「cladding thickness」を含む例文一覧(52)
1 2 次へ＞- The thickness of the cladding 102 is set within a prescribed range.
或いは、クラッド１０２の厚さが所定の範囲に設定される。 - 特許庁 - To provide a friction cladding method and a friction cladding device by which the width of a formed cladding layer is uniformized and the variation of the thickness of the cladding layer is decreased.
形成される肉盛層の幅を一定にし、該肉盛層の厚みのバラつきを低減することが可能な摩擦肉盛法及び摩擦肉盛装置を提供する。 - 特許庁 - The average compression-hardened depth measured from the outside surface of the cladding can be made larger than the thickness of the cladding.
クラッディングの外表面から測定した平均圧縮硬化深さは、該クラッディングの厚さよりも大きくすることができる。 - 特許庁 - The total thickness of the stainless steel layers 2, 2 preferably falls within a range of 35 to 70% of the thickness of the cladding material.
前記ステンレス層の合計層厚をクラッド材板厚の３５〜７０％とすることが好ましい。 - 特許庁 - In each optical fiber sensing unit, the cladding layer is located at the perimeter of the core layer, and the maximum depth of the conduits is larger than thickness of the cladding layer.
各光ファイバーセンシングユニットにおいて、クラッド層はコア層の周囲に位置し、溝の最大深さはクラッド層の厚さより大きい。 - 特許庁 - METHOD FOR MEASURING THICKNESS OF CLADDING LAYER FORMED ON NUCLEAR FUEL ROD SURFACE AND INCLUDING FERROMAGNETIC MATERIAL
核燃料棒表面に形成された、強磁性材料を含むクラッドの層の厚さを求める方法 - 特許庁 - In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.
第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁 - To provide a power cable manufacturing equipment with which productivity is improved by reducing length of a defective cable caused by uneven thickness of cladding as much as possible through precise and rapid detection of uneven thickness of extrusion cladding layer found at the process in which the extrusion cladding layer is formed by a crosshead on a conductor and bridges it with a long die.
クロスヘッドで導体上に押出被覆層を形成し、これをロングダイで架橋する過程において生じた押出被覆層の偏肉を精度よく速やかに検出して、偏肉により不良品となるケーブルの長さを可及的に短くし、無駄を少なくして生産性を向上させる。 - 特許庁 - The thickness of the p-type cladding layer 13 in the flat section 32 becomes small, thus preventing current from spreading laterally.
平坦部３２におけるｐ型クラッド層１３の厚みが小さくなり、電流が横方向に広がりにくくなる。 - 特許庁 - Also, the diameter of the core layer is 50-100 μm and the thickness of the cladding layer is 12-38 μm.
さらに前記コア層の径が５０μｍ〜１００μｍ、前記クラッド層の厚さが１２μｍ〜３８μｍである。 - 特許庁 - The cladding thickness with respect to the core thickness ratio of at least one of the input fibers is decreased at the region of the support preform.
本発明によれば、前記入力ファイバの少なくとも１本のクラッド厚のコア厚に対する比率は、前記支持プリフォームの領域で減少する。 - 特許庁 - To provide a laminate having a capacity sufficiently allowing usage as a laminate for cladding an electric cell and capable of reducing the thickness of the laminate for cladding the electric cell.
本発明は、電池外装用積層体として十分に満足できる性能を備え、電池外装用積層体の薄層化を可能にした積層体を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.
また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁 - In addition, the p-type cladding layer 26 is composed of at least two layers where the composition is mutually different in a layer thickness direction, and a first p-type cladding layer 20 positioned near the active layer 17 has a lower refractive index than a second p-type cladding layer 21.
さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。 - 特許庁 - (Ta3-ta3)<(700/E), and however, Ta is the thickness of the cladding, ta is the height of the hermetically sealed space, and E is the young's modulus of the resin.
（Ｔa^3−ｔa^3）＜（７００／Ｅ）但し、Ｔaは外装材の厚さ、ｔaは密閉空間の高さ、Ｅは樹脂のヤング率である。 - 特許庁 - Total thickness X of a fourth upper cladding layer 26 and a second contact layer 27 of the second semiconductor laser 29 is set smaller than the total thickness Y of a second upper cladding layer 16 and a first contact layer 17 of the first semiconductor laser 19.
第２の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚Ｘが第１の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。 - 特許庁 - A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.
この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁 - A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.
ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁 - The optical waveguide 3 comprises a core layer 3b, and cladding layers 3a and 3c formed on both sides in the thickness direction of the core layer 3b.
