「constriction structure」を含む例文一覧(62)
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差圧式流量計の絞り構造 - 特許庁 - CURRENT CONSTRICTION STRUCTURE OF CPP GMR DEVICE, AND FORMING METHOD THEREOF
ＣＰＰ型ＧＭＲ素子の電流狭窄構造およびその形成方法 - 特許庁 - Then this structure is oxidized to form a current constriction layer 10.
そして、この構造体は酸化され、電流狭窄層１０が形成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light-emitting element in which non-alignment in structure of waveguide is reduced and better current constriction structure is attained.
半導体発光素子において、導波路の構造不整を少なくし、電流狭窄構造を良好にする。 - 特許庁 - With the constriction structure of the differential type flowmeter, a constriction structure 1 in a Venturi tube shape that is composed separately from and independently of a pipeline that becomes the channel of fluid is arranged in the pipeline.
差圧式流量計の絞り構造は、流体の流路となる管路に対し別途独立して構成されたベンチュリー管形状の絞り構造体１を管路内に配置したものである。 - 特許庁 - To prevent or suppress cracking etc., from a current constriction structure part made of oxide insulators with respect to a semiconductor laser having a striped ridge structure including a current constriction structure made of the oxide insulators.
酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制する。 - 特許庁 - Consequently, a current constriction structure is formed in the active layer and the current threshold is reduced.
この結果、活性層に電流狭窄構造が形成され、電流しきい値が低減される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light-emitting element capable of reducing a stress applied to an adjacent layer by a current constriction structure.
電流狭窄構造が隣接層に加える応力を低減できる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor laser for which a current supply region in a current constriction structure is formed with high precision.
電流狭窄構造における電流供給領域が精度良く形成された半導体レーザを製造する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR p-SIDE CURRENT CONSTRICTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造の製造方法および窒化物半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Also, the constriction structure is provided with a seal structure for sealing the gap between the inlet conical section at the upstream side of the channel and the inner surface of the pipeline.
また、流路上流側の入口円錐部と管路内面との隙間をシールするためのシール構造を備えるようにしたものである。 - 特許庁 - Accordingly, the current constriction layer 9 can reduce the stress applied to the active layer 5 and the adjacent layer as the p-type semiconductor layer 2 in the current constriction structure of the semiconductor light-emitting element 10.
よって、半導体発光素子１０の電流狭窄構造では、電流閉じ込め層９が活性層５及びｐ型半導体層２といった隣接層に加える応力を低減できる。 - 特許庁 - A ridge structure 22 including the current constriction layer 10 at the center of an element is formed, by splitting the current constriction layer 10 by separate grooves 17a and 17b or by removing part of it.
電流狭窄層１０を分離溝１７ａ、１７ｂにより分断し、あるいは一部除去することによって、素子中央に電流狭窄層１０を含むリッジ構造部２２を形成する。 - 特許庁 - To provide a separator which enables the constriction of a concrete structure excellent in heat insulation property, and a method for constructing the concrete structure by using the separator.
断熱性能に優れたコンクリート構造物を構築することが可能なセパレータおよびこれを用いたコンクリート構造物の施工方法の提供をする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a surface emitting laser, capable of aligning a center position of a surface relief structure with that of a current constriction structure at high precision.
表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを高精度で位置合わせできる面発光レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a GaN based light-emitting element provided with a desirable current constriction structure capable of high effectively generating not only UV rays but also of any light wavelength, and structure for making the utility of the constriction structure more marked, and provide a desirable manufacturing method of the GaN-based light-emitting element.
紫外線のみならず、どのような発光波長であっても、より高効率に発光させ得る好ましい電流狭窄構造を備え、その電流狭窄構造の有用性をより顕著にするための構造を備えたＧａＮ系発光素子を提供すること。 - 特許庁 - To provide a surface light emission type semiconductor laser element which has a current constriction structure of a novel constitution and a low operation voltage.
新規な構成の電流狭窄構造を備え、かつ動作電圧の低い面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - In this manner, by forming a plurality of unit current constriction structures in the light emission take-out region 41, current is dispersed into each unit current constriction structure, and at the same time current density in each unit current constriction structure can be improved, thus making uniform and speeding up response characteristics as an entire element 11.
このようにして複数の単位電流狭窄構造が発光取出し領域４１内に形成されることによって、電流を各単位電流狭窄構造に分散させると共に、各単位電流狭窄構造内での電流密度を高めることができ、素子１１全体としての応答特性の均一化及び高速化が可能になる。 - 特許庁 - To provide a high luminance semiconductor light emitting device that efficiently extracts light emitted on a photonic crystal structure forming region in a current constriction structure.
電流狭窄構造内におけるフォトニック結晶構造形成領域で発光した光を効率良く取り出し、輝度が高い半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - At least one of the second layers 1012 has an oxidization constriction structure having an oxidized region and a non-oxidized region.
前記第２の層１０１２のうち少なくとも一層に、酸化領域と非酸化領域とからなる酸化狭窄構造が設けられている。 - 特許庁 - The nanocarbon material composite 1 comprises a substrate 2 and a nanocarbon material 3 with a constriction structure grown on the substrate 2.
