METHOD OF PULLING UP SINGLE CRYSTAL 単結晶引上げ方法 - 特許庁
METHOD OF PULLING UP SINGLE CRYSTAL 単結晶引き上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶の引上げ方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLING UNIT AND SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD 単結晶引上装置及び単結晶引上方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SINGLE CRYSTAL BY ZONE-PULLING ゾーンプーリングによる単結晶のプーリング法 - 特許庁
SILICON SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD シリコン単結晶引上方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL 単結晶の引上げ方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL PULLING-UP METHOD 単結晶の引き上げ方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL PULLING-UP METHOD AND SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT 単結晶引上方法及び単結晶引上装置 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶引上方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL-PULLING MACHINE AND PULLINGMETHOD 単結晶引上げ装置及び引き上げ方法 - 特許庁
SILICON SINGLE CRYSTALPULLING EQUIPMENT, AND METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶引上装置、シリコン単結晶引上方法 - 特許庁
APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶引上げ方法 - 特許庁
QUARTZ CRUCIBLE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTALPULLING UP DEVICE AND SINGLE CRYSTALPULLING UP METHOD 単結晶引上用石英ルツボ、単結晶引上装置及び単結晶引上方法 - 特許庁
SILICON SINGLE CRYSTALPULLING EQUIPMENT AND SILICON SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD USING THE SAME シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT AND SINGLE CRYSTAL PULLING-UP METHOD USING THE SAME シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶の引上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶の引き上げ方法 - 特許庁
PULLING UP METHOD FOR SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶の引上げ方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS, SILICON SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS AND SILICON SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD 単結晶引上げ装置、シリコン単結晶引上げ装置およびシリコン単結晶引上げ方法 - 特許庁
QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボとその引上方法 - 特許庁
CZ METHODPULLING APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL CZ法単結晶引上げ装置 - 特許庁
CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT CZ法単結晶引上げ装置 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶引上方法および装置 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLING DEVICE AND METHOD 単結晶引上げ装置及び方法 - 特許庁
HOLDING METHOD OF SEED CRYSTAL BODY FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶引上用種結晶体の保持方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTAL PULLING-UP METHOD AND RAW MATERIAL CRYSTAL 単結晶引き上げ方法および原料結晶 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTION DEVICE USING THE SAME 単結晶引上げ方法および製造装置 - 特許庁
DEVICE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF PULLING THE SAME シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD AND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL 単結晶引上げ方法及び半導体単結晶 - 特許庁
APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD チョクラルスキー法単結晶引き上げ装置 - 特許庁
SEED CRYSTAL FOR PULLING SINGLE CRYSTAL, POYCRYSTALLINE RAW MATERIAL FOR PULLING SINGLE CRYSTAL, METHOD OF SUPPLYING POLYCRYSTALLINE RAW MATERIAL FOR PULLING SINGLE CRYSTAL, AND SINGLE CRYSTALPULLINGMETHOD 単結晶引上げ用種結晶、単結晶引上げ用多結晶原料、単結晶引上げ用多結晶原料の供給方法、及び単結晶引上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS 単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法。 - 特許庁
SINGLE CRYSTALPULLING DEVICE AND SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD 単結晶引上げ装置および単結晶製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL シリコン単結晶の引き上げを行う方法 - 特許庁
APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PULLING SINGLE CRYSTAL USING THE SAME 単結晶引上げ装置およびこれを用いた単結晶の引上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR DETECTING MELT LEAKAGE IN SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTALPULLING APPARATUS 単結晶引上装置の湯漏れ検出方法および単結晶引上装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CRUCIBLE FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶引き上げ用ルツボの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PULLING SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS THEREFOR 単結晶の引上げ方法及びその装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL AND DEVICE OF PULLING UP SINGLE CRYSTAL 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶引上げ装置および引上げ方法 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD OF PULLING-UP SINGLE CRYSTAL 単結晶引上げ装置および引上げ方法 - 特許庁
METHOD FOR DESIGNING CONDITION FOR PULLING SINGLE CRYSTAL 単結晶の引き上げ条件の設計方法 - 特許庁