光導波路３は、コア層３ｂと、コア層３ｂの厚み方向の両側に形成されたクラッド層３ａ，３ｃとで構成されている。 - 特許庁 - The card type semiconductor storage device 1 is capable of avoiding the occurrence of space between an external cladding 4 and a substrate 3 by composing the external cladding 4 in such a manner that the whole area of the substrate 3 other than a connection terminal 2 is directly covered with thermoplastic resin, thereby increasing the thickness of the external cladding 4 while suppressing the increase in the overall thickness of the card type semiconductor storage device 1.
カード型半導体記憶装置１は、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４を構成したことにより、外装体４と基板３との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくしてカード型半導体記憶装置１全体の厚み増加を抑制しつつ外装体４の厚みを増すことができる。 - 特許庁 - Cladding by welding is correctly performed on the inner surface in the circumferential direction by the welding machine 31 though the inner surface of the bottom part 3 is recessed, and the wall thickness can be excellently corrected by the cladding by welding on a part of reduced thickness of the inner surface of the bottom part 3 by the cladding by welding of high quality.
かかる構成とすることで、底部３の内面が凹面形状であるにも拘わらず、上記溶接機３１によって上記内面に対して周方向に正確に肉盛溶接を施工することができ、高品質の肉盛溶接の実現によって、上記底部３の内面の減肉部分に対する肉盛溶接による肉厚回復を高次元で達成することができる。 - 特許庁 - In the fuel cladding tube for a boiling water reactor made of zircalloy, which is a fuel cladding tube for higher-burnup fuel assemblies whose average burnup is 45 GWd/t or higher; the oxide film whose thickness ranges between 0.05 μm and 0.2 μm inclusive is formed on the outer surface of the cladding tube.
ジルコニウム合金からなる沸騰水型原子炉用燃料被覆管において、燃料集合体平均燃焼度４５ＧＷｄ／ｔ以上の高燃焼度燃料集合体用の燃料被覆管であって、被覆管外表面に、膜厚が０．０５μｍ以上、０．２μｍ以下の酸化被膜が形成されているものとした。 - 特許庁 - A thickness H_2 from the lower surface of the upper cladding layer 108 to the lower surface of a buried layer 115 in the second stripe side area 152 is smaller than a thickness H_1 in the first stripe side area 151.
第２ストライプサイド領域１５２における上クラッド層１０８下面から埋め込み層１１５下面までの厚さＨ_２は、第１ストライプサイド領域１５１における厚さＨ_１よりも小さい。 - 特許庁 - A thickness of the aluminum layer 3 is preferred to be 15 to 95% of a whole thickness of the cladding material, and an average hardness of the nickel alloy layer 2 is preferred to be Hv100 or less.
前記アルミニウム層３の厚さはクラッド材の全体厚さの１５〜９５％程度にすることが好ましく、またニッケル合金層２の平均硬さはＨｖ１００以下にすることが好ましい。 - 特許庁 - A metal plate 21 and a material 13 having gas-separation properties are subjected to cladding processing to be laminated each other and, thereafter, the thickness of the laminated plate is reduced by rolling the clad plate.
金属板２１とガス分離性を有する材料１３とをクラッド加工して積層し、その後、クラッド板を圧延して積層板の厚みを薄くする。 - 特許庁 - Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.
更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁 - To provide a new oxide film thickness measuring method measuring highly accurately an oxide film thickness on a fuel rod cladding tube even in the state where magnetic clad adheres thereto, without dismantling a fuel assembly.
燃料集合体を解体することなく、磁性クラッドが付着した状態下でも燃料棒被覆管の酸化膜厚さ高精度で測定することができる新規な酸化膜厚さ測定方法を提供する。 - 特許庁 - An optical waveguide 1 comprises: a core layer 2 including a core part 21 and a cladding part 22 having a lower refractive index than the core part 21; two cladding layers 3 and 4 disposed to sandwich the core layer 2; and a thin film layer 5 with a thickness of 1 to 100 nm between the core layer 2 and at least one of the cladding layers 3 and 4.
光導波路１は、コア部２１と前記コア部２１より屈折率の低いクラッド部２２とを有するコア層２と、前記コア層２を挟んで配置される２つのクラッド層３、４とを備え、前記コア層２と前記２つのクラッド層３、４の少なくとも一方との間に厚さが１から１００ｎｍの薄膜層５を含む。 - 特許庁 - A first passivation film 8 having a thickness of 100 nm or smaller is formed on both side walls of a ridge portion 5A formed on a portion of a second p-type cladding layer 5, and flat portions (the top face of the second p-type cladding layer 5) on both sides of the ridge portion 5A.
ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。 - 特許庁 - To provide a bedewing prevention device for supporting a pipe, for preventing bedewing generated owing to a reduced thickness by means of supplementing heat retaining performance decreasing in a portion reduced in thickness as well as by preventing a thickness reduction of a thermal covering layer as much as possible when supporting a coolant-carrying cladding copper tube equipped with the thermal covering layer.
