「crystallinity」を含む例文一覧(1985)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 39 40 次へ＞- EVALUATION METHOD OF CRYSTALLINITY OF 3C-SiC LAYER ON Si SUBSTRATE
Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法 - 特許庁 - Therefore, the crystallinity of the semiconductor layer can be evaluated.
これにより、半導体層の結晶性を評価することができる。 - 特許庁 - The olefinic resin with modified crystallinity satisfies all of the followings (i)-(v).
以下の（ｉ）〜（ｖ）のすべてを満たす結晶性改質オレフィン樹脂。 - 特許庁 - To provide a monoazo compound having good lyotropic crystallinity.
良好なリオトロピック液晶性を有するモノアゾ化合物を提供する。 - 特許庁 - A vertical transistor and a vertical diode comprise a stacked body of an oxide semiconductor in which an oxide semiconductor film having first crystallinity and an oxide semiconductor film having second crystallinity are stacked.
または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁 - Crystallinity of the silicon single-crystal layer 12 will not be crushed.
シリコン単結晶層１２の結晶性が破壊されることがない。 - 特許庁 - PYRENEDIONE ALKYLOXY DERIVATIVE HAVING ELECTRIC CONDUCTIVITY AND LIQUID CRYSTALLINITY
電気伝導性および液晶性を有するピレンジオンアルキルオキシ誘導体 - 特許庁 - HIGH-CRYSTALLINITY INDOLE DERIVATIVE TRIMER AND METHOD FOR OBTAINING THE SAME
高結晶化したインドール誘導体三量体とその取得方法 - 特許庁 - To obtain a gallium nitride (GaN) compound semiconductor of superior crystallinity.
結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を得る。 - 特許庁 - To obtain fine crystalline copper aluminate particulates having excellent crystallinity.
微細で結晶性に優れた結晶性銅アルミネート微粒子を得る。 - 特許庁 - To provide a high-crystallinity anatase-single phase titanium oxide ultra-fine particle having a specific crystal face and a particle size of 5 nm to 100 nm with high crystallinity according to a novel production method of titanium oxide, and a production method of the high-crystallinity anatase-single phase titanium oxide ultra-fine particle.
新規酸化チタン製造方法によって、特異な結晶面をもつ、結晶性の高い5nm〜100nmの粒子径の、高結晶性アナターゼ単相酸化チタン超微粒子、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a titanium oxide film having satisfactory crystallinity at a low temperature in a short time.
結晶性の良い酸化チタン膜を低温で、かつ短時間に得る。 - 特許庁 - To acquire an epitaxial growth layer whose crystallinity is satisfactory.
結晶性が良好なエピタキシャル成長層を得ることを可能にする。 - 特許庁 - To provide a uniform ferroelectric thin film having good crystallinity.
均一で結晶性の良好な強誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁 - The high acid number polyester has lower crystallinity than the block polyester.
また、高酸価ポリエステルは、ブロックポリエステルより結晶性の低いものである。 - 特許庁 - The obtained barium titanate powder is microparticle and contains high tetragonal crystallinity.
得られたチタン酸バリウム粉末は、微粒であり、正方晶性が高い。 - 特許庁 - The obtained composite oxide powder has high crystallinity even being fine particles and the reduction of crystallinity caused in accordance with the atomizing can be suppressed.
得られた複合酸化物粉末は微粒子であっても高い結晶性を有し、微粒子化に伴って生じる結晶性の低下を抑制することができる。 - 特許庁 - Since the graphite layer has excellent crystallinity, the semiconductor layer using the surface of the graphite layer as a growth surface also has excellent crystallinity.
前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。 - 特許庁 - Thereby, the indium tin oxide thin film in which the degree of crystallinity on the film surface is low and the degree of crystallinity is gradually decreased from the surface of the substrate toward the thickness direction of the film is obtained.
これにより、膜表面の結晶化度が低く、基板表面から膜厚方向に結晶化度が減少する酸化インジウム錫薄膜が得られる。 - 特許庁 - To provide a crystallinity evaluation device of a silicon semiconductor thin film capable of rapidly and accurately evaluating the crystallinity of the silicon semiconductor thin film.
シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer having excellent crystallinity and an IG (internal gettering) capability.
優れた結晶性とＩＧ能力を有するエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of depositing a microcrystalline silicon film having high crystallinity.
結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。 - 特許庁 - To deposit a β-FeSi_2 film having high crystallinity on an Si substrate.
Ｓｉ基板上に結晶性の高いβ−ＦｅＳｉ_２膜を形成する。 - 特許庁 - To stably manufacture a polycrystalline semiconductor thin film with high crystallinity.
