To provide a manufacturing method for a group III nitride compound semiconductor element capable of reclining the time required for a process from cleaning a substrate to growth of group III nitride compoundsemiconductor layer which has an element function. 基板のクリーニングから素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層の成長までの工程に要する時間を短縮できるIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer for a high electron mobility transistor using a gallium nitride-based compoundsemiconductor having high electron mobility. 電子移動度に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a II-VI compoundsemiconductor device for forming a radical cell device so that A1 cannot be mixed due to scattering even if a thin film is to be formed, and at the same time for forming the thin film with stable composition since no doped A1 is contained. 薄膜を形成する場合にも、Alを飛散して混入させないようにするラジカルセル装置を提供すると共に、ドーピングしないAlが含まれないで、組成の安定した薄膜を形成し得るII-VI族化合物半導体装置の製法を提供する。 - 特許庁