INTEGRATED MEMORY HAVING MEMORY CELL AND REFERENCECELL メモリセルと基準セルを有する集積メモリ - 特許庁
A memory device has a dynamic referencecell and a fixed referencecell. メモリ素子は、ダイナミックリファレンス及び固定リファレンスセルを有する。 - 特許庁
A reference solar cell Rb is formed in each sub-cell. 各サブセルに基準セルRbが形成される。 - 特許庁
The referencecell has the same size as a memory cell. 基準セルは、メモリセルと同一のサイズを有する。 - 特許庁
Plural sub-cell arrays constituted of plural main cells and at least one referencecell are provided and the referencecell of the sub-cell array is operated together with the main cells of the adjacent sub-cell array. 複数のメインセルと少なくとも一つの参照セルから構成される複数のサブセルアレイを有する。 - 特許庁
The referencecell RC makes the reference by which data of the memory cell MC is decided. レファレンスセルRCは、メモリセルMCのデータを判断する基準を作る。 - 特許庁
REFERENCECELL AND WRITING METHOD THEREOF リファレンスセルおよびその書き込み方法 - 特許庁
A rejection control part 177 passes a referencecell and discards a non-reference cell. 廃棄制御部177は、準拠セルを通過させ、非準拠セルを廃棄する。 - 特許庁
The referencecell is the same as a memory cell of the array and used for generating reference voltage for a reference bit line. 基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁
A referencecell is the same as a memory cell of an array, and used for generating reference voltage for reference bit line. 基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁
The referencecell 21 has a structure similar to that of a memory cell 11. リファレンスセル21は、メモリセル11と同じ構造を有する。 - 特許庁
Reference data stored in the referencecell is fixed. 参照セルに記録されている参照データは固定されている。 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY CELL HAVING SOFT REFERENCE LAYER 軟らかい基準層を有する磁気メモリセル - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR REFRESHING REFERENCECELL 基準セルをリフレッシュする方法および装置 - 特許庁
The maximum friction value is selected as a cell friction measuring reference of the cell. 最大摩擦値を、セルのセル摩擦測定基準として選択する。 - 特許庁
METHOD OF DETERMINING CELL FRICTION MEASURING REFERENCE FOR CONTROL CELL IN NUCLEAR REACTOR 原子炉の制御セルのセル摩擦測定基準を判定する方法 - 特許庁
The memory cell array is constituted of a data cell array 12, a referencecell array 13A and dummy cell arrays 13B, 13C. メモリセルアレイは、データセルアレイ12、レファレンスセルアレイ13A及びダミーセルアレイ13B,13Cから構成される。 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR PROCESSING ABSOLUTE CELLREFERENCE OF CELL RANGE REFERENCE OF ELECTRONIC SPREAD SHEET 電子スプレッドシートにおける絶対セル参照又はセル範囲参照を処理する方法およびシステム - 特許庁
REFERENCE ELECTRODE AND ELECTROLYTIC CELL HAVING THE SAME 参照電極及びこれを備える電解セル - 特許庁
To improve data read accuracy from a referencecell when whether the referencecell is good or not is determined in an nonvolatile memory device provided with the referencecell and a memory cell. 参照セルとメモリセルとを備える不揮発性記憶装置において、参照セルの良否を判定する際に参照セルからのデータ読出精度を向上させる。 - 特許庁
The method comprises a step of programming the dynamic referencecell using the fixed referencecell, and a step of programming the two-bit core cell using the dynamic referencecell. 本方法は、固定リファレンスセルを利用してダイナミックリファレンスセルをプログラミングするステップ、及びそのダイナミックリファレンスセルを利用して2ビットコアセルをプログラミングするステップより成る。 - 特許庁
A first read state is obtained by reading the selected cell with the referencecell biased the referencecell biased to a first value(65). 第1の値にバイアスされた基準セルにより選択セルを読み出して第1の読み出し状態を取得する(65)。 - 特許庁
A cell C of a color (e.g., cyan) is used as the reference, and the center of a magenta cell M and the center of a yellow cell Y are arranged at mutually confronting right-angled corners of the reference cyan cell C. ある色(例えばシアン)のセルCを基準として、直角である2つの角にそれぞれ他色のセルM、Yの中心を置く。 - 特許庁
A referencecell array 12 includes a referencecell bit line RB (RBT or RBN) to which a prescribed number of reference cells 22 are connected. リファレンスセルアレイ12は、所定数のリファレンスセル22が接続されたリファレンスビット線RB(RBT又はRBN)を有する。 - 特許庁
The reference memory cell 3 for testing includes a reference selection transistor T1r, and a referencecell transistor T2r connected to the reference selection transistor T1r in series. 試験用基準メモリセル3は、基準選択トランジスタT1rと、該基準選択トランジスタT1rに直列接続された基準セルトランジスタT2rとを有する。 - 特許庁