基体２と基体２上に成長したくびれ構造を有するナノ炭素材料３から成るナノ炭素材料複合体１を提供する。 - 特許庁 - A structure is used in which, after an opening 25 in a shape of a stripe penetrating a current constriction layer 24 is formed, a laser crystal layer including an active layer 28 is grown by using a dielectric such as SiO_2 as the current constriction layer.
電流狭窄層２４としてＳｉＯ_２等の誘電体を用い、前記電流狭窄層を貫通するストライプ状の開口部２５を作製した後に活性層２８を含むレーザ結晶層を成長した構造を用いた。 - 特許庁 - In a nitride semiconductor laser element chip, having a current constriction structure growing on a nitride semiconductor substrate, wire bond, is formed so that a position on the back of the nitride semiconductor substrate opposite to the current constriction structure substantially is included, thus reducing element fraction defective.
窒化物半導体基板上に成長した電流狭窄構造を有する窒化物半導体レーザ素子チップであって、電流狭窄構造と実質的に対向する、窒化物半導体基板の裏面の位置を含むように、ワイヤーボンドを形成することによって、素子不良率を低減する。 - 特許庁 - The surface emitting laser array 100 includes a first current emitting section in which a mesa shape and a light passing region shape of a current constriction structure are rectangular, and a second current emitting section in which a mesa shape and a light passing region shape of a current constriction structure are rectangular are circular.
面発光レーザアレイ１００は、メサ形状及び電流狭窄構造の電流通過領域の形状が正方形状の第１の発光部と、メサ形状及び電流狭窄構造の電流通過領域の形状が円形状の第２の発光部とを含んでいる。 - 特許庁 - To improve passing performance for a constriction part or an occlusion part by improving the structure of a fixed part between a catheter body and a balloon.
カテーテル本体とバルーンとの固定部分の構成を良好なものとすることで、狭窄箇所又は閉塞箇所の通過性の向上を図る。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor device in which selective oxidation constriction structure is introduced into a substrate consisting of semiconductor crystal InGaAs of ternary mixed crystal.
３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓからなる基板に、選択酸化狭窄構造を導入した光半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor device equipped with an embedding structure wherein a current constriction function is never rapidly lost even when an injection current is increased.
注入電流が増大しても電流狭窄機能が急激に失われることない埋め込み構造を具備した光半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.
p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a DFB semiconductor laser that can suppress an increase in manufacturing cost when the DFB semiconductor laser having a current constriction structure is manufactured.
電流狭窄構造を有するＤＦＢ半導体レーザを製造する際に、製造コストの増加を抑制可能なＤＦＢ半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The passage 12 includes passage structure to introduce flowing water into the water wheel 11 by accelerating the flowing water, and has a constriction portion 14 as means for accelerating the flowing water.
増速流路１２は、流水を増速させて水車１１に導入する流路構造を備えており、流水を増速させる手段として狭窄部１４を備えている。 - 特許庁 - To sufficiently observe the state of the inner wall of a tubular structure over a wide range and to intuitively recognize a constriction rate or the like in respective parts of the tubular structure simultaneously in the diagnostic image of the tubular structure of lungs, such as bronchi or pulmonary blood vessels.
気管支、肺血管等の肺の管状構造の診断画面において、管状構造の内壁の状態を広範囲にわたり十分に観察することでき、同時に、管状構造各部における狭窄率等を直感的に把握できるようにする。 - 特許庁 - To produce a method for producing a surface-emitting laser, capable of forming a surface relief structure which can align a center position between the surface relief structure and a current constriction structure with high accuracy and which can introduce a sufficient loss difference between a fundamental transverse mode and a high-order transverse mode.
表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain the constriction structure of a differential pressure type flowmeter for facilitating and make less expensive manufacture by eliminating the need for increasing strength by increasing thickness or the like and avoiding the decrease in measurement accuracy.
肉厚を大きくして強度を上げるなどの必要性をなくし、測定精度の低下を回避して製作の容易化と低価格を実現できる差圧式流量計の絞り構造を得る。 - 特許庁 - As a result, current constriction structure can be formed also in a P-type layer.
電流抑制部分には、アンドープでＡｌ組成比の高いものや、改質によって高抵抗としたものが好ましく、これによって、電流狭窄構造をｐ型層内にも形成できるようになる。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor laser element that has a current constriction structure, which is excellent in crystallinity of a regrowth layer (third layer) formed on a current constriction layer (second layer) and has excellent current stopping characteristics, and then has element characteristics and reliability improved, and to provide a manufacturing method thereof.
電流狭窄層（第２の層）上に形成される再成長層（第３の層）の結晶性が良好であるとともに、良好な電流阻止特性を有する電流狭窄構造を有し、これにより素子特性および信頼性が改善された窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an information processor or the like that gives visual guidance and operation support to target setting items for a person with a visual field constriction or the like even on an operation screen having a hierarchical structure.