優良な結晶性の多結晶半導体薄膜を安定して製造する。 - 特許庁 - The crystallinity [D] and the proportion [w] of the component B satisfy formula (1): -1.6484[D]+10≤[w]≤-1.6484[D]+90.
−１．６４８４［Ｄ］＋１０≦［ｗ］≦−１．６４８４［Ｄ］＋９０…（１） - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor light-emitting element with excellent crystallinity.
結晶性の良い半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - CRYSTALLINITY-MEASURING METHOD FOR SILICON FILM, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
シリコン膜の結晶性測定方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The transparent electrode 9 is formed principally of ITO (Indium Tin Oxide) and constituted by laminating a low-crystallinity layer 9a which is formed on the side of the base material 101 and has relatively low crystallinity and a high-crystallinity layer 9b which is formed on the opposite side from the base material 101 and has relatively high crystallinity.
透明電極９はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を主体として構成されており、基材１０１側に形成され相対的に結晶性の低い低結晶性層９ａと、基材１０１と反対側に形成され相対的に結晶性の高い高結晶性層９ｂとが積層された構成とされている。 - 特許庁 - So, the crystallinity of a GaN layer 4 formed over it is good.
よって、この上に形成されるＧａＮ層４の結晶性を良好にできる。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR EVALUATING CRYSTALLINITY OF SILICON SEMICONDUCTOR THIN FILM
シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法 - 特許庁 - To provide a disazo compound having good lyotropic crystallinity.
本発明は、良好なリオトロピック液晶性を有するジスアゾ化合物を提供する。 - 特許庁 - To provide a high concentration doped nitride semiconductor crystal having superior crystallinity.
結晶性が良好な高濃度ドープ窒化物半導体結晶を提供する。 - 特許庁 - To obtain a polydiene having a crystallinity by using a specific catalytic system.
特定の触媒系を用いることにより、結晶化度を有するポリジエンを得る。 - 特許庁 - To provide a method for improving crystallinity of polyamide-based resin composition.
ポリアミド系樹脂組成物の結晶性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁 - Also crystal defects in each layer can be eliminated to improve crystallinity.
また、各層の結晶欠陥をなくし、結晶性を良好にすることができる。 - 特許庁 - To grow group III nitride of good crystallinity on a lattice matching substrate.
結晶性の良いＩＩＩ族窒化物を格子整合基板上に成長させる。 - 特許庁 - To improve a crystallinity of oxide powder while preventing sintering among the powder.
酸化物粉末同士の焼結を抑制しつつ結晶性の向上を図る。 - 特許庁 - A piezoelectric body 29b in a wiring region has the crystallinity of a pyrochlore structure.
配線領域の圧電体２９ｂの結晶性はパイロクロア型構造である。 - 特許庁 - To solve the problem of crystallinity in an imaging apparatus utilizing a band gap.
バンドギャップを利用した撮像装置において、結晶性の問題を解消する。 - 特許庁 - A piezoelectric body 29a in the displaced region has the crystallinity of a perovskite structure.
変位領域の圧電体２９ａの結晶性はペロブスカイト型構造である。 - 特許庁 - The coating is characterized with respect to phase composition, crystallinity, morphology and thickness.
コーティングを相組成、結晶化度、形態学及び厚さに関して特徴づける。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device having good crystallinity of a silicon film.
シリコン膜の結晶性が良い半導体装置の作製法を提供する。 - 特許庁 - To provide a novel liquid crystal compound which develops biaxial nematic liquid crystallinity.
バイアキシャルネマチック液晶性を発現する新規な液晶性化合物を提供する。 - 特許庁 - The microcrystalline semiconductor film is deposited thereon; and accordingly, crystallinity of a foundation is influenced particularly in the vicinity of an interface with the foundation and good crystallinity is obtained.
その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a large-diameter silicon carbide substrate having superior crystallinity.
結晶性に優れた大口径の炭化珪素基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a large size organic single crystal having excellent crystallinity.
結晶性に優れた大型の有機単結晶の形成方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, CRYSTALLINITY EVALUATING METHOD, AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Preferably, the crystallinity of the low-density polyethylene measured by the X-ray diffractometry is not higher than 50% and the crystallinity of the high-density polyethylene is at least 55%.
Ｘ線回折法により測定した、低密度ポリエチレンの結晶化度は５０％以下であり、高密度ポリエチレン等の結晶化度は５５％以上であることが好ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR ACCELERATING CRYSTALLIZATION OF POLYAMIDE RESIN AND POLYAMIDE FORMED PRODUCT EXCELLENT IN CRYSTALLINITY
ポリアミド樹脂の結晶化促進方法及び結晶性に優れるポリアミド成形品 - 特許庁 - To provide a resin composition with improved moldability and crystallinity as a polyester.
ポリエステルとしての成形性、結晶性が改善された樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
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