「cascoded」を含む例文一覧(5)

  • The invention provides also a Common-Source Cascoded LNA for shorter received pulse widths, with the aim of implementing a fast ON/OFF switching.
    本発明は、また、迅速なオン／オフ切り替えを実施する目的で、より短い受信パルス幅のための共通ソースカスコードＬＮＡも提供している。 - 特許庁
  • A cascoded current-mirror circuit 50 includes Nch MOS transistors NMT11, NMT12, NMT21, NMT22, NMT31, NMT32, NMT41, NMT42, NMT51, and NMT52.
    カスコード型カレントミラー回路５０には、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ１２、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４１、ＮＭＴ４２、ＮＭＴ５１、及びＮＭＴ５２が設けられる。 - 特許庁
  • In one exemplary implementation, a normally OFF composite semiconductor device comprises a normally ON III-nitride power transistor and a low voltage (LV) device cascoded with the normally ON III-nitride power transistor to form the normally OFF composite semiconductor device.
    １つの好適な実現では、ノーマリオフ複合半導体デバイスが、ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタ、及びこのノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）デバイスを具えて、ノーマリオフ複合半導体デバイスを形成する。 - 特許庁
  • The amplifiers AP each have a MOS transistor T for a current source, an amplifying MOS transistor T2 amplifying an image signal, and a cascode MOS transistor T3 which is cascoded between the MOS transistor for the current source and the amplifying MOS transistor and outputs the amplified image signal with the MOS transistor T1 for the current source.
    各アンプＡＰは、電流源用ＭＯＳトランジスタＴ１と、画像信号を増幅する増幅ＭＯＳトランジスタＴ２と、電流源用ＭＯＳトランジスタと前記増幅ＭＯＳトランジスタとの間に、増幅ＭＯＳトランジスタＴ２とカスコード接続し、電流源用ＭＯＳトランジスタＴ１との間から増幅された画像信号を出力させるカスコードＭＯＳトランジスタＴ３とを有している。 - 特許庁
  • In one exemplary implementation of the composite semiconductor device including a voltage-protected device, a normally OFF composite semiconductor device 300 includes: a normally ON III-nitride power transistor 310 having a first output capacitance 318; and a low voltage (LV) device 320 cascoded with the normally ON III-nitride power transistor to form the normally OFF composite semiconductor device, the LV device having a second output capacitance 348.
    電圧保護されたデバイスを含複合半導体デバイスの１つの好適な実現では、ノーマリオフ複合半導体デバイス３００が、第１出力キャパシタンス３１８を有するノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタ３１０と、このノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）デバイス３２０を具えて、このノーマリオフ複合半導体デバイスを形成し、このＬＶデバイスは第２出力キャパシタンス３４８を有する。 - 特許庁

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