A sub-cell of the reference solar cell Rb corresponds to one sub-cell of two or more sub-cells of a multi-junction solar cell. 基準セルRbのサブセルは多接合太陽電池の2つ以上のサブセルの1つのサブセルに対応する。 - 特許庁
A spectral sensitivity of the reference solar cell Rb is measured. 基準セルRbのスペクトル感度が計測される。 - 特許庁
The capacitor 22 and the capacitor 32 are provided in a referencecell 20 and a referencecell 30 respectively. キャパシタ22およびキャパシタ32は、それぞれリファレンスセル20およびリファレンスセル30内に設けられている。 - 特許庁
A portion of the cell arrays forms a memory cell array MA that has the cells as memory cells MC, and another portion of the cell arrays forms a referencecell array RA that has the cells as reference cells RC. 一部のセルアレイは、セルをメモリセルMCとするメモリセルアレイMA、他の一部のセルアレイがセルを参照セルRCとする参照セルアレイRAとなる。 - 特許庁
Then, the data is read from the normal cell, and then the referencecell is reset. その後、そのノーマルセルからデータを読み出し、次いでリファレンスセルをリセットする。 - 特許庁
An operation part 2 executes UPC operation for connection corresponding to an arrival cell and judges whether the cell is a referencecell or a non-reference cell. 演算部2は、到着セルに対応するコネクションに対してUPC演算を実行し、そのセルが準拠セルであるか非準拠セルであるかを判断する。 - 特許庁
When data is first read from a normal cell, as a referencecell is in a relaxed state, the referencecell is reset before the data is read from the normal cell. 最初にノーマルセルからデータを読み出す際には、リファレンスセルがリラクゼーション状態にあるため、そのノーマルセルからデータを読み出す前に、リファレンスセルをリセットする。 - 特許庁
In a memory cell array of MRAM, a regular memory cell stores one bit per one cell by comparing it with a reference memory cell holding a reference value. MRAMのメモリセルアレイにおいて、正規メモリセルは参照値を保持する参照メモリセルと比較することにより、1セルあたり1ビットを記憶させる。 - 特許庁
A memory cell MC and a referencecell RC are constituted of MTJ elements. メモリセルMC及びレファレンスセルRCは、MTJ素子から構成される。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR CORRECTING REFERENCECELL 半導体記憶装置及びリファレンスセルの補正方法 - 特許庁
DEVICE FOR SELF-REFERENCE FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL 強誘電体メモリセルの自己参照のための装置 - 特許庁
SYSTEM FOR UTILIZING DYNAMIC REFERENCE BY TWO-BIT CELL MEMORY 2ビットセルメモリにてダイナミックリファレンスを利用するシステム - 特許庁
To provide a semiconductor device which efficiently corrects the state of a referencecell, which prevents the referencecell from deteriorating due to disturbance or the like, and which precisely maintains the value of the referencecell, to solve the problem of deterioration of the referencecell. リファレンスセルの劣化問題を解決するために、効率よくリファレンスセルの状態を補正し、ディスターブ等によるリファレンスセルの劣化を防止し、リファレンスセルの値を高精度に保つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The DRAM 1 is configured so as to simultaneously start writing of the reference potential to the referencecell 20 and the referencecell 30. DRAM1においては、リファレンスセル20およびリファレンスセル30への参照電位の書込みが同時に開始されるように構成されている。 - 特許庁
A library 12 and a layout 14 are provided with a referencecell and a P/N ratio change cell obtained by changing a P/N ratio with respect to the referencecell. ライブラリ12やレイアウト14は、基準セルと、この基準セルに対し、P/N比を変更したP/N比変更セルとを備える。 - 特許庁
INFORMATION ON REFERENCE SIGNAL STRUCTURE FOR ADJACENT CELL MEASUREMENTS 隣接セル測定のための基準信号構造の情報 - 特許庁
MAGNETIC RAM ELEMENT HAVING REFERENCECELL AND ITS STRUCTURE 基準セルを有する磁気ラム素子及びその構造体 - 特許庁
The number of reference cells forming the series referencecell group is less than the number of memory cells forming the series memory cell group. 直列リファレンスセル群をなすリファレンスセルの個数が直列メモリセル群をなすメモリセルの個数よりも少ない。 - 特許庁
The bit line 14 and the bit line 16 are connected respectively with the referencecell 20 and the referencecell 30. ビット線14およびビット線16には、それぞれリファレンスセル20およびリファレンスセル30が接続されている。 - 特許庁
NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REFERENCECELL ARRAY 基準セルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁
The reference memory cell section 3 includes a reference memory cell 3a for detecting the data holding state for a non-operation period. 参照メモリセル部3は、非動作期間のデータ保持状態を検出するための参照メモリセル3aを含む。 - 特許庁
Pushes a reference to the object the cell contains on the stack. セルが持つオブジェクトへの参照をスタックにプッシュします。 - Python
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