SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND BIT LINE CONTROL METHOD THEREOF 半導体メモリ装置及びそのビットライン制御方法 - 特許庁
DRIVER CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY 半導体メモリ装置のドライバ制御回路及び方法 - 特許庁
EXTERNAL STORAGE DEVICE AND ITS MEMORY ACCESS CONTROL METHOD 外部記憶装置およびそのメモリアクセス制御方法 - 特許庁
MEMORYCONTROL METHOD AND PROGRAM AND TERMINAL EQUIPMENT メモリ制御方法およびプログラムならびに端末装置 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR MANAGEMENT CONTROL OF MEMORY メモリ管理制御装置及びメモリ管理制御方法 - 特許庁
DIRECT MEMORY ACCESS CONTROLLER AND ITS ACCESS CONTROL METHOD ダイレクトメモリアクセスコントローラおよびそのアクセス制御方法 - 特許庁
PRINTER, PRINT CONTROL METHOD, AND MEMORY MEDIUM 印刷装置及び印刷制御方法と記憶媒体 - 特許庁
RECORDER, CONTROL METHOD THEREFOR AND COMPUTER READABLE MEMORY 記録装置及びその制御方法、コンピュ—タ可読メモリ - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND FRAME MEMORYCONTROL METHOD 半導体集積回路及びフレームメモリ制御方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND TIMING CONTROL METHOD THEREOF 半導体記憶装置及びそのタイミング制御方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY ACCESS CONTROL METHOD 半導体集積回路及びメモリアクセス制御方法 - 特許庁
GAME MACHINE, SERVER, PERFORMANCE CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM 遊技機、サーバ、演出制御方法及び記憶媒体 - 特許庁
A memory controller 3 is provided with a transaction control part 10 capable of independent control for each accepted transaction and at the time point of enabling control for each transaction, a memory access request to a main memory 4 is outputted to a memorycontrol part 11. 受け付けたトランザクション毎に独立した制御を行えるトランザクション制御部10を設け、各トランザクション毎に、可能になった時点で、主記憶4へのメモリアクセス要求を、メモリ制御部11に出力する。 - 特許庁
NAVIGATION DEVICE, CONTROL METHOD, PROGRAM, AND MEMORY MEDIUM ナビゲーション装置、制御方法、プログラム、及び記憶媒体 - 特許庁
DDR MEMORY SYSTEM WITH ODT CONTROL FUNCTION ODT制御機能を備えたDDRメモリシステム - 特許庁
To provide a semiconductor memory and a technology of controlling the memory facilitating design of the memory or a memory controller carrying out memorycontrol, in the memory to perform a synchronizing transfer. 本発明は、同期転送を行うメモリにおいて、メモリやその制御を行うメモリコントローラの設計が容易となる半導体メモリやメモリ制御の技術を提供することを課題とする。 - 特許庁
To obtain a memorycontrol unit facilitating cache management of data stored in a memory. メモリに格納されたデータのキャッシュ管理を容易に行うメモリ制御装置を得る。 - 特許庁
A CPU 8 and the 1st memory 10 are connected to a system bus 9 consisting of an address, a data, and a control bus and a local memory 3 and a frame memory 4 as the 2nd memory are connected to a local bus 2 consisting of an address, a data, and a control bus. 2ポートマイクロプロセッサ1は、システムバス9に接続される第1のポート102と、ローカルバス2に接続される第2のポート103を有する。 - 特許庁
To provide a memorycontrol device, a memorycontrol method, an information processing system, a program thereof and a storage medium thereof by which an FB-DIMM (Dual Inline Memory Module) memory is rapidly tested or initialized. FB−DIMMメモリを迅速にテストや初期化を行うメモリ制御装置、メモリ制御方法、情報処理システム、そのプログラム及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁
UNIT INCLUDING STORAGE DEVICE HAVING TWO OR MORE MEMORY AREAS AND MEMORYCONTROL SYSTEM 複数のメモリ領域を有する記憶装置を有するユニット及びメモリ制御システム - 特許庁
To improve utilization efficiency of a memory band in a memory access control device. メモリアクセス制御装置におけるメモリ帯域の利用効率をさらに向上させる。 - 特許庁
To provide an electronic control device having high memory efficiency in a non-volatile memory. 不揮発性メモリにおけるメモリ効率が高い電子制御装置を提供すること。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array including memory cells MC; and a control unit 20 to control a signal applied to the memory cells. 複数のメモリセルMCを有するメモリセルアレイと、複数のメモリセルに印加される信号を制御する制御部20と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁
A semiconductor memory 10 comprises a memory cell array 11 and a data mask control part 101. 半導体メモリ10は、メモリセルアレイ11とデータマスク制御部101とを備える。 - 特許庁
To provide an electronic control device having high memory efficiency in a nonvolatile memory. 不揮発性メモリにおけるメモリ効率が高い電子制御装置を提供すること。 - 特許庁
To realize the duplex operation of a memory by connecting two control boards with a memory module. 2枚の制御用ボードをメモリモジュールに接続してメモリの二重化を実現する。 - 特許庁
DIRECT MEMORY ACCESS CONTROL METHOD, DIRECT MEMORY ACCESS CONTROLLER, INFORMATION PROCESSING SYSTEM, AND PROGRAM ダイレクトメモリアクセス制御方法、ダイレクトメモリアクセス制御装置、情報処理システム、プログラム - 特許庁