階層構造を有する操作画面であっても、視覚狭窄者等に対し、目的とする設定項目への視覚的な誘導及び操作支援を行う情報処理装置等を提供すること。 - 特許庁 - To obtain lower resistance of a p-type contact layer, and to obtain a current constriction structure without applying a ridge-like process to the p-type semiconductor layer in a semiconductor laser element.
ｐ型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはｐ型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。 - 特許庁 - To provide a nanocarbon material composite which is suitable as a practical material and has a constriction structure, a method for producing the same, and an electron emission element using the nanocarbon material composite.
実用材料として好適な、くびれ構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそのナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device wherein a mesa structure is formed by using wet etching of little damage and a mask which has not eaves can be used for forming current constriction parts.
ダメージの少ないウェットエッチングによってメサ構造を形成すると共に、電流狭窄部の形成に庇のないマスクを使用することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the conventional mounting structure, stresses are concentrated at the constricted part of the external connection electrode to generate cracks in this part, but the concentration of the stresses can be prevented by eliminating the constriction.
従来の実装構造では、外部接続電極のくびれの部分に応力が集中し、この部分にクラックが発生していたが、くびれを無くすことにより、応力が集中するのを防止することができる。 - 特許庁 - An oxide layer to be selected is selectively oxidized to form a constriction structure wherein oxide surrounds the current passing region, and a dielectric layer with an optical thickness of 2λ/4 is formed on the upper surface of the laminated body.
そして、被選択酸化層を選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成し、積層体の上面に、光学的厚さが２λ／４の誘電体層を積層する。 - 特許庁 - The outer circumferential topography of a mesa post 51 that includes an AlAs layer as the oxidization constriction layer in its laminated structure is made to be such a shape as projects at its outer circumferential part corresponding to a crystal plane where the AlAs layer is quickly oxidized.
酸化狭窄層となるＡｌＡｓ層を積層構造中に含むメサポスト５１の外周形状を、ＡｌＡｓ層の酸化速度が速い結晶面に対応する外周部分で突出する形状にする。 - 特許庁 - To provide a production process of a vertical resonator-type surface-emitting laser, etc., that can bring the central axes of an electrode opening and a current constriction structure in agreement and can construct a mesa structure with a uniform shape, which has high output and can do single-transverse-mode oscillation using the basic mode.
電極開口部の中心軸と電流狭窄構造の径の中心軸を一致させ、かつ均一な形状のメサ構造を構成することができ、高出力で、基本モードによる単一横モード発振が可能な垂直共振器型面発光レーザの製造方法等を提供する。 - 特許庁 - An n-AlGaInP clad layer 204, an active layer 206, a p-AlGaInP clad layer 208 and a p-AlGaAs current diffusion layer 210 are sequentially laminated on an n-GaAs substrate 202 so as to have a current constriction mesa structure.
ｎ−ＧａＡｓ基板２０２上に、順次、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、活性層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０８、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０が電流狭窄メサ構造に積層される。 - 特許庁 - The constriction structure in a Venturi tube shape is in a comical Venturi tube shape having an inlet conical section 2, a throat section 2, and an outlet conical section 4, and a through hole is formed at the outlet conical section at the downstream side of the channel.
ベンチュリー管形状の絞り構造体が入口円錐部２とスロート部２と出口円錐部４とを備えた円錐型ベンチュリー管形状であり、流路下流側の前記出口円錐部に透孔を形成したものである。 - 特許庁 - The insulating film 14 for current constriction contains a high-refractive-index insulator, having a refractive index higher than an equivalent refractive index of a laser structure at the part of the ridge stripe 11, at a part other than parts nearby both resonator end surfaces.
電流狭窄用絶縁膜１４のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ１１の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。 - 特許庁 - Further, the method includes mounting the laminated body on a tray 6021 having a +Z-side surface shaped to follow a warpage of the laminated body at an oxidation temperature and selectively oxidizing the selectively oxidized layer from the side surface of the mesa structure using an oxidizing device, thereby generating a current constriction structure in which a current passing region is surrounded by an oxide.
そして、＋Ｚ側の面が酸化温度での積層体のそり形状に倣った形状を有するトレイ６０２１に積層体を載置し、酸化装置を用いて被選択酸化層をメサの側面から選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成する。 - 特許庁 - To reliably reduce an injury value of an occupant due to constriction by a seat belt in a seat structure of a vehicle furnished with the seat belt and a forward movement restraining member to restrain forward movement of the lower body of the occupant at vehicle collision.
シートベルトと車両衝突時に乗員の下半身の車両前方への移動を抑制する前方移動抑制部材を備えた車両のシート構造において、シートベルトの締め付けにより乗員に与えられる傷害値を十分に低減する。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁 - The tunnel barrier 12 has such a quantum thin line constriction structure that a silicon oxide film 17 as an electric boundary supporting oxide film formed using an interatomic force microscope or the like is formed by oxidizing the quantum thin line from its surface to its nearly central part.
トンネル障壁部１２は、原子間力顕微鏡等を用いて形成された電界支援酸化膜であるシリコン酸化膜１７が量子細線１１の表面からそのほぼ中心部まで酸化して形成された量子細線コンストリクション（＝くびれ）構造を有している。 - 特許庁
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