「crystallographically」を含む例文一覧(25)
- CERAMIC SHEET, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLOGRAPHICALLY-ORIENTED CERAMIC
セラミックスシート、その製造方法及び結晶配向セラミックスの製造方法 - 特許庁 - To easily produce a crystallographically oriented ceramic which contains lead and has a higher degree of orientation.
鉛を含む結晶配向セラミックスにおいて、より配向性の高いものをより容易に作製する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, having a structure which enables a strain layer of crystallographically high quality to be manufactured.
結晶学的に高品質な歪層を作製可能な構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a lead-based piezoelectric material preferably used as a seed of growth of crystallographically oriented ceramics.
結晶配向セラミックスの成長のシードとして好適に用いられる鉛系圧電材料を提供する。 - 特許庁 - First, a semiconductor substrate having a top surface crystallographically equivalent to the {110} surface or {100} surface is prepared.
まず、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な上面を有する半導体基板を用意する。 - 特許庁 - Then included angles of (H1, H2, H3) are crystallographically calculated from their crystallographic indices.
次いで（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の結晶指数から結晶学的な方法で（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角を求める。 - 特許庁 - In this case, the adhesion surfaces of the GaP substrate 105 and wafer adhesive layer 104 are adhered to each other in a manner that either of them is turned about zero to 180 degrees, from the crystallographically similar direction to crystallographically different direction.
この接着は、ＧａＰ基板１０５の接着面とウエハ接着層１０４の接着面とが、結晶学的に等しい方向から結晶学的に異なる方向に例えば０°乃至１８０°程度回転させて行われる。 - 特許庁 - CRYSTALLOGRAPHICALLY ALIGNED FERROELECTRIC FILM USABLE AS MEMORY AND METHOD FOR CRYSTALI,OGRAPHICALLY ALIGNING PEROVSKITE FILM
メモリで利用可能な結晶学的に整列した強誘電性膜、およびペロブスカイト膜を結晶学的に整列する方法 - 特許庁 - Then, an etching mask with an etching window is formed on the surface crystallographically equivalent to the {110} surface or {100} surface.
次に、エッチング窓を有するエッチングマスクを、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な面に形成する。 - 特許庁 - The method to form a crystallographically equivalent surface to the {110} surface or {100} surface of a semiconductor substrate include the following steps.
半導体基板の｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する方法が以下のステップを含んでいる。 - 特許庁 - The surface of the gallium arsenide inclines in a (0-1-1) direction to a gallium arsenide (100) surface or a surface crystallographically equivalent to the gallium arsenide (100) surface, or in a direction crystallographically equivalent to the gallium arsenide (100) surface at angles of 0.2° or more and 2.4° or below.
ガリウム砒素の表面が、ガリウム砒素（１００）面又はこのガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な面に対して（０−１−１）方向、又はガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な方向に、０．２度以上２．４度以下の角度で傾斜している。 - 特許庁 - In the crystal, the homotetramer more preferably comprises two crystallographically independent subunits (chain A and chain D) and two subunits (chain C and chain B) positioned symmetrically to them and r.m.s Cα deviation between the two the crystallographically independent subunits (chain A and chain D) is ≤1Å.
この結晶は、さらに好ましくは、ホモ四量体は結晶学的に独立な2個のサブユニット（Ａ鎖とD鎖）とこれらと対称に位置する２個のサブユニット（C鎖とB鎖）とからなっており、結晶学的に独立な２個のサブユニット間（Ａ鎖とD鎖間）のr.m.s. Cα偏差が１Å以下である。 - 特許庁 - The etching window has a sidewall having a certain degree of a tilt angle with a direction crystallographically equivalent to the <100> direction or <110> direction of the semiconductor substrate.
エッチング窓は、半導体基板の＜１００＞方向又は＜１１０＞方向と結晶学的に等価な方向に対してある傾斜角度をなす向きの側壁を有する。 - 特許庁 - To provide a sintered body of oxides of rare earth elements having high sintering densities and small crystallite sizes and to provided a compound oxide sintered body containing rare earth elements with crystallographically single phase.
焼結密度が大きく結晶子径の小さい希土類元素酸化物焼結体、および結晶学的に単相である希土類元素を含む複合酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁 - The optical waveguide is fabricated by joining a plurality of sheets of compound semiconductor wafers taking [110] surfaces as lamination planes in such a way that either [111] axis directions or crystallographically equivalent axis directions are mutually anti-parallel.
光導波路は、［１１１］軸方向および結晶的に等価な軸方向のどちらか一方が互いに反平行になるように、複数枚の化合物半導体ウェハーを｛１１０｝面を積層面として接合される。 - 特許庁 - The spin valve sensor has a lower structure arranged to increase the GMR coefficient utilizing a seed layer arrange crystallographically in one embodiment or utilizing an improved pin anchor layer in other embodiment.
スピン・バルブ・センサの下部構造は、一実施態様では結晶学的に配置されたシード層の利用によって、また他の実施態様では改善されたピン留め層の利用によって、ＧＭＲ係数を高めるように構成されている。 - 特許庁 - As a result, the lower part of the soft magnetic layer is provided with the soft magnetic orientation film which magnetically and crystallographically orients the soft magnetic layer, by which the soft magnetic layer can be stabilized and the noise generation rate thereof can be reduced even if the soft magnetic layer has the thin film thickness.
