「compositional effect」を含む例文一覧(6)
- Moreover, as to this invention, even in a compositional system in which rare earth elements are added to the above compositional system, more excellent effect can be obtained.
更に本発明において前述の組成系に希土類元素を添加した組成系においても更に優れた効果を得ることができる。 - 特許庁 - To obtain a composition having preventing effect on fatty liver generated by long-term intake of a compositional nutrient agent and TPN.
本発明は、成分栄養剤やＴＰＮの長期間の施行に伴い発生する脂肪肝を予防する効果を有する組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a deodorant which is capable of inexpensively and easily obtaining raw materials and which is safe because compositional components are specified and toxic substances are not included, and to provide a method of manufacturing a deodorant product having the same carried thereon without reducing the deodorant effect.
原料の入手が安価で容易にでき、しかも組成成分が特定できて有害物質を含まない安全な脱臭剤、及びそれを坦持した脱臭効果を低減しない脱臭体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a spray type flying insect pest repellent which brings about an excellent repellent effect by using specific essential oils and compositional components thereof without using an insecticidal component and a method of efficiently repelling flying insect pests using the same.
殺虫成分を使用せず、特定の精油類及びその組成成分を用いることによって、優れた忌避効果を奏するスプレー式飛翔害虫忌避剤及びこれを用いる効率的な飛翔害虫の忌避方法の提供。 - 特許庁 - To calculate a composition corrected in the effect of a conductive film without preliminarily grasping the thickness of the conductive film when compositional analysis is performed using characteristic X rays emitted by irradiating a sample covered with the conductive film with an electron beam.
導電性膜で被われた試料に電子線を照射し、発生する特性Ｘ線を用いて組成分析を行う際に、予め導電性膜の厚さを知ること無しに、導電性膜の影響を補正した組成を求めることができるようにする。 - 特許庁 - In the semiconductor apparatus 1 formed of a field effect transistor equipped with a gate electrode 15 formed on the semiconductor substrate 11 through the gate insulating film 14, a part of the gate electrode 15 coming into contact with the gate insulating film 14 is formed of a film containing hafnium and nitrogen, and the film contains, at least, nitrogen, and the compositional ratio of nitrogen to hafnium is 51% or below.
半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムと窒素とを含む膜からなり、前記ハフニウムと窒素とを含む膜は少なくとも窒素を含みかつハフニウムと窒素とに対する窒素の組成比が５１％以下である。 - 特許庁
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