「cladding layer」を含む例文一覧(560)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 次へ＞- The active layer is provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.
活性層は、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられている。 - 特許庁 - The upper cladding layer 34 covers the lower cladding layer 32 and the active layer 33 also from the side faces of the cladding and active layers.
上部クラッド層３４が下部クラッド層３２および活性層３３を側面からも覆っている。 - 特許庁 - COATING LAYER PEELING DEVICE OF CLADDING TUBE
被覆管の被覆層剥離装置 - 特許庁 - The epitaxial structure is composed of a lower cladding layer, an upper cladding layer, a light emitting layer interposed between the upper cladding layer and the lower cladding layer, a window layer provided on the upper cladding layer, and a contact layer provided between the window layer and the resistive contact electrode.
エピタキシアル構造は、下クラッド層、上クラッド層、上クラッド層と下クラッド層の間に挟まれた発光層、上クラッド層上に設けた窓層、窓層と抵抗性接触電極の間に設けたコンタクト層を含む。 - 特許庁 - The active layer 7 is provided between the first cladding layer 3 and the second cladding layer 5.
活性層７は、第１のクラッド層３と第２のクラッド層５との間に設けられている。 - 特許庁 - The photonic crystalline layer 13 is formed between the n-type cladding layer 12 and the p-type cladding layer 16 or in the n-type cladding layer 12 or the p-type cladding layer 16.
フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 - 特許庁 - A lower cladding layer 24 is formed on the cores and the intermediate cladding layers.
コアおよび中間クラッド層の上に下部クラッド層２４を形成する。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.
半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁 - The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.
ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁 - A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.
サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁 - A dielectric mask is formed on a cladding layer (S4), after growing an SCH layer, active layer, SCH layer, and cladding layer on a substrate (S3).
基板上にＳＣＨ層、活性層、ＳＣＨ層、クラッド層を成長させ（Ｓ３）、クラッド層上に誘電体マスクを形成する（Ｓ４）。 - 特許庁 - The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.
ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁 - An active layer 105 is formed on a cladding layer 104.
クラッド層１０４の上に、活性層１０５が形成されている。 - 特許庁 - The light-emitting layer 15 is formed on the n-type cladding layer 12.
発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。 - 特許庁 - A cladding layer 24 is then formed on the diffraction grating layer G_n.
次に、回折格子層Ｇ_ｎ上にクラッド層２４を形成する。 - 特許庁 - An n-type InP cladding layer 16 (a third semiconductor layer) is formed on the p-type InP cladding layer 12 and the active layer 15.
ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor optical element according to one embodiment is provided with a first conductive type lower cladding layer, a second conductive type upper cladding layer and an active layer provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.
本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。 - 特許庁 - To provide a friction cladding method and a friction cladding device by which the width of a formed cladding layer is uniformized and the variation of the thickness of the cladding layer is decreased.
形成される肉盛層の幅を一定にし、該肉盛層の厚みのバラつきを低減することが可能な摩擦肉盛法及び摩擦肉盛装置を提供する。 - 特許庁 - Next, an upper cladding layer 20 is formed on the intermediate cladding layers and the thick films.
次に、中間クラッド層および厚膜の上に上部クラッド層２０を形成する。 - 特許庁 - The cladding layer 9 is disposed on the substrate 8.
クラッド層９は基板８上に設けられている。 - 特許庁 - Depth of the grooves 23, 24 reaches the base of the lower cladding layer 2 from the surface of the upper cladding layer 6.
溝２３，２４の溝深さは、上部クラッド層６の表面から下部クラッド層２の底面に達している。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises an n-type cladding layer 14, a p-type cladding layer 16, and an active layer 12.
本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。 - 特許庁 - A stress relaxation layer 5 comprising a material of which the storage modulus is smaller than that of the upper cladding layer 4 is formed between the upper cladding layer 4 and the lower cladding layer 2 on at least one part of the region with which the upper part cladding layer 4 and lower part cladding layer 2 are brought into contact with each other.
上部クラッド層４と下部クラッド層２が接する領域の少なくとも一部において、上部クラッド層４と下部クラッド層２の間に、上部クラッド層４より貯蔵弾性率が小さい材料からなる応力緩和層５が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁 - The laser structure is epitaxially grown on a substrate 12 with a lower cladding layer 20, an active layer 22, an upper cladding layer 24, and a contact layer 26.
基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。 - 特許庁 - Fifthly, an upper cladding layer 22 is formed on the core, the intermediate cladding layers and the thick film.
次に、コア、中間クラッド層および厚膜の上に上部クラッド層２２を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING CLADDING LAYER IN TOP CONDUCTOR
上部導体にクラッド層を形成するための方法 - 特許庁 - In the p-type cladding layer 34, C is doped.
ｐ型クラッド層３４には、Ｃがドーピングされている。 - 特許庁 - The exposed part of the second cladding layer 5 is removed.
第二クラッド層５の露出した部分を除去する。 - 特許庁 - Favorably, the synthetic cladding layer 2 is made of polyethylene.
好ましくは合成クラッド層（２）はポリエチレンから成る。 - 特許庁 - A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.
半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁 - The waveguide type semiconductor element (2) is provided with a p-type cladding layer (18), a waveguide layer (6) and a n-type cladding layer (4).
本発明による導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）、導波層（６）およびｎ型クラッド層（４）を備える。 - 特許庁 - An active layer 105 is formed over the n-type cladding layer 103.
活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。 - 特許庁 - The Ni layer 4 and the Ti layer 6 are joined through rolling and cladding.
Ｎｉ層４とＴｉ層６はクラッド圧延により接合されている。 - 特許庁 - A 2nd cladding layer 104 is arranged on the active layer 102.
活性層１０２上には、第２のクラッド層１０４が配置されている。 - 特許庁 - An active layer 108 covers and is adhered to the first cladding layer 106.
活性層１０８は、第１クラッディング層１０６上に被着される。 - 特許庁 - In addition, a lower cladding layer 22 and a core layer are laminated over the entire surface of the substrate.
さらに基板全面に下クラッド層２２、コア層２３を積層する。 - 特許庁 - A second cladding layer 109 covers and is adhered to the active layer 108.
第２クラッディング層１０９は、活性層１０８上に被着される。 - 特許庁 - This multilayer optical waveguide is constituted by laminating a lower cladding layer 2, a lower core 21, an intermediate cladding layer 4, an upper core 22, and an upper cladding layer 6 on a silicon substrate 1.
積層光導波路は、シリコン基板１上に、下部クラッド層２、下部コア２１、中間クラッド層４、上部コア２２、上部クラッド層６を積層して構成されている。 - 特許庁 - The exposed part of the third cladding layer 7 is removed.
第三クラッド層７の露出した部分を除去する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SQUARE BAR HAVING CLADDING-BY-WELDING LAYER
肉盛溶接層を有する角棒体の製造方法 - 特許庁 - QUALITY DETERMINING METHOD FOR CLAD LAYER IN LASER CLADDING
レーザクラッド加工におけるクラッド層の品質判定方法 - 特許庁 - An upper layer of the contact layer and the cladding layer is formed as a striped ridge 30.
コンタクト層及びクラッド層の上部層は、ストライプ状リッジ３０として形成されている。 - 特許庁 - To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.
基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁 - In each optical fiber sensing unit, the cladding layer is located at the perimeter of the core layer, and the maximum depth of the conduits is larger than thickness of the cladding layer.
各光ファイバーセンシングユニットにおいて、クラッド層はコア層の周囲に位置し、溝の最大深さはクラッド層の厚さより大きい。 - 特許庁 - An optical waveguide 1 comprises a layered body of five layers of a cladding layer 11, a core layer 13, a cladding layer 121, a core layer 13 and a cladding layer 122 stacked in this order in an upward direction, and is in a long and narrow belt shape.
光導波路１は、下側からクラッド層１１、コア層１３、クラッド層１２１、コア層１３、およびクラッド層１２２の５層をこの順で積層してなる積層体を有しており、細長い帯状をなしている。 - 特許庁 - An under cladding layer 2 is formed on a substrate 1, a core layer 3 is formed on the under cladding layer 2, core layer exposure parts 3b with a prescribed pattern are formed in the core layer 3, and an over cladding layer 5 is formed on the core layer 3.
基板１上にアンダークラッド層２が積層形成され、アンダークラッド層２上にコア層３が形成されているとともに、このコア層３には所定パターンのコア層露光部３ｂが形成され、コア層３上にはオーバークラッド層５が形成されている。 - 特許庁 - The laminated structure 10 comprises a first-conductivity first cladding layer, a second-conductivity second cladding layer, and an active layer 15 held by the first and second cladding layers.
積層構造１０は、第１導電型の第１のクラッド層と、第２導電型の第２のクラッド層と、第１および第２のクラッド層に挟まれた活性層１５とを有している。 - 特許庁 - The semiconductor layer 20 is composed by laminating a buffer layer 21, a GaN layer 22, an n-type contact layer 23, an n-type cladding layer 24, an active layer 25, a p-type cladding layer 26, and a p-type contact layer 27 in this order.
半導体層２０は、バッファ層２１、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される。 - 特許庁 - A p-type contact layer 111 is formed on the p-type cladding layer 110.
ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。 - 特許庁 - A first cladding layer 15, an active layer 17, and a second cladding layer 19 are formed on the primary surface 13a of the semiconductor substrate 13.
第１のクラッド層１５、活性層１７及び第２のクラッド層１９が半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁
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