これにより、軟磁性層の下部に軟磁性層を磁気的に配向する軟磁性配向膜を設けることによって、軟磁性層が薄い膜厚を有したとしても安定化できてかつノイズ発生量を減らすことができる。 - 特許庁 - To provide a novel process for producing a mono-dispersed fluorine-containing combined salt having a uniform particle size and a uniform shape, particularly a fluorine-containing combined salt containing two or more groups of cationic species incapable of solid solution, in which the respective groups occupy crystallographically classified sites.
粒子サイズや形状が揃った単分散の弗素含有複合塩、特に２群以上の固溶不可能なカチオン種群を含み、それぞれの群が結晶学的に区別されたサイトを占めるような弗素含有複合塩を製造する新規な方法を提供すること。 - 特許庁 - A flat plate 1 consisting of single crystal is provided with a recess 2, all the side walls 3 of which are constituted from crystallographically equivalent crystal faces and the opening of which is hexagonal, and then solder paste is filled into this recess 2 and heat-treated, thereby forming a solder ball 5.
単結晶からなる平板１に、全ての側壁３が結晶学的に等価な結晶面から構成されるとともに、間口形状が六角形である凹部２を設け、次いで、この凹部２に半田ペーストを充填したのち、加熱処理を行なうことによって半田ボール５を形成する。 - 特許庁 - The funnel effect of the light is integrated just in front of the coupling hole, then a light funnel that intensifies an optical coupling effect is constituted by overlaying with a dielectric planarized on a semiconductor slope specified crystallographically using wet etching or a semiconductor slope specified by a resist profile using dry etching.
光の漏斗効果をそのカップリン孔の真正面に集積させて、光の結合効果を増強させる光漏斗を湿式蝕刻で結晶学的に半導体のスロープを規定するか、または、乾式蝕刻で、レジスト・プロファイルで規定された、半導体スロープの上を平坦化した誘電体で被覆した。 - 特許庁 - The included angles obtained from measured values (Tx, Ty) are compared to the included angles crystallographically calculated, and values (Tx, Ty) that minimize the differences are chosen as the correct values to determine the relationship between the tilt axes and the crystal axes (H1, H2, H3).
次いで、測定された（Ｔｘ，Ｔｙ）値から得た（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角と結晶学的に算出した挟角とを比較して、その差を最小化する（Ｔｘ，Ｔｙ）値を正確な測定値として選択して、傾斜軸と結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）間の関係を樹立する。 - 特許庁 - A soft magnetic orientation film which magnetically and crystallographically orients the soft magnetic layer is interposed between the soft magnetic layer and substrate of the perpendicular magnetic recording medium which is provided with a perpendicular magnetic recording film on the substrate and is interposed with the soft magnetic layer between the substrate and the perpendicular magnetic recording film.
基板上に垂直磁気記録膜が設けられ、前記基板と垂直磁気記録膜との間に軟磁性層が介在されている垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層と基板との間に前記軟磁性層を磁気的及び結晶学的に配向する軟磁性配向膜が介在されている垂直磁気記録媒体。 - 特許庁 - An overlay for the sliding member 13 is formed on the surface of a lining material 12 and the overlay 13 is composed of a soft metal and the normal line of a crystallographically easy glide surface of the soft metal corresponds with the normal line of the surface of the lining material so that the easy glide surface is orientation-controlled so as to be parallel to the sliding direction.
ライニング材１２表面に形成される摺動部材用オーバーレイ１３であって、このオーバーレイ１３が軟質金属からなり、この軟質金属の結晶学的な容易すべり面の法線が上記ライニング材表面の法線に一致して上記容易すべり面が摺動方向と平行になるように配向制御されたことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a catalytic chemical processing method and apparatus using magnetic fine particles capable of processing a difficult-to-process workpiece, especially SiC, GaN, etc. with high processing efficiency and with high precision based on a processing principle utilizing a catalytic action enabling the chemical reaction introducing no lattice defect into the surface of the workpiece, and capable of obtaining a crystallographically excellent processed surface.
本発明は、被加工物表面に格子欠陥が導入されない化学的な反応が可能な触媒作用を利用した加工原理に基づき、難加工物、特にＳｉＣやＧａＮ等を、加工効率が高く且つ高精度に加工することができ、結晶学的に優れた加工面が得られる磁性微粒子を用いた触媒化学加工方法及び装置を提案する。 - 特許庁 - This method for producing the crystallographically oriented ceramic includes: a preparation step of preparing a template layer having uniform crystal orientation in a predetermined direction; a formation step of forming a shaped body having a matrix layer, which is composed of a mixed material of an additional material containing lithium and boron with a lead-containing material, formed on the template layer; and a firing step of firing the shaped body obtained at the formation step at a predetermined firing temperature.
本発明の結晶配向セラミックスの製造方法は、結晶方位を所定方向に揃えたテンプレート層を準備する準備工程と、リチウムとホウ素とを含む添加材料と鉛を含む材料とを混合した混合材料によって構成されるマトリックス層をテンプレート層上に形成した成形体を作製する形成工程と、形成工程によって得られた成形体を所定の焼成温度で焼成する焼成工程と、を含むものである。 - 特許庁
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