DRIVE CONTROL DEVICE, MEMORY PROPERTY DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD FOR MEMORY PROPERTY DISPLAY DEVICE 駆動制御装置、記憶性表示装置及び記憶性表示装置の駆動方法 - 特許庁
A packet classifying device is equipped with a rule memory, a criterion memory, and control logic. パケット分類装置は、規則メモリと判定基準メモリと制御ロジックとを備える。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BUILT-IN FLASH MEMORY, CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY, AND PROGRAM FOR THE METHOD フラッシュメモリ内蔵の半導体装置、フラッシュメモリの制御方法およびそのプログラム - 特許庁
The IC card 1 has a memory and a CPU for access control of the memory. ICカード1は、メモリと、前記メモリのアクセス制御を行うCPUとを有する。 - 特許庁
CACHE MEMORY DEVICE, CACHE MEMORYCONTROL METHOD TO BE USED FOR THE SAME AND PROGRAM THEREFOR キャッシュメモリ装置及びそれに用いるキャッシュメモリ制御方法並びにそのプログラム - 特許庁
A memorycontrol part 24 controls the memory, so that memory access by the application part 21 received via a communication control part 23 is the access to a shared memory. そして、メモリ管理部24は、通信制御部23を介して受信したアプリケーション部21によるメモリアクセスが、共有メモリへのアクセスとなるようにメモリを管理する。 - 特許庁
The memory image print control section 8 deletes the received image from the memory 5 after the printout. 上記の各印刷出力後、メモリ5から当該受信画像を消去する。 - 特許庁
MEMORY ACCESS DETERMINATION CIRCUIT, MEMORY ACCESS DETERMINATION METHOD, CACHE CONTROL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE メモリアクセス判定回路、メモリアクセス判定方法、キャッシュ制御装置および電子機器 - 特許庁
MEMORY SYSTEM CONTROLLING INTERFACE TIMING IN MEMORY MODULE AND TIMING CONTROL METHOD メモリモジュール内でのインターフェースタイミングを制御するメモリシステム及びタイミング制御方法 - 特許庁
COLUMN GATE CONTROL METHOD IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 半導体記憶装置におけるコラムゲ—トの制御方法及び半導体記憶装置 - 特許庁
The memory structure (20) comprises a memory storage element (23) electrically coupled to a control element (25). メモリ構造(20)は、制御素子(25)に電気的に結合されたメモリ記憶素子(23)を含む。 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL METHOD FOR LEVEL SHIFTER OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY 不揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリのレベルシフタ制御方法 - 特許庁
FLASH MEMORY CONTROLLER, MEMORYCONTROL CIRCUIT, FLASH MEMORY SYSTEM, AND METHOD FOR CONTROLLING DATA EXCHANGE OPERATION BETWEEN HOST COMPUTER AND FLASH MEMORY フラッシュメモリコントローラ、メモリ制御回路、フラッシュメモリシステム、及びホストコンピュータとフラッシュメモリとの間でのデータ交換動作を制御するための方法 - 特許庁
In a memory 4, control codes and memory data 9 are programmed in pairs and outputted from the memory as the memory address steps. メモリには、あらかじめ制御コードとメモリデータがペアでプログラムされており、メモリアドレスの歩進によってこれらはメモリから出力される。 - 特許庁
A memory-cell array 21 of the nonvolatile memory 20 is divided into a plurality of banks and a controlmemory area is allocated inside the memory-cell array 21. 不揮発性メモリ20のメモリセルアレイ21を複数のバンクに分割して、メモリセルアレイ21内に制御メモリ領域をアロケートする。 - 特許庁
To provide a memorycontrol circuit to discriminate whether or not a generated memory fault is a fixed fault and the continuous operation of which is possible without stopping the operation of the memorycontrol circuit when the memory fault is generated in the memorycontrol circuit to control access to an external memory. 外付けメモリに対するアクセス制御を行うメモリ制御回路において、メモリ障害が発生した場合、発生したメモリ障害を固定障害か否かに判別し、また、メモリ制御回路の運用を停止することなく継続運用可能となるメモリ制御回路を提供する。 - 特許庁
DRIVE CONTROL DEVICE, DRIVE CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM FOR VIBRATING ACTUATOR 振動型アクチュエータ駆動制御装置、駆動制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁
VIBRATION ACTUATOR DRIVE CONTROL DEVICE, DRIVE CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM 振動型アクチュエータ駆動制御装置、駆動制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, WRITING CONTROL CIRCUIT, AND ITS WRITING CONTROL METHOD 半導体メモリ装置、書き込み制御回路及びその書き込み制御方法 - 特許庁
AUTOMATIC DELAY CONTROL CIRCUIT AND MEMORY INTERFACE CONTROL CIRCUIT USING THE CIRCUIT 自動遅延制御回路およびその回路を用いたメモリインタフェース制御回路 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory which can control one memory chip as well as plural memory chip. 1メモリチップを複数メモリチップと同様に制御可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1). MONOS型不揮発性メモリのメモリセル(MC_1)は、コントロールトランジスタ(C_1)とメモリトランジスタ(M_1)とで構成されている。 - 特許庁