保温被覆層を備えた冷媒用被覆銅管等を支持する際に、保温被覆層の減肉を極力防止すると共に、減肉部分で低下する保温性を補うことで、この減肉により生じる結露を防止することができる配管支持用結露防止具を提供する。 - 特許庁 - After mechanically grinding and removing defects generated near a welding part of clad 2 of a vessel shell 1, cladding by welding by temper bead method is selected in the case that the remaining thickness of the clad 2 is less than a determined value and ordinary cladding by welding is selected for repair in the case the remaining thickness of the clad is more than the determined value.
容器胴１のクラッド２の溶接部付近に生じた欠陥部を機械的に削り取って除去した後、そのクラッド２の残存厚さが規定値未満のときには、テンパービード工法による肉盛り溶接を選定し、クラッド２の残存厚さが規定値以上のときには、通常の肉盛り溶接を選定して補修を行う。 - 特許庁 - A sealed type lead-acid battery is produced by laminating the cladding positive electrode and a paste negative electrode through a retainer with thickness when compressed at 50 kgf/dm2, not more than 85% of the thickness when compressed at 20 kgf/dm2.
そして、該クラッド式正極板1と、ペースト式負極板3を、50kgf/dm^2で圧縮した場合における厚みが、20kgf/dm^2で圧縮した場合における厚みの85%以下となるリテーナ2を介して積層して密閉形鉛蓄電池を作製する。 - 特許庁 - The over cladding layer 3 is formed of a hardened body of a resin composition mainly comprising an ultraviolet curable resin and containing disturbance light absorbing pigments, and the thickness from the top face of a core 2 to the surface of the over cladding layer 3 is set to be 100 μm or more.
オーバークラッド層３は、紫外線硬化性樹脂を主成分とし、外乱光を吸収する色素を含有する樹脂組成物の硬化体からなっているとともに、コア２の頂面からオーバークラッド層３の表面までの厚みが１００μｍ以上に設定されている。 - 特許庁 - The thickness of the inner cladding is sufficient to keep the gratings outside a mode field in undeformed region of the optical waveguide, so that normally no out-coupling of the light results.
内側クラッドの厚さは、導波管の非変形領域のモードフィールドの外側に格子を維持する程度に十分であり、この結果、光の出力結合は通常生じない。 - 特許庁 - In each of the heaters 3a, 3b, the heater elements 33-35 intersect the center line of the output side cores 1a, 1b, the cores to be subjected to refractive index controlling, in the plane perpendicularly intersecting the thickness direction of the cladding layer 2.
各ヒータ３ａ，３ｂは、クラッド層２の厚み方向に直交する面内において屈折率制御対象の出力側コア１ａ，１ｂの中心線にヒータエレメント３３〜３５が交差している。 - 特許庁 - Moreover, the silicone resin 24 has a cladding part 24a with a thickness C of 0.005 mm to 0.05 mm, which covers at least one face of the inorganic fiber cloth 23.
これとともに、シリコーン樹脂２４は0.005ｍｍ〜0.05ｍｍの厚さＣの被覆部位２４ａを有し、この被覆部位２４ａで無機繊維布帛２３の少なくとも片面を覆っていることを特徴としている。 - 特許庁 - A multilayer film composed of an SiO_2 deposited film 42 having a thickness of 600 Å and an amorphous Si deposited film 44 having a thickness of 300 Å layered on the SiO_2 deposited film 42 is provided on both sides of the ridge 26 and on a p-AlGaN cladding layer 22 on both sides of the ridge 26.
本素子では、膜厚６００ÅのＳｉＯ_2蒸着膜４２と、ＳｉＯ_2 蒸着膜４２上に積層された膜厚３００ÅのアモルファスＳｉ蒸着膜４４との積層膜が、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。 - 特許庁 - Additionally, on upper and lower surfaces in the thickness direction of the solid-state laser medium 10, cladding members 21, 22 having a refractive index lower than that of the laser medium 10 are provided for shutting the laser beams and excitation light into the medium 10.
また、固体レーザ媒質１０の厚さ方向にある上面、下面上に、レーザ媒質１０よりも低い屈折率を有するクラッド部材２１、２２を設け、レーザ光及び励起光を媒質１０内に閉じ込める。 - 特許庁 - The aluminum-clad material is constituted by cladding at least one side in the thickness direction of a reinforcement layer composed of niobium or niobium-base alloy with an outermost layer composed of high-purity aluminum of ≥99.8 wt.% Al purity.
アルミニウムクラッド材は、ニオブまたはニオブ基合金からなる強化層の厚さ方向の少なくとも一方側に、Ａｌ純度が９９．８wt％以上の高純度アルミニウムからなる最外層がクラッドされている。 - 特許庁 - A semiconductor layer 52 different with refractive index from that of p-type second cladding layers 37, 46 is formed on the ridges 50, 51 of two sets of semiconductor lasers 39, 48 by a thin film having the thickness of not more than 2μm (in the degree of 0.5μm).
ｐ型第２クラッド層３７，４６とは屈折率が異なる半導体層５２を、二つの半導体レーザ３９，４８のリッジ部５０，５１の上から、２μｍ以下（０．５μｍ程度）の薄い膜厚で形成する。 - 特許庁 - In addition, the thickness of a p-type AlGaInP third cladding layer 107 is specified so that one portion of distribution regions 300A and 310A of the laser beam of the laser beam oscillation parts 300 and 310 overlaps each other.
更に、各レーザ光発振部３００及び３１０のレーザ光の分布領域３００A及び３１０Aの一部が互いに重なり合うように、前記ｐ型AlGaInP第三クラッド層１０７の厚みが規定されている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for inhibiting the generation of crystal defects and at the same time putting a quantum well layer into disorder even in a semiconductor device that has an arbitrary layer structure and at the same time an upper-cladding-layer thickness of 500 nm or less.
任意の層構造を有し、かつ上クラッド層の厚さが５００ｎｍ以下の半導体装置においても、結晶欠陥の発生が抑制でき、かつ量子井戸層の無秩序化が可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy cladding material for a heat exchanger which maintains high corrosion resistance and high strength, particularly exhibits excellent inside corrosion resistance as that of an automotive brazing type radiator tube material, even when being made thin in thickness.
薄肉化した場合にも、高耐食性、高強度を維持する熱交換器用アルミニウム合金クラッド材、特に自動車のろう付け型ラジエータチューブ材として優れた内面耐食性を示すアルミニウム合金クラッド材を提供する。 - 特許庁 - To provide a clad thickness measuring instrument capable of performing the clad thickness measurement accurately by placing a displacement sensor 17 close to even a cladding metal wire 8 having an uneven clad surface without causing any impact or damage to both the displacement sensor 17 and a clad 26.
被覆の表面に凹凸を有する被覆金属線８であっても、変位センサ１７及び被覆２６の双方に衝撃、又は損傷を加えることなく、変位センサ１７を被覆金属線８に近接させて被覆厚の測定を精度よく行うことが可能となる被覆厚測定装置を提供すること。 - 特許庁 - The present invention provides the optical waveguide having a core and a cladding layer, wherein a wall surface, which is formed by cutting out at least a part of the core in a thickness direction of the core by irradiation with a laser beam and crosses at least a part of the core, is a specular surface.
コアとクラッド層を備えた光導波路であって、レーザ照射によりコアの厚さ方向の一部だけが切断されて形成されたコアの一部を横切る壁面が鏡面であることを特徴とする光導波路を提供する。 - 特許庁 - Additionally, the active layer 502 has a diffraction grating 510 that includes a gain medium having the gain in the core of the waveguide, and has a first gain where at least one of the thickness and width of the medium for composing the core of the waveguide or cladding changes periodically.
また、活性層５０２が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子５１０を備えている。 - 特許庁 - Although a material of a cladding layer 21 made of at least one of AlGaN and InAlGaN differs from a group III nitride semiconductor and a thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is larger than a thickness D19 of the core semiconductor region 19, misfit dislocation density on first to third interfaces J1, J2, J3 is not more than 1×10^6 cm^-1.
ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁 - A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.
ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁 - This conductive wire comprises a core part 1 formed of Na or an evenly dispersed mixture containing 0.0001-30 vol.% of Cu powder in Na, and a cladding material 2 comprising Cu covering the circumference of the core part 1 and having the thickness of 0.05-5 mm, and is characterized by being lightweight.
Ｎａ、あるいは、ＮａにＣｕ粉末を容積比において０．０００１％〜３０％含む均一分散混合物から成る芯部１と、芯部１の外周を、被覆する０．０５ｍｍから５ｍｍの厚さのＣｕから成るクラッド材２と、から成り、軽量であることを特徴とする導電線。 - 特許庁 - The cladding board has circuits formed on a substrate A, solder resists arranged among the circuits, and a substrate B bonded on the board via an adhesive agent, wherein the thickness of the solder resists is identical to the height of the circuit on the substrate A and a clearance gap is provided between this circuit and the solder resists.
基板Ａ上に形成した回路と、この回路間に配置したソルダーレジストと、基板に対し、接着剤を介して接着される基板Ｂとを備え、ソルダーレジストが、その厚みを基板Ａの回路高さと等しくされ、且つ、この回路とソルダーレジストとの間に離間を持たせた張合せ基板。 - 特許庁
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