減できない。 - 特許庁 - In a variable capacitance area in which the variable capacitance changes with linearity to driving voltage, changes of an interval between the driving electrodes 4, 5 and the changes between the variable capacitance electrodes 7A, 8A and between the variable capacitance electrodes 7B, 8B versus changes of the driving voltage are inverse each other.
駆動電圧に対して可変容量が線形性を持って変化する容量可変域では、駆動電圧の変化に対する駆動電極４，５の電極間隔の変化と可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂの電極間隔の変化とが互いに逆になることを特徴とする。 - 特許庁 - A capacitance difference correcting circuit 22 having a level shift circuit 23, a correction capacitance circuit 24, a consistency setting circuit 25 and an adjusting circuit 26 is provided, and a correction quantity corresponding to initial capacitance fluctuations is set by having the level shift circuit 23 select a gain A and the corrected capacitance circuit 24 select correction capacitances 24a-1 to 24a-n.
レベルシフト回路２３、補正容量回路２４、符合設定回路２５および調整回路２６を有する容量差補正回路２２を備え、レベルシフト回路２３の増幅率Ａと補正容量回路２４で補正容量２４ａ−１〜２４ａ−ｎを選択することで、初期容量バラツキに応じた補正量を設定する。 - 特許庁 - During an operation period T10, the potential of parasitic capacitance 221 in a circuit part 210 and the potential of decoupling capacitance 220 are maintained in the potential of the power supply 201 in the chip, while during an inactive period T11, the potential of the parasitic capacitance 221 gradually drops to zero, and the potential of the decoupling capacitance 220 is maintained in the potential of the power supply 201 in the chip.
動作期間Ｔ１０で、回路部２１０内の寄生容量２２１の電位とデカップリング容量２２０の電位は、チップ内電源２０１の電位に維持され、停止期間Ｔ１１で、寄生容量２２１の電位は徐々に降下してゼロになり、デカップリング容量２２０の電位はチップ内電源２０１の電位に維持される。 - 特許庁 - When the fingers of a driver or the like touch a push start switch for engine starting and stopping, the existence of the detection by a capacitance sensor in the push start switch is determined (S101), the capacitance of the capacitance sensor is computed with a microcomputer (S103), and the thresholds are calibrated on the basis of this capacitance (S104).
エンジンの始動及び停止のためのプッシュスタートスイッチにドライバー等の指のタッチにより、プッシュスタートスイッチ内の静電容量センサの検出の有無を判定し（Ｓ１０１）、静電容量センサの静電容量をマイコンにより算出し（Ｓ１０３）、この静電容量に基づいて閾値を校正する（Ｓ１０４）。 - 特許庁 - The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.
可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁 - On the first insulating film 112, a lower capacitance electrode 115 connected with the first plug 113, an insulating capacitance film 118 comprising a ferroelectric film, and a capacitance upper electrode 119 that extends to the outside of the insulating capacitance film 118 and is electrically connected with the second plug 114 are formed in this order.
第１の層間絶縁膜１１２の上に、第１のプラグ１１３と接続する容量下部電極１１５、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜１１８、及び容量絶縁膜１１８の外側まで延び且つ第２のプラグ１１４と電気的に接続する容量上部電極１１９を順次形成する。 - 特許庁 - An inter-resistance element parasitic capacitance value calculation unit 16 selects out of the resistance database two resistance elements sharing a common section capable of generating parasitic capacitance, calculates the parasitic capacitance value between the resistance elements, and stores the value in a parasitic capacitance list wherein the value and the nodes are coordinated with each other.
抵抗素子間寄生容量値算出部１６は、抵抗データベースから寄生容量を発生させる共通区間を有する二つの抵抗素子を選択して抵抗素子間の寄生容量値を算出し、算出した寄生容量値と前記ノードとを関連付けて寄生容量リストに保存する。 - 特許庁 - The combined capacitance of a plurality of capacitance components formed by the first intermediate electrode 31 and the first and the third main electrode portions 11, 21 is different from the combined capacitance of a plurality of capacitance components formed by the second intermediate electrode 32 and the second and the fourth main electrode portions 12, 22.
第１の中間電極３１と第１及び第３の主電極部１１、２１とによって形成される複数の静電容量成分の合成静電容量と、第２の中間電極３２と第２及び第４の主電極部１２、２２とによって形成される複数の静電容量成分の合成静電容量とが異なる。 - 特許庁 - The communication rosette comprising: a plurality of signal input terminal pairs; output terminal pairs of the same number; and signal paths electrically interconnecting between both the terminal pairs, is characterized by correcting a stray capacitance bridge balance among all the pairs by adding a capacitance 25B between lines with deficient capacitance thereby minimizing the coupling capacitance among all the pairs.
信号入力用の複数端子対と同数の出力用端子対と、両端子対間を電気的に接続する信号パスを擁する基板からなる通信用ローゼットにおいて、全対間の浮遊容量ブリッジバランスを、容量不足線間への容量付加２５Ｂによって補正し、全対間結合容量を極小化する。 - 特許庁 - The large capacitance part is provided with first and second large capacitance internal electrodes; a first lead-out electrode that electrically connects a first large capacitance internal electrode with the first side surface terminal electrode; and a second lead-out electrode that electrically connects a second large capacitance internal electrode with the second side surface terminal electrode.
高容量部分において、第１及び第２高容量内部電極、第１高容量内部電極を第１側面端子電極に電気的に接続する第１引出し電極、及び第２高容量内部電極を第２側面端子電極に電気的に接続する第２引出し電極が形成されている。 - 特許庁 - For this substrate for the electro-optical device, storage capacitance 70-1 provided with a capacitance electrode 302 connected to a pixel electrode 9a and a capacitance line 300 arranged in face to face with the capacitance electrode 302 via a dielectric film 301 and turned to a fixed potential is laminated above the TFT 30.
本発明の電気光学装置用基板は、ＴＦＴ３０の上方に、画素電極９ａに接続された容量電極３０２と、誘電体膜３０１を介して容量電極３０２と対向配置され固定電位とされた容量線３００とを有してなる蓄積容量７０-1が積層されている。 - 特許庁 - To provide a non-contact data transmitting-receiving body in which a structure is provided for preventing inductance of a circumferential part from being lowered although a conductive part is provided for adjusting electrostatic capacitance, the electrostatic capacitance is widely adjusted and desired capacitor capacitance is adjusted, and to provide its capacitance adjustment method.
静電容量の調整のための導電部を備えながら、周回部のインダクタンスの低下を防ぐ構造を備え、かつ、静電容量の大幅な調整が可能であると共に所望のコンデンサ容量を調整することができる、非接触型データ受送信体及びそのキャパシタンス調整方法を提供する。 - 特許庁 - To inexpensively provide a small-sized large-capacitance chip-like capacitor.
小形・大容量のチップ状コンデンサを安価に提供することを課題としている。 - 特許庁 - To form a high-capacitance capacitor element in a wiring circuit board with an excellent yield.
高容量キャパシタ素子を配線回路板内に収率良く形成すること。 - 特許庁 - To measure a TFT array having stray capacitance with higher precision than before.
浮遊容量を有するＴＦＴアレイを従来より高精度に測定する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which reduces leakage current while increasing capacitance.
キャパシタンスを増加させながらリーク電流を減らす半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide an inspection device suitably applicable to a capacitance type touch panel.
静電容量式タッチパネルに好適に適用可能な検査装置を提供する。 - 特許庁 - A capacitance insulating film and an upper electrode are sequentially formed on the lower electrode.
下部電極上に順に、容量絶縁膜及び上部電極を形成。 - 特許庁 - To reduce parasitic capacitance formed between multilayer wiring.
多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。 - 特許庁 - To provide a compact electrolytic capacitor having a large electrostatic capacitance.
静電容量が大きく、小型の電解コンデンサを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a DRAM array employing a small vertical transistor of bitline capacitance.
ビット線キャパシタンスの小さな垂直トランジスタを用いたＤＲＡＭアレイを提供する。 - 特許庁 - To reduce the capacitance of, for example, a drain signal line to a counter electrode.
たとえばドレイン信号線の対向電極に対する容量を低減させる。 - 特許庁 - A potential of a second node 26 varies by pushing up by a third capacitance C_3.
第２ノード２６の電位は、第３容量Ｃ_３による叩き上げで変化する。 - 特許庁 - To reduce the influence of the terminal capacitance of an electrostatic protection element on an antenna.
静電気保護素子の端子間容量によるアンテナヘの影響を低減する。 - 特許庁 - Capacitance per one winding body 22 is set to be 1.5 Ah or below.
捲回体２２の１本あたりの容量は、１．５Ａｈ以下に設定されている。 - 特許庁 - ELECTRET STRUCTURE, ITS FORMING METHOD AND ELECTRET TYPE CAPACITANCE SENSOR
エレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ - 特許庁 - CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
容量素子及びその製造方法、半導体メモリ及びその製造方法 - 特許庁 - To obtain an electrochemical capacitor having a high capacitance even at low temperatures.
低温においても高い静電容量を有する電気化学キャパシタの提供。 - 特許庁 - CAPACITOR HAVING ADJUSTABLE CAPACITANCE AND PRINTED WIRING BOARD HAVING SAME
静電容量を調整可能なキャパシタ及びこれを内蔵するプリント配線板 - 特許庁 - The image forming device detects the capacitance between the developing roller 1 and the supply roller 2.
現像ローラ１と供給ローラ２との間の静電容量を検知する。 - 特許庁 - Thus, the capacitance between the head 10 and the disk 30 is detected.
これにより、磁気ヘッド１０と磁気ディスク３０間の静電容量を検出する。 - 特許庁 - To detect abnormality in a frequency of a sine wave applied to an capacitance sensor.
静電センサに印加される正弦波の周波数の異常を検知すること。 - 特許庁 - By summing both capacitance values, a force Fz in the Z-axis direction can also be detected.
両容量値の和により、Ｚ軸方向の力Ｆｚの検出もできる。 - 特許庁 - To reduce parasitic capacitance of a signal line in a liquid crystal display device.
液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。 - 特許庁 - The electric impedance and motional capacitance are calculated from a solution by considering the viscosity.
電気インピーダンスおよび動キャパシタンスは粘性を伴った解から計算される。 - 特許庁 - To accelerate writing in a pixel circuit by suppressing capacitance parasitic to a data line.
データ線に寄生する容量を抑えて、画素回路の書き込みを高速化する。 - 特許庁 - An auxiliary capacitance 13 is formed as superposed above the first conductive layer.
補助容量１３は第一の導電層の上に重ねて形成されている。 - 特許庁 - In addition, preferably, the touch-type switch 7 is a capacitance type one 7.
さらに、タッチ式スイッチ７は、静電容量型スイッチ７であるのが好ましい。 - 特